|
Подробная информация о продукте:
|
| ПК: | 1.25W | Температура соединения: | ℃ 150 |
|---|---|---|---|
| Температура хранения: | -55-150℃ | Транзистор Mosfet силы: | ТО-251-3Л Пластмасс-помещают |
| Материал: | кремний | Тип: | Транзистор триода |
| Высокий свет: | транзистор пньп подсказки,транзистор пньп наивысшей мощности |
||
ТО-251-3Л Пластмасс-помещают ТРАНЗИСТОР транзисторов Д882 (НПН)
Диссипация силы
МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ (т =25 Š если не указано иное)
| Символ | Параметр | Значение | Блок |
| ВКБО | Напряжение тока коллектора- база | 40 | В |
| ВКЭО | Напряжение тока коллектор- эмиттера | 30 | В |
| ВЭБО | Напряжение тока Излучател-основания | 6 | В |
| ИК | Течение сборника - непрерывное | 3 | А |
| ПК | Диссипация силы сборника | 1,25 | В |
| ТДж | Температура соединения | 150 | ℃ |
| Цтг | Температура хранения | -55-150 | ℃ |
Животики =25 Š если не указано иное
| Параметр | Символ | Условия испытаний | Минута | Тип | Макс | Блок |
| Пробивное напряжение коллектора- база | В (БР) КБО | Ик = 100μА, Т.Е. =0 | 40 | В | ||
| Пробивное напряжение коллектор- эмиттера | ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР В (БР) | Ик = 10мА, ИБ=0 | 30 | В | ||
| пробивное напряжение Излучател-основания | В (БР) ЭБО | Т.Е. = 100μА, ИК=0 | 6 | В | ||
| Течение выключения сборника | ИКБО | ВКБ= 40 В, Т.Е. =0 | 1 | µА | ||
| Течение выключения сборника | ИКЭО | ВКЭ= 30 В, ИБ=0 | 10 | µА | ||
| Течение выключения излучателя | ИЭБО | ВЭБ= 6 В, ИК=0 | 1 | µА | ||
| Увеличение ДК настоящее | хФЭ | ВКЭ= 2 в, ИК= 1А | 60 | 400 | ||
| Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера | (Сидеть) ВКЭ | ИК= 2А, ИБ= 0,2 а | 0,5 | В | ||
| напряжение тока сатурации Основани-излучателя | (Сидеть) ВБЭ | ИК= 2А, ИБ= 0,2 а | 1,5 | В | ||
|
Частота перехода |
фт |
ВКЭ= 5В, ИК=0.1А ф =10МХз |
90 |
МХз |
| Ряд | Р | О | И | ГР |
| Ряд | 60-120 | 100-200 | 160-320 | 200-400 |
Типичные характеристики
Контактное лицо: David
