|
Подробная информация о продукте:
|
| Тип: | Триод полупроводника | Транзистор Mosfet силы: | Помещенная пластмасса ТО-126 |
|---|---|---|---|
| Удостоверение личности продукта: | ТИП122 ТИП127 | Функция: | Высокое увеличение ДК настоящее |
| Диссипация силы сборника: | 1.25W | Температура соединения: | 150℃ |
| Высокий свет: | триод электронных блоков,переключатель полупроводника |
||
ТО-126 Пластмасс-помещают транзисторы
Транзистор ТИП122 Дарлинтон (НПН)
Транзистор ТИП127 Дарлинтон (ПНП)
1. ИЗЛУЧАТЕЛЬ
2. СБОРНИК
3. ОСНОВАНИЕ
ОТМЕЧАТЬ
ТИП122, код ТИП127=Девисе
Прибор твердые точка = литьевая масса зеленого цвета, если никакой, нормальный прибор СС=Коде
Схема эквивалентности
УПОРЯДОЧЕНИЕ ИНФОРМАЦИИ
| Номер детали | Пакет | Способ уплотнения прокладками | Количество пакета |
| ТИП122 | ТО-126 | Большая часть | 200пкс/Баг |
| ТИП127 | ТО-126 | Большая часть | 200пкс/Баг |
| ТИП122-ТУ | ТО-126 | Трубка | 60пкс/Тубе |
| ТИП127-ТУ | ТО-126 | Трубка | 60пкс/Тубе |
| Символ | Параметр | ТИП122 | ТИП127 | Блок |
| ВКБО | Напряжение тока коллектора- база | 100 | -100 | В |
| ВКЭО | Напряжение тока коллектор- эмиттера | 100 | -100 | В |
| ВЭБО | Напряжение тока Излучател-основания | 5 | -5 | В |
| ИК | Течение сборника - непрерывное | 5 | -5 | А |
| ПК * | Диссипация силы сборника | 1,25 | В | |
| РθДжА | Соединение термального сопротивления к окружающему | 100 | ℃/В | |
| РθДжк | Соединение термального сопротивления к случаю | 8,33 | ℃/В | |
| ТДж | Температура соединения | 150 | ℃ | |
| Цтг | Температура хранения | -55~+150 | ℃ | |
Животики =25 Š если не указано иное
| ТИП122 НПН | |||||
| Параметр | Символ | Условия испытаний | Минута | Макс | Блок |
| Пробивное напряжение коллектора- база | В (БР) КБО | ИК=1мА, Т.Е. =0 | 100 | В | |
| Пробивное напряжение коллектор- эмиттера | ВГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР (СУС) | ИК=30мА, ИБ=0 | 100 | В | |
| Течение выключения сборника | ИКБО | ВКБ=100В, Т.Е. =0 | 0,2 | мамы | |
| Течение выключения сборника | ИКЭО | ВКЭ=50 В, ИБ=0 | 0,5 | мамы | |
| Течение выключения излучателя | ИЭБО | ВЭБ=5 В, ИК=0 | 2 | мамы | |
|
Увеличение ДК настоящее |
хФЭ (1) | ВКЭ= 3В, ИК=0.5А | 1000 | ||
| хФЭ (2) | ВКЭ= 3В, ИК=3 а | 1000 | 12000 | ||
|
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера |
В (сидеть)КЭ |
ИК=3А, ИБ=12мА | 2 |
В |
|
| ИК=5 а, ИБ=20мА | 4 | ||||
| напряжение тока Основани-излучателя | ВБЭ | ВКЭ=3В, ИК=3 А | 2,5 | В | |
| Емкость выхода | Удар | ВКБ=10В, Т.Е. =0, ф=0.1МХз | 200 | пФ | |
| ТИП127 ПНП | |||||
| Параметр | Символ | Условия испытаний | Минута | Макс | Блок |
| Пробивное напряжение коллектора- база | В (БР) КБО | ИК=-1мА, Т.Е. =0 | -100 | В | |
| Пробивное напряжение коллектор- эмиттера | ВГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР (СУС) | ИК=-30мА, ИБ=0 | -100 | В | |
| Течение выключения сборника | ИКБО | ВКБ=-100В, Т.Е. =0 | -0,2 | мамы | |
| Течение выключения сборника | ИКЭО | ВКЭ=-50 В, ИБ=0 | -0,5 | мамы | |
| Течение выключения излучателя | ИЭБО | ВЭБ=-5 В, ИК=0 | -2 | мамы | |
|
Увеличение ДК настоящее |
хФЭ (1) | ВКЭ=-3В, ИК=-0.5А | 1000 | ||
| хФЭ (2) | ВКЭ=-3В, ИК=-3А | 1000 | 12000 | ||
|
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера |
В (сидеть)КЭ |
ИК=-3А, ИБ=-12мА | -2 |
В |
|
| ИК=-5 а, ИБ=-20мА | -4 | ||||
| напряжение тока Основани-излучателя | ВБЭ | ВКЭ=-3В, ИК=-3 А | -2,5 | В | |
| Емкость выхода | Удар | ВКБ=-10В, Т.Е. =0, ф=0.1МХз | 300 | пФ | |
* этот тест выполнен без теплоотвода на та=25℃.
Размеры плана пакета ТО-126
| Символ | Размеры в миллиметрах | Размеры в дюймах | ||
| Минута | Макс | Минута | Макс | |
| А | 2,500 | 2,900 | 0,098 | 0,114 |
| А1 | 1,100 | 1,500 | 0,043 | 0,059 |
| б | 0,660 | 0,860 | 0,026 | 0,034 |
| б1 | 1,170 | 1,370 | 0,046 | 0,054 |
| к | 0,450 | 0,600 | 0,018 | 0,024 |
| Д | 7,400 | 7,800 | 0,291 | 0,307 |
| Э | 10,600 | 11,000 | 0,417 | 0,433 |
| е | 2,290 ТИП | 0,090 ТИПА | ||
| е1 | 4,480 | 4,680 | 0,176 | 0,184 |
| х | 0,000 | 0,300 | 0,000 | 0,012 |
| Л | 15,300 | 15,700 | 0,602 | 0,618 |
| Л1 | 2,100 | 2,300 | 0,083 | 0,091 |
| П | 3,900 | 4,100 | 0,154 | 0,161 |
| Φ | 3,000 | 3,200 | 0,118 | 0,126 |
Контактное лицо: David
