Подробная информация о продукте:
|
Напряжение тока коллектора- база: | 700V | Напряжение тока коллектор- эмиттера: | 400V |
---|---|---|---|
напряжение тока Излучател-основания: | 9V | Название продукта: | тип триода полупроводника |
TJ: | 150℃ | Тип: | Транзистор триода |
Высокий свет: | транзисторы серии подсказки,транзистор пньп наивысшей мощности |
ТО-92 Пластмасс-помещают ТРАНЗИСТОР транзисторов 3ДД13001Б (НПН)
Применения переключения силы Ÿ
ОТМЕЧАТЬ
код 13003Б=Девисе
Твердое тело дот=Грен прибор литьевой массы, если никакой, нормальный прибор
ССС=Коде
УПОРЯДОЧЕНИЕ ИНФОРМАЦИИ
Номер детали | Пакет | Способ уплотнения прокладками | Количество пакета |
3ДД13003Б | ТО-92 | Большая часть | 1000пкс/Баг |
3ДД13003Б-ТА | ТО-92 | Лента | 2000пкс/Бокс |
МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ (т =25 Š если не указано иное)
Символ | Параметр | Значение | Блок |
В КБО | Напряжение тока коллектора- база | 700 | В |
В ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР | Напряжение тока коллектор- эмиттера | 400 | В |
В ЭБО | Напряжение тока Излучател-основания | 9 | В |
ИК | Течение сборника - непрерывное | 1,5 | А |
ПК | Диссипация силы сборника | 0,9 | В |
ТДж | Температура соединения | 150 | ℃ |
Цтг | Температура хранения | -55 ~150 | ℃ |
Животики =25 Š если не указано иное
Параметр | Символ | Условия испытаний | Минута | Тип | Макс | Блок |
Пробивное напряжение коллектора- база | В (БР) КБО | ИК= 1мА, Т.Е. =0 | 700 | В | ||
Пробивное напряжение коллектор- эмиттера | ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР В (БР) | ИК= 10мА, ИБ=0 | 400 | В | ||
пробивное напряжение Излучател-основания | В (БР) ЭБО | Т.Е. = 1мА, ИК=0 | 9 | В | ||
Течение выключения сборника | ИКБО | ВКБ= 700В, Т.Е. =0 | 100 | µА | ||
Течение выключения сборника | ИКЭО | ВКЭ= 400В, ИБ=0 | 50 | µА | ||
Течение выключения излучателя | ИЭБО | ВЭБ= 7В, ИК=0 | 10 | µА | ||
Увеличение ДК настоящее | хФЭ | ВКЭ= 10В, ИК= 0,4 а | 20 | 40 | ||
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера |
(Сидеть) ВКЭ 1 | ИК=1.5А, ИБ= 0.5А | 3 | В | ||
(Сидеть) ВКЭ 2 | ИК=0.5А, ИБ= 0.1А | 0,8 | В | |||
напряжение тока сатурации Основани-излучателя | (Сидеть) ВБЭ | ИК=0.5А, ИБ=0.1А | 1 | В | ||
Частота перехода | фт | ВКЭ=10В, ИК=100мА, ф =1МХз | 4 | МХз | ||
Время падения | тф | ИК=1А | 0,7 | µс | ||
Продолжительность хранения | тс | ИБ1=-ИБ2=0.2А | 4 | µс |
Ряд | ||||
Ряд | 20-25 | 25-30 | 30-35 | 35-40 |
Типичные характеристики
Размеры плана пакета ТО-92
Символ | Размеры в миллиметрах | Размеры в дюймах | ||
Минута | Макс | Минута | Макс | |
А | 3,300 | 3,700 | 0,130 | 0,146 |
А1 | 1,100 | 1,400 | 0,043 | 0,055 |
б | 0,380 | 0,550 | 0,015 | 0,022 |
к | 0,360 | 0,510 | 0,014 | 0,020 |
Д | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
Д1 | 3,430 | 0,135 | ||
Э | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
е | 1,270 ТИП | 0,050 ТИПА | ||
е1 | 2,440 | 2,640 | 0,096 | 0,104 |
Л | 14,100 | 14,500 | 0,555 | 0,571 |
Φ | 1,600 | 0,063 | ||
х | 0,000 | 0,380 | 0,000 | 0,015 |
Контактное лицо: David