Главная страница ПродукцияТранзисторы силы подсказки

Материал кремния транзисторов силы Б772М подсказки ТО-251-3Л ПНП ВКЭО -30В

Сертификация
Китай Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Сертификаты
Китай Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Сертификаты
Просмотрения клиента
мы сотрудничество с Хуа Сюан Янг в большинстве должны к их профессионализму, их сильному ответу к изготовлению на заказ продуктов нам, поселению всех наших потребностей и, прежде всего, они обеспечат качественных сервисов.

—— -- Джейсон от Канады

Под рекомендацией моего друга, мы знаем о Хуа Сюан Янг, старшем специалисте в полупроводнике и индустрии электронных блоков, которая позволяла мы уменьшить наше драгоценное время и для того чтобы затеять попытку другие фабрики.

—— -- Виктор от России

Оставьте нам сообщение

Материал кремния транзисторов силы Б772М подсказки ТО-251-3Л ПНП ВКЭО -30В

Материал кремния транзисторов силы Б772М подсказки ТО-251-3Л ПНП ВКЭО -30В
Материал кремния транзисторов силы Б772М подсказки ТО-251-3Л ПНП ВКЭО -30В

Большие изображения :  Материал кремния транзисторов силы Б772М подсказки ТО-251-3Л ПНП ВКЭО -30В

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Шэньчжэнь Китай
Фирменное наименование: Hua Xuan Yang
Сертификация: RoHS、SGS
Номер модели: Б772М
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: 1000-2000 ПК
Цена: Negotiated
Упаковывая детали: Положенный в коробку
Время доставки: 1 до 2 недели
Условия оплаты: Соединение Л/К Т/Т западное
Поставка способности: 18,000,000ПКС/в день

Материал кремния транзисторов силы Б772М подсказки ТО-251-3Л ПНП ВКЭО -30В

описание
ВКБО: -40в ВКЭО: -30В
Температура хранения: -55-150℃ Транзистор Mosfet силы: ТО-251-3Л Пластмасс-помещают
Материал: кремний Тип: Транзистор триода
Высокий свет:

tip series transistors

,

high power pnp transistor

ТО-251-3Л Пластмасс-помещают ТРАНЗИСТОР транзисторов Б772М (ПНП)

 

 

ОСОБЕННОСТИ

 

Низкоскоростное переключение

 

 

 

МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ (т =25 Š если не указано иное)
 

Символ Параметр Значение Блок
ВКБО Напряжение тока коллектора- база -40 В
ВКЭО Напряжение тока коллектор- эмиттера -30 В
ВЭБО Напряжение тока Излучател-основания -6 В
ИК Течение сборника - непрерывное -3 А
ПК Диссипация силы сборника 1,25 В
РӨДЖА Термальное сопротивление, соединение к окружающему 100 ℃/В
Тдж Температура соединения 150
Цтг Температура хранения -55-150

 
 
 

 


ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

 

 

Животики =25 Š если не указано иное

Параметр Символ Условия испытаний Минута Тип Макс Блок
Пробивное напряжение коллектора- база В (БР) КБО ИК=-100μА, Т.Е. =0 -40     В
Пробивное напряжение коллектор- эмиттера ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР В (БР) ИК= -10МА, ИБ=0 -30     В
пробивное напряжение Излучател-основания В (БР) ЭБО Т.Е. = -100ΜА, ИК=0 -6     В
Течение выключения сборника ИКБО ВКБ= -40В, Т.Е. =0     -1 μА
Течение выключения сборника ИКЭО ВКЭ=-30В, ИБ=0     -10 μА
Течение выключения излучателя ИЭБО ВЭБ=-6В, ИК=0     -1 μА
Увеличение ДК настоящее хФЭ ВКЭ= -2В, ИК= -1А 60   400  
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера (Сидеть) ВКЭ ИК=-2А, ИБ= -0.2А     -0,5 В
напряжение тока сатурации Основани-излучателя (Сидеть) ВБЭ ИК=-2А, ИБ= -0.2А     -1,5 В

 

Частота перехода

фТ

ВКЭ= -5В, ИК=-0.1А

ф =10МХз

 

50

 

80

 

 

МХз

 
  

КЛАССИФИКАЦИЯ ФЭ х(2)

Ряд Р О И ГР
Ряд 60-120 100-200 160-320 200-400

 

 

 


Типичные характеристики

 

 
 Материал кремния транзисторов силы Б772М подсказки ТО-251-3Л ПНП ВКЭО -30В 0Материал кремния транзисторов силы Б772М подсказки ТО-251-3Л ПНП ВКЭО -30В 1Материал кремния транзисторов силы Б772М подсказки ТО-251-3Л ПНП ВКЭО -30В 2Материал кремния транзисторов силы Б772М подсказки ТО-251-3Л ПНП ВКЭО -30В 3

 

 

 

Символ Размеры в миллиметрах Размеры в дюймах
Минимальный. Макс. Минимальный. Макс.
А 2,200 2,380 0,087 0,094
А1 0,000 0,100 0,000 0,004
Б 0,800 1,400 0,031 0,055
б 0,710 0,810 0,028 0,032
к 0,460 0,560 0,018 0,022
к1 0,460 0,560 0,018 0,022
Д 6,500 6,700 0,256 0,264
Д1 5,130 5,460 0,202 0,215
Э 6,000 6,200 0,236 0,244
е 2,286 ТИП. 0,090 ТИПА.
е1 4,327 4,727 0,170 0,186
М 1.778РЭФ. 0.070РЭФ.
Н 0.762РЭФ. 0.018РЭФ.
Л 9,800 10,400 0,386 0,409
Л1 2.9РЭФ. 0.114РЭФ.
Л2 1,400 1,700 0,055 0,067
В 4,830 РЭФ. 0,190 РЭФ.
ĭ 1,100 1,300 0,043 0.0±1

 

 

 

Материал кремния транзисторов силы Б772М подсказки ТО-251-3Л ПНП ВКЭО -30В 4

 

Материал кремния транзисторов силы Б772М подсказки ТО-251-3Л ПНП ВКЭО -30В 5

Материал кремния транзисторов силы Б772М подсказки ТО-251-3Л ПНП ВКЭО -30В 6Материал кремния транзисторов силы Б772М подсказки ТО-251-3Л ПНП ВКЭО -30В 7

 

 


 
 

 

Контактная информация
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Контактное лицо: David

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты

Оставьте сообщение

Мы скоро тебе перезвоним!