|
Подробная информация о продукте:
|
| Температура хранения: | -55-150℃ | Транзистор Mosfet силы: | Транзисторы силы подсказки СОТ-23 |
|---|---|---|---|
| Материал: | кремний | Тип: | Транзистор триода |
| Высокий свет: | транзистор пньп подсказки,транзистор пньп наивысшей мощности |
||
СОТ-23 Пластмасс-помещают ТРАНЗИСТОР транзисторов ФММТ491 (НПН)
Транзистор переключения
МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ (Та=25℃ если не указано иное)
| Символ | Параметр | Значение | Блок |
| ВКБО | Напряжение тока коллектора- база | 60 | В |
| ВКЭО | Напряжение тока коллектор- эмиттера | 40 | В |
| ВЭБО | Напряжение тока Излучател-основания | 6 | В |
| ИК | Течение сборника | 600 | мамы |
| ПК | Диссипация силы сборника | 300 | мВ |
| РΘДЖА | Термальное сопротивление от соединения к окружающему | 417 | ℃/В |
| Тдж | Температура соединения | 150 | ℃ |
| Цтг | Температура хранения | -55~+150 | ℃ |
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (Та=25℃ если не указано иное)
| Параметр | Символ | Условия испытаний | Минута | Тип | Макс | Блок |
| Пробивное напряжение коллектора- база | В (БР) КБО | ИК=100μА, Т.Е. =0 | 60 | В | ||
| Пробивное напряжение коллектор- эмиттера | ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР В (БР) | ИК=1мА, ИБ=0 | 40 | В | ||
| пробивное напряжение Излучател-основания | В (БР) ЭБО | Т.Е. =100ΜА, ИК=0 | 6 | В | ||
| Течение выключения сборника | ИКБО | ВКБ=50В, Т.Е. =0 | 0,1 | μА | ||
| Течение выключения сборника | ИКЭС | ВКЭ=35В, ВЭБ=0.4В | 0,1 | μА | ||
| Течение выключения излучателя | ИЭБО | ВЭБ=5В, ИК=0 | 0,1 | μА | ||
|
Увеличение ДК настоящее |
хФЭ1 | ВКЭ=1В, ИК=0.1мА | 20 | |||
| хФЭ2 | ВКЭ=1В, ИК=1мА | 40 | ||||
| хФЭ3 | ВКЭ=1В, ИК=10мА | 80 | ||||
| хФЭ4 | ВКЭ=1В, ИК=150мА | 100 | 300 | |||
| хФЭ5 | ВКЭ=2В, ИК=500мА | 40 | ||||
|
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера |
(Сидеть) ВКЭ |
ИК=150мА, ИБ=15мА | 0,4 | В | ||
| ИК=500мА, ИБ=50мА | 0,75 | В | ||||
|
напряжение тока сатурации Основани-излучателя |
(Сидеть) ВБЭ |
ИК=150мА, ИБ=15мА | 0,95 | В | ||
| ИК=500мА, ИБ=50мА | 1,2 | В | ||||
| Частота перехода | фт | ВКЭ=10В, ИК=20мА, ф =100МХз | 250 | МХз | ||
| Время задержки | тд |
ВКК=30В, ВБЭ () =-2В ИК=150мА, ИБ1=15мА |
15 | нс | ||
| Время восхода | тр | 20 | нс | |||
| Продолжительность хранения | тс |
ВКК=30В, ИК=150мА ИБ1=ИБ2=15мА |
225 | нс | ||
| Время падения | тф | 60 | нс |
Измеренный под пульсированными условиями, ИМП ульс видтх=300μс, обязанность сикле≤2%.
Типичное Чарактериситикс
Размеры плана пакета
| Символ | Размеры в миллиметрах | Размеры в дюймах | ||
| Минута | Макс | Минута | Макс | |
| А | 0,900 | 1,150 | 0,035 | 0,045 |
| А1 | 0,000 | 0,100 | 0,000 | 0,004 |
| А2 | 0,900 | 1,050 | 0,035 | 0,041 |
| б | 0,300 | 0,500 | 0,012 | 0,020 |
| к | 0,080 | 0,150 | 0,003 | 0,006 |
| Д | 2,800 | 3,000 | 0,110 | 0,118 |
| Э | 1,200 | 1,400 | 0,047 | 0,055 |
| Э1 | 2,250 | 2,550 | 0,089 | 0,100 |
| е | 0,950 ТИПА | 0,037 ТИПА | ||
| е1 | 1,800 | 2,000 | 0,071 | 0,079 |
| Л | 0,550 РЭФ | 0,022 РЭФ | ||
| Л1 | 0,300 | 0,500 | 0,012 | 0,020 |
| θ | 0° | 8° | 0° | 8° |
Контактное лицо: David
