|
Подробная информация о продукте:
|
| Название продукта: | транзистор силы mosfet | ВДСС: | 6,0 а |
|---|---|---|---|
| Номер модели: | 8Х02ЭТС | Применение: | Управление силы |
| Функция: | Низкая обязанность ворот | Транзистор Mosfet силы: | СОТ-23-6Л Пластмасс-помещают |
| Высокий свет: | сильнотоковый переключатель мосфет,высоковольтный транзистор |
||
МОСФЭТ режима повышения 20В Н+Н-Чаннел
ОПИСАНИЕ
Выдвинутая 8Х02ЭТСузес технология канавы к
обеспечьте превосходный РДС (ДАЛЬШЕ), низкую обязанность ворот и
деятельность с напряжениями тока ворот как низкими как 2.5В.
ОБЩИЕ ОСОБЕННОСТИ
ВДС = 20В, ИД = 7А
8Х02ТС РДС (ДАЛЬШЕ) < 28m="">
РДС (ДАЛЬШЕ) < 26m="">
РДС (ДАЛЬШЕ) < 22m="">
РДС (ДАЛЬШЕ) < 20m="">
Оценка ЭСД: 2000В ХБМ
Применение
Предохранение от батареи
Управление силы переключателя нагрузки
Маркировка и упорядочение информации пакета
| ИД продукта | Пакет | Отмечать | Кты (ПКС) |
| 8Х02ЭТС | ТССОП-8 | 8Х02ЭТС ВВ ИИИИ | 5000/3000 |
АБСОЛЮТНЫЙ МАКСИМУМ ОЦЕНОК (в противном случае замеченного ТА=25℃уньлесс)
| Параметр | Символ | Предел | Блок |
| Напряжение тока Сток-источника | ВДС | 20 | В |
| Напряжение тока Ворот-источника | ВГС | ±12 | В |
| Стеките Куррент-Континуоус@ Настоящ-пульсировал (примечание 1) | ИД | 7 | В |
| Максимальная диссипация силы | ПД | 1,5 | В |
| Работая диапазон температур соединения и хранения | ТДЖ, ТСТГ | -55 до 150 | ℃ |
| Термальное сопротивление, Соединени-к-окружающее (примечание 2) | РθДжА | 83 | ℃/В |
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (в противном случае замеченные ТА=25℃уньлесс)
Контактное лицо: David
