|
Подробная информация о продукте:
|
| Напряжение тока коллектора- база: | 700V | Температура соединения: | ℃ 150 |
|---|---|---|---|
| напряжение тока Излучател-основания: | 9V | Название продукта: | тип триода полупроводника |
| Диссипация сборника: | 1.25W | Тип: | Транзистор триода |
| Высокий свет: | транзистор пньп подсказки,транзистор пньп наивысшей мощности |
||
ТО-263-3Л Пластмасс-помещают ТРАНЗИСТОР транзисторов 3ДД13005 (НПН)
Применения переключения силы
МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ (т =25 Š если не указано иное)
| Символ | Параметр | Значение | Блок |
| ВКБО | Напряжение тока коллектора- база | 700 | В |
| ВКЭО | Напряжение тока коллектор- эмиттера | 400 | В |
| ВЭБО | Напряжение тока Излучател-основания | 9 | В |
| ИК | Течение сборника - непрерывное | 1,5 | А |
| ПК | Диссипация сборника | 1,25 | В |
| ТДЖ, Цтг | Температура соединения и хранения | -55~+150 | ℃ |
Животики =25 Š если не указано иное
Животики =25 Š если не указано иное
| Параметр | Символ | Условия испытаний | Минута | Тип | Макс | Блок |
| Пробивное напряжение коллектора- база | В (БР) КБО | Ик= 1мА, ИЭ=0 | 700 | В | ||
| Пробивное напряжение коллектор- эмиттера | ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР В (БР) | Ик= 10 мам, ИБ=0 | 400 | В | ||
| пробивное напряжение Излучател-основания | В (БР) ЭБО | Т.Е. = 1мА, ИК=0 | 9 | В | ||
| Течение выключения сборника | ИКБО | ВКБ= 700В, Т.Е. =0 | 1 | мамы | ||
| Течение выключения сборника | ИКЭО | ВКЭ= 400В, ИБ=0 | 0,5 | мамы | ||
| Течение выключения излучателя | ИЭБО | ВЭБ= 9 В, ИК=0 | 1 | мамы | ||
|
Увеличение ДК настоящее |
хФЭ (1) | ВКЭ= 5 В, ИК= 0,5 А | 8 | 40 | ||
| хФЭ (2) | ВКЭ= 5 в, ИК= 1.5А | 5 | ||||
| Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера | (Сидеть) ВКЭ | ИК=1А, мамы ИБ= 250 | 0,6 | В | ||
| напряжение тока сатурации Основани-излучателя | (Сидеть) ВБЭ | ИК=1А, ИБ= 250мА | 1,2 | В | ||
| напряжение тока Основани-излучателя | ВБЭ | ИЭ= 2А | 3 | В | ||
|
Частота перехода |
фТ |
ВКЭ=10В, Ик=100мА ф =1МХз |
5 |
МХз |
||
| Время падения | тф | ИК=1А, ИБ1=-ИБ2=0.2А ВКК=100В | 0,5 | µс | ||
| Продолжительность хранения | тс | ИК=250мА | 2 | 4 | µс |
КЛАССИФИКАЦИЯ хФЭ1
| Ряд | |||||||
| Ряд | 8-10 | 10-15 | 15-20 | 20-25 | 25-30 | 30-35 | 35-40 |
КЛАССИФИКАЦИЯ тС
| Ряд | А1 | А2 | Б1 | Б2 |
| Ряд | 2-2.5 (μс) | 2.5-3 (μс) | 3-3.5 (μс) | 3.5-4 (μс) |
Размеры плана пакета ТО-92
| Символ | Размеры в миллиметрах | Размеры в дюймах | ||
| Минимальный. | Макс. | Минимальный. | Макс. | |
| А | 4,470 | 4,670 | 0,176 | 0,184 |
| А1 | 0,000 | 0,150 | 0,000 | 0,006 |
| Б | 1,120 | 1,420 | 0,044 | 0,056 |
| б | 0,710 | 0,910 | 0,028 | 0,036 |
| б1 | 1,170 | 1,370 | 0,046 | 0,054 |
| к | 0,310 | 0,530 | 0,012 | 0,021 |
| к1 | 1,170 | 1,370 | 0,046 | 0,054 |
| Д | 10,010 | 10,310 | 0,394 | 0,406 |
| Э | 8,500 | 8,900 | 0,335 | 0,350 |
| е | 2,540 ТИП. | 0,100 ТИПА. | ||
| е1 | 4,980 | 5,180 | 0,196 | 0,204 |
| Л | 14,940 | 15,500 | 0,588 | 0,610 |
| Л1 | 4,950 | 5,450 | 0,195 | 0,215 |
| Л2 | 2,340 | 2,740 | 0,092 | 0,108 |
| Φ | 0° | 8° | 0° | 8° |
| В | 5,600 РЭФ. | 0,220 РЭФ. | ||
Контактное лицо: David
