Главная страница ПродукцияТранзисторы силы подсказки

Напряжение тока сатурации цепи ВКЭО 400В транзистора наивысшей мощности 3ДД13002Б низкое

Сертификация
Китай Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Сертификаты
Китай Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Сертификаты
Просмотрения клиента
мы сотрудничество с Хуа Сюан Янг в большинстве должны к их профессионализму, их сильному ответу к изготовлению на заказ продуктов нам, поселению всех наших потребностей и, прежде всего, они обеспечат качественных сервисов.

—— -- Джейсон от Канады

Под рекомендацией моего друга, мы знаем о Хуа Сюан Янг, старшем специалисте в полупроводнике и индустрии электронных блоков, которая позволяла мы уменьшить наше драгоценное время и для того чтобы затеять попытку другие фабрики.

—— -- Виктор от России

Оставьте нам сообщение

Напряжение тока сатурации цепи ВКЭО 400В транзистора наивысшей мощности 3ДД13002Б низкое

Напряжение тока сатурации цепи ВКЭО 400В транзистора наивысшей мощности 3ДД13002Б низкое
Напряжение тока сатурации цепи ВКЭО 400В транзистора наивысшей мощности 3ДД13002Б низкое

Большие изображения :  Напряжение тока сатурации цепи ВКЭО 400В транзистора наивысшей мощности 3ДД13002Б низкое

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Шэньчжэнь Китай
Фирменное наименование: Hua Xuan Yang
Сертификация: RoHS、SGS
Номер модели: 3ДД13002Б
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: 1000-2000 ПК
Цена: Negotiated
Упаковывая детали: Положенный в коробку
Время доставки: 1 до 2 недели
Условия оплаты: Соединение Л/К Т/Т западное
Поставка способности: 18,000,000ПКС/в день

Напряжение тока сатурации цепи ВКЭО 400В транзистора наивысшей мощности 3ДД13002Б низкое

описание
ВКБО: 600v ВКЭО: 400V
Напряжение тока коллектора- база: 6v Название продукта: тип триода полупроводника
Транзистор Mosfet силы: ТО-92 Пластмасс-помещают Тип: Транзистор триода
Высокий свет:

транзисторы серии подсказки

,

транзистор пньп наивысшей мощности

ТО-92 Пластмасс-помещают ТРАНЗИСТОР транзисторов 3ДД13002Б (НПН)

 

ОСОБЕННОСТЬ
 

Применения переключения силы

 

 

ОТМЕЧАТЬ

код 13002Б=Девисе

Твердое тело дот=Грен прибор литьевой массы, если никакой, нормальный прибор

ССС=Коде

 

Напряжение тока сатурации цепи ВКЭО 400В транзистора наивысшей мощности 3ДД13002Б низкое 0

 

 

УПОРЯДОЧЕНИЕ ИНФОРМАЦИИ

Номер детали Пакет Способ уплотнения прокладками Количество пакета
3ДД13002Б ТО-92 Большая часть 1000пкс/Баг
3ДД13002Б-ТА ТО-92 Лента 2000пкс/Бокс


 

 

 

 

МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ (т =25 Š если не указано иное)

 

Символ Параметр Значение Блок
ВКБО Напряжение тока коллектора- база 600 В
ВКЭО Напряжение тока коллектор- эмиттера 400 В
ВЭБО Напряжение тока Излучател-основания 6 В
ИК Течение сборника - непрерывное 0,8 А
ПК Диссипация силы сборника 0,9 В
ТДж Температура соединения 150
Цтг Температура хранения -55 | 150

 

 

 

 


ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

 

 

Животики =25 Š если не указано иное


 

 

Напряжение тока сатурации цепи ВКЭО 400В транзистора наивысшей мощности 3ДД13002Б низкое 1

Параметр

Символ Условия испытаний Минута Тип Макс

 

Напряжение тока сатурации цепи ВКЭО 400В транзистора наивысшей мощности 3ДД13002Б низкое 2

Блок

Пробивное напряжение коллектора- база В (БР) КБО ИК=100μА, Т.Е. =0 600     В
Пробивное напряжение коллектор- эмиттера ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР В (БР) ИК=1мА, ИБ=0 400     В
пробивное напряжение Излучател-основания В (БР) ЭБО Т.Е. = 100μА, ИК=0 6     В

 

Течение выключения сборника

ИКБО ВКБ= 600В, Т.Е. =0     100 µА
  ИКЭО ВКЭ= 400В, ИБ=0     100 µА
Течение выключения излучателя ИЭБО ВЭБ= 6 В, ИК=0     100 µА

 

Увеличение Дк к уррент

хФЭ1 ВКЭ= 10 в, ИК=200мА 9   40  
  хФЭ2 ВКЭ= 10 в, ИК=0.25мА 5      
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера (Сидеть) ВКЭ ИК=200мА, ИБ=40мА     0,5 В
напряжение тока сатурации Основани-излучателя (Сидеть) ВБЭ ИК=200мА, ИБ=40мА     1,1 В

 

Частота перехода

 

фт

ВКЭ=10В, ИК=100мА

ф =1МХз

 

5

   

 

МХз

Время падения тф

 

ИК=1А, ИБ1=-ИБ2=0.2А ВКК=100В

    0,5 µс
Продолжительность хранения тс       2,5 µс

 
  

КЛАССИФИКАЦИЯ ФЭ х(2)

Ряд 9-15 15-20 20-25 25-30 30-35 35-40

 

 

 

Типичные характеристики

Напряжение тока сатурации цепи ВКЭО 400В транзистора наивысшей мощности 3ДД13002Б низкое 3Напряжение тока сатурации цепи ВКЭО 400В транзистора наивысшей мощности 3ДД13002Б низкое 4Напряжение тока сатурации цепи ВКЭО 400В транзистора наивысшей мощности 3ДД13002Б низкое 5Напряжение тока сатурации цепи ВКЭО 400В транзистора наивысшей мощности 3ДД13002Б низкое 6

 

Размеры плана пакета ТО-92

 

Символ Размеры в миллиметрах Размеры в дюймах
  Минута Макс Минута Макс
А 3,300 3,700 0,130 0,146
А1 1,100 1,400 0,043 0,055
б 0,380 0,550 0,015 0,022
к 0,360 0,510 0,014 0,020
Д 4,300 4,700 0,169 0,185
Д1 3,430   0,135  
Э 4,300 4,700 0,169 0,185
е 1,270 ТИП 0,050 ТИПА
е1 2,440 2,640 0,096 0,104
Л 14,100 14,500 0,555 0,571
Φ   1,600   0,063
х 0,000 0,380 0,000 0,015

 

Контактная информация
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Контактное лицо: David

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты

Оставьте сообщение

Мы скоро тебе перезвоним!