|
Подробная информация о продукте:
|
| ВКБО: | -400В | ВКЭО: | -400В |
|---|---|---|---|
| ВЭБО: | -5В | Название продукта: | тип триода полупроводника кремния |
| TJ: | 150Š | Транзистор Mosfet силы: | ТО-92 Пластмасс-помещают |
| Высокий свет: | транзистор пньп подсказки,транзисторы серии подсказки |
||
ТО-92 Пластмасс-помещают ТРАНЗИСТОР транзисторов А94 (ПНП)
Высокое пробивное напряжение
ОТМЕЧАТЬ
Код А94=Девисе
Твердое тело дот=Грен прибор литьевой массы, если никакой, нормальный прибор
З=Ранк хФЭ
ССС=Коде
УПОРЯДОЧЕНИЕ ИНФОРМАЦИИ
| Номер детали | Пакет | Способ уплотнения прокладками | Количество пакета |
| А94 | ТО-92 | Большая часть | 1000пкс/Баг |
| А94-ТА | ТО-92 | Лента | 2000пкс/Бокс |
МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ (т =25 Š если не указано иное)
| Символ | Параметр | Значение | Блок |
| ВКБО | Напряжение тока ектор-основания Колл | -400 | В |
| ВКЭО | Напряжение тока ектор-излучателя Колл | -400 | В |
| ВЭБО | Напряжение тока Излучател-основания | -5 | В |
| ИК | Течение ектор Колл - непрерывное | -0,2 | А |
| ИКМ | Пульсированное течение ектор Колл - | -0,3 | А |
| ПК | Диссипация силы ектор Колл | 625 | мВ |
| РθДжА | Восходящий поток теплого воздуха сопротивляется ансе от соединения к окружающему | 200 | ℃ /W |
| ТДж | Температура соединения | 150 | ℃ |
| Цтг | Температура хранения | -55~+150 | ℃ |
Животики =25 Š если не указано иное
| Параметр | Символ | Условия испытаний | Минута | Тип | Макс | Блок |
| Пробивное напряжение коллектора- база | В (БР) КБО | ИК=-100ΜА, Т.Е. =0 | -400 | В | ||
| Пробивное напряжение коллектор- эмиттера | ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР В (БР) | ИК=-1мА, ИБ=0 | -400 | В | ||
| пробивное напряжение Излучател-основания | В (БР) ЭБО | Т.Е. =-100ΜА, ИК=0 | -5 | В | ||
| Течение выключения сборника | ИКБО | ВКБ=-400В, Т.Е. =0 | -0,1 | μА | ||
| Течение выключения сборника | ИКЭО | ВКЭ=-400В, ИБ=0 | -5 | μА | ||
| Течение выключения излучателя | ИЭБО | ВЭБ=-4В, ИК=0 | -0,1 | μА | ||
|
Увеличение ДК настоящее |
хФЭ (1) | ВКЭ=-10В, ИК=-10мА | 80 | 300 | ||
| хФЭ (2) | ВКЭ=-10В, ИК=-1мА | 70 | ||||
| хФЭ (3) | ВКЭ=-10В, ИК=-100мА | 60 | ||||
| хФЭ (4) | ВКЭ=-10В, ИК=-50мА | 80 | ||||
|
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера |
(Сидеть) ВКЭ (1) | ИК=-10мА, ИБ=-1мА | -0,2 | В | ||
| (Сидеть) ВКЭ (2) | ИК=-50мА, ИБ=-5мА | -0,3 | В | |||
| напряжение тока сатурации Основани-излучателя | (Сидеть) ВБЭ | ИК=-10мА, ИБ=-1мА | -0,75 | В | ||
| Частота перехода | фт | ВКЭ=-20В, ИК=-10мА, ф=30МХз | 50 | МХз |
| РЯД | А | Б | К |
| РЯД | 80-100 | 100-200 | 200-300 |
Типичные характеристики
Размеры плана пакета
| Символ | Размеры в миллиметрах | Размеры в дюймах | ||
| Минута | Макс | Минута | Макс | |
| А | 3,300 | 3,700 | 0,130 | 0,146 |
| А1 | 1,100 | 1,400 | 0,043 | 0,055 |
| б | 0,380 | 0,550 | 0,015 | 0,022 |
| к | 0,360 | 0,510 | 0,014 | 0,020 |
| Д | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| Д1 | 3,430 | 0,135 | ||
| Э | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| е | 1,270 ТИП | 0,050 ТИПА | ||
| е1 | 2,440 | 2,640 | 0,096 | 0,104 |
| Л | 14,100 | 14,500 | 0,555 | 0,571 |
| 0 | 1,600 | 0,063 | ||
| х | 0,000 | 0,380 | 0,000 | 0,015 |
Контактное лицо: David
