|
Подробная информация о продукте:
|
ВКБО: | 600v | ВКЭО: | 400V |
---|---|---|---|
Напряжение тока коллектора- база: | 6v | Название продукта: | тип триода полупроводника |
Транзистор Mosfet силы: | ТО-92 Пластмасс-помещают | Тип: | Транзистор триода |
Высокий свет: | транзисторы серии подсказки,транзистор пньп наивысшей мощности |
ТО-92 Пластмасс-помещают ТРАНЗИСТОР транзисторов 3ДД13002Б (НПН)
Применения переключения силы
ОТМЕЧАТЬ
код 13002Б=Девисе
Твердое тело дот=Грен прибор литьевой массы, если никакой, нормальный прибор
ССС=Коде
УПОРЯДОЧЕНИЕ ИНФОРМАЦИИ
Номер детали | Пакет | Способ уплотнения прокладками | Количество пакета |
3ДД13002Б | ТО-92 | Большая часть | 1000пкс/Баг |
3ДД13002Б-ТА | ТО-92 | Лента | 2000пкс/Бокс |
МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ (т =25 Š если не указано иное)
Символ | Параметр | Значение | Блок |
ВКБО | Напряжение тока коллектора- база | 600 | В |
ВКЭО | Напряжение тока коллектор- эмиттера | 400 | В |
ВЭБО | Напряжение тока Излучател-основания | 6 | В |
ИК | Течение сборника - непрерывное | 0,8 | А |
ПК | Диссипация силы сборника | 0,9 | В |
ТДж | Температура соединения | 150 | ℃ |
Цтг | Температура хранения | -55 | 150 | ℃ |
Животики =25 Š если не указано иное
Параметр |
Символ | Условия испытаний | Минута | Тип | Макс |
Блок |
Пробивное напряжение коллектора- база | В (БР) КБО | ИК=100μА, Т.Е. =0 | 600 | В | ||
Пробивное напряжение коллектор- эмиттера | ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР В (БР) | ИК=1мА, ИБ=0 | 400 | В | ||
пробивное напряжение Излучател-основания | В (БР) ЭБО | Т.Е. = 100μА, ИК=0 | 6 | В | ||
Течение выключения сборника |
ИКБО | ВКБ= 600В, Т.Е. =0 | 100 | µА | ||
ИКЭО | ВКЭ= 400В, ИБ=0 | 100 | µА | |||
Течение выключения излучателя | ИЭБО | ВЭБ= 6 В, ИК=0 | 100 | µА | ||
Увеличение Дк к уррент |
хФЭ1 | ВКЭ= 10 в, ИК=200мА | 9 | 40 | ||
хФЭ2 | ВКЭ= 10 в, ИК=0.25мА | 5 | ||||
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера | (Сидеть) ВКЭ | ИК=200мА, ИБ=40мА | 0,5 | В | ||
напряжение тока сатурации Основани-излучателя | (Сидеть) ВБЭ | ИК=200мА, ИБ=40мА | 1,1 | В | ||
Частота перехода |
фт |
ВКЭ=10В, ИК=100мА ф =1МХз |
5 |
МХз |
||
Время падения | тф |
ИК=1А, ИБ1=-ИБ2=0.2А ВКК=100В |
0,5 | µс | ||
Продолжительность хранения | тс | 2,5 | µс |
Ряд | 9-15 | 15-20 | 20-25 | 25-30 | 30-35 | 35-40 |
Типичные характеристики
Размеры плана пакета ТО-92
Символ | Размеры в миллиметрах | Размеры в дюймах | ||
Минута | Макс | Минута | Макс | |
А | 3,300 | 3,700 | 0,130 | 0,146 |
А1 | 1,100 | 1,400 | 0,043 | 0,055 |
б | 0,380 | 0,550 | 0,015 | 0,022 |
к | 0,360 | 0,510 | 0,014 | 0,020 |
Д | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
Д1 | 3,430 | 0,135 | ||
Э | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
е | 1,270 ТИП | 0,050 ТИПА | ||
е1 | 2,440 | 2,640 | 0,096 | 0,104 |
Л | 14,100 | 14,500 | 0,555 | 0,571 |
Φ | 1,600 | 0,063 | ||
х | 0,000 | 0,380 | 0,000 | 0,015 |
Контактное лицо: David