|
Подробная информация о продукте:
|
| ВКБО: | 40V | ВКЭО: | 30В |
|---|---|---|---|
| ВЭБО: | 6v | Название продукта: | тип триода полупроводника кремния |
| IC: | 3A | Транзистор Mosfet силы: | ТО-92 Пластмасс-помещают |
| Высокий свет: | транзистор пньп подсказки,транзистор пньп наивысшей мощности |
||
ТО-92 Пластмасс-помещают ТРАНЗИСТОР транзисторов Д882С (НПН)
Диссипация силы
ОТМЕЧАТЬ
Код Д882=Девисе
Твердое тело дот=Грен прибор литьевой массы, если никакой, нормальный прибор
З=Ранк хФЭ, ССС=Коде
УПОРЯДОЧЕНИЕ ИНФОРМАЦИИ
| Номер детали | Пакет | Способ уплотнения прокладками | Количество пакета |
| Д882С | ТО-92 | Большая часть | 1000пкс/Баг |
| Д882С-ТА | ТО-92 | Лента | 2000пкс/Бокс |
МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ (т =25 Š если не указано иное)
| Символ | Метр Пара | Значение | Блок |
| ВКБО | Напряжение тока коллектора- база | 40 | В |
| ВКЭО | Напряжение тока коллектор- эмиттера | 30 | В |
| ВЭБО | Напряжение тока Излучател-основания | 6 | В |
| ИК | Течение сборника - непрерывное | 3 | А |
| ПД | Диссипация силы сборника | 625 | мВ |
| Р0 ДЖА | Восходящий поток теплого воздуха сопротивляется соединению ром ф ансе к окружающему | 200 | Š/В |
| Тдж | Температура соединения | 150 | Š |
| Цтг | Температура ораге Ст | -55 ~+150 | Š |
Животики =25 Š если не указано иное
| Параметр | Символ | Условия испытаний | Минута | Тип | Макс | Блок |
| Пробивное напряжение коллектора- база | В (БР) КБО | Ик = 100µА, Т.Е. =0 | 40 | В | ||
| Пробивное напряжение коллектор- эмиттера | ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР В (БР) | Ик = 10мА, ИБ=0 | 30 | В | ||
| пробивное напряжение Излучател-основания | В (БР) ЭБО | Т.Е. = 100µА, ИК=0 | 6 | В | ||
| Течение выключения сборника | ИКБО | ВКБ= 40В, Т.Е. =0 | 1 | μА | ||
| Течение выключения сборника | ИКЭО | ВКЭ= 30В, ИБ=0 | 10 | μА | ||
| Течение выключения излучателя | ИЭБО | ВЭБ= 6В, ИК=0 | 1 | μА | ||
| Увеличение ДК настоящее | хФЭ | ВКЭ=2В, ИК= 1А | 60 | 400 | ||
| Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера | (Сидеть) ВКЭ | ИК= 2А, ИБ= 0,2 а | 0,5 | В | ||
| напряжение тока сатурации Основани-излучателя | (Сидеть) ВБЭ | ИК= 2А, ИБ= 0,2 а | 1,5 | В | ||
| Частота перехода |
фт |
ВКЭ= 5В, Ик=0.1А ф =10МХз |
50 |
80 |
МХз |
| Ряд | Р | О | И | ГР |
| Ряд | 60-120 | 100-200 | 160-320 | 200-400 |
Типичные характеристики
Размеры плана пакета
| Символ | Размеры в миллиметрах | Размеры в дюймах | ||
| Минута | Макс | Минута | Макс | |
| А | 3,300 | 3,700 | 0,130 | 0,146 |
| А1 | 1,100 | 1,400 | 0,043 | 0,055 |
| б | 0,380 | 0,550 | 0,015 | 0,022 |
| к | 0,360 | 0,510 | 0,014 | 0,020 |
| Д | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| Д1 | 3,430 | 0,135 | ||
| Э | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| е | 1,270 ТИП | 0,050 ТИПА | ||
| е1 | 2,440 | 2,640 | 0,096 | 0,104 |
| Л | 14,100 | 14,500 | 0,555 | 0,571 |
| 0 | 1,600 | 0,063 | ||
| х | 0,000 | 0,380 | 0,000 | 0,015 |
Контактное лицо: David
