|
Подробная информация о продукте:
|
| ВКБО: | 40V | ВКЭО: | 20В |
|---|---|---|---|
| PD: | 625Mw | Название продукта: | тип триода полупроводника |
| Цтг: | -55 ~+150Š | Транзистор Mosfet силы: | ТО-92 Пластмасс-помещают |
| Высокий свет: | транзистор пньп подсказки,транзисторы серии подсказки |
||
ТО-92 Пластмасс-помещают ТРАНЗИСТОР транзисторов А94 (ПНП)
Увеличение ДК Ÿ высокое настоящее и большая настоящая возможность
ОТМЕЧАТЬ
Код М28С=Девисе
Твердое тело дот=Грен прибор литьевой массы,
если никакой, нормальный прибор
З=Ранк хФЭ, ССС=Коде
УПОРЯДОЧЕНИЕ ИНФОРМАЦИИ
| Номер детали | Пакет | Способ уплотнения прокладками | Количество пакета |
| М28С | ТО-92 | Большая часть | 1000пкс/Баг |
| М28С-ТА | ТО-92 | Лента | 2000пкс/Бокс |
МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ (т =25 Š если не указано иное)
| Символ | Метр Пара | Значение | Блок |
| ВКБО | Напряжение тока коллектора- база | 40 | В |
| ВКЭО | Напряжение тока коллектор- эмиттера | 20 | В |
| ВЭБО | Напряжение тока Излучател-основания | 6 | В |
| ИК | Течение сборника - непрерывное | 1 | А |
| ПД | Диссипация силы сборника | 625 | мВ |
| Р0 ДЖА | Восходящий поток теплого воздуха сопротивляется соединению ром ф ансе к окружающему | 200 | Š/В |
| Тдж | Температура соединения | 150 | Š |
| Цтг | Температура хранения | -55 ~+150 | Š |
Животики =25 Š если не указано иное
| Параметр | Символ | Условия испытаний | Минута | Тип | Макс | Блок |
| Пробивное напряжение коллектора- база | В (БР) КБО | ИК= 0.1мА, Т.Е. =0 | 40 | В | ||
| Пробивное напряжение коллектор- эмиттера | ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР В (БР) | ИК=1мА, ИБ=0 | 20 | В | ||
| пробивное напряжение Излучател-основания | В (БР) ЭБО | Т.Е. =0.1МА, ИК=0 | 6 | В | ||
| Течение выключения сборника | ИКБО | ВКБ=40В, Т.Е. =0 | 1 | µА | ||
| Течение выключения сборника | ИКЭО | ВКЭ=20В, ИБ=0 | 5 | µА | ||
| Течение выключения излучателя | ИЭБО | ВЭБ=5В, ИК=0 | 0,1 | µА | ||
|
Увеличение ДК настоящее |
хФЭ (1) | ВКЭ=1В, ИК=1мА | 290 | |||
| хФЭ (2) | ВКЭ=1В, ИК=100мА | 300 | 1000 | |||
| хФЭ (3) | ВКЭ=10В, ИК=300мА | 300 | ||||
| хФЭ (4) | ВКЭ=1В, ИК=500мА | 300 | ||||
| Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера | (Сидеть) ВКЭ | ИК=600мА, ИБ=20мА | 0,55 | В | ||
| Частота перехода | фт | ВКЭ=10В, Т.Е. =50мА, ф=30МХз | 100 | МХз |
| РЯД | Б | К | Д |
| РЯД | 300-550 | 500-700 | 650-1000 |
Размеры плана пакета
| Символ | Размеры в миллиметрах | Размеры в дюймах | ||
| Минута | Макс | Минута | Макс | |
| А | 3,300 | 3,700 | 0,130 | 0,146 |
| А1 | 1,100 | 1,400 | 0,043 | 0,055 |
| б | 0,380 | 0,550 | 0,015 | 0,022 |
| к | 0,360 | 0,510 | 0,014 | 0,020 |
| Д | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| Д1 | 3,430 | 0,135 | ||
| Э | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| е | 1,270 ТИП | 0,050 ТИПА | ||
| е1 | 2,440 | 2,640 | 0,096 | 0,104 |
| Л | 14,100 | 14,500 | 0,555 | 0,571 |
| 0 | 1,600 | 0,063 | ||
| х | 0,000 | 0,380 | 0,000 | 0,015 |
Контактное лицо: David
