Отправить запрос |
Главная страница Продукциятранзистор силы mosfet

10Г03С транзистор канала н + п, транзистор силы Мосфет электронный

Все продукты

транзистор силы mosfet

(118)

Транзисторы силы подсказки

(30)

Транзистор силы кремния

(19)

Двойной диод переключения

(15)

Транзистор влияния поля Мос

(29)

Удваивает - Мосфет канала

(10)

быстрый диод выпрямителя тока спасения

(6)

диод zener силы

(6)

выпрямитель по мостиковой схеме schottky

(10)

высоковольтный диод выпрямителя тока

(15)

Триод полупроводника

(9)

Стабилизатор ИК напряжения тока

(14)
Сертификация
Китай Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Сертификаты
Китай Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Сертификаты
Просмотрения клиента
мы сотрудничество с Хуа Сюан Янг в большинстве должны к их профессионализму, их сильному ответу к изготовлению на заказ продуктов нам, поселению всех наших потребностей и, прежде всего, они обеспечат качественных сервисов.

—— -- Джейсон от Канады

Под рекомендацией моего друга, мы знаем о Хуа Сюан Янг, старшем специалисте в полупроводнике и индустрии электронных блоков, которая позволяла мы уменьшить наше драгоценное время и для того чтобы затеять попытку другие фабрики.

—— -- Виктор от России

Оставьте нам сообщение

10Г03С транзистор канала н + п, транзистор силы Мосфет электронный

10Г03С транзистор канала н + п, транзистор силы Мосфет электронный
10Г03С транзистор канала н + п, транзистор силы Мосфет электронный

Большие изображения :  10Г03С транзистор канала н + п, транзистор силы Мосфет электронный

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Шэньчжэнь Китай
Фирменное наименование: Hua Xuan Yang
Сертификация: RoHS、SGS
Номер модели: 10Г03С
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: 1000-2000 ПК
Цена: Negotiated
Упаковывая детали: Положенный в коробку
Время доставки: 1 до 2 недели
Условия оплаты: Соединение Л/К Т/Т западное
Поставка способности: 18,000,000ПКС/в день
контакт

10Г03С транзистор канала н + п, транзистор силы Мосфет электронный

описание
Название продукта: транзистор силы mosfet Тип: Транзистор Mosfet
Номер модели: 10Г03С Температура соединения:: 150℃
Применение: Применение переключения силы Особенности: Неэтилированный продукт приобретен
Высокий свет:

транзистор мосфет канала н

,

высоковольтный транзистор

МОСФЭТ режима повышения 10Г03С 30В Н+П-Чаннел

 

 

Описание

Канава 10Г03С выдвинутая пользами

технология для того чтобы обеспечить превосходный рДС(ДАЛЬШЕ) и низкую обязанность ворот.

Комплементарные МОСФЭЦ могут быть использованы для того чтобы сформировать а

уровень перенес высокий бортовой переключатель, и для хозяина другого

применения

 

Общие особенности

Н-канал

ВДС = 30В, ИД =10А

РДС(ДАЛЬШЕ)< 16m=""> ГС=10В

П-канал

ВДС = -30В, ИД = -9А

РДС(ДАЛЬШЕ)< 37m=""> ГС=-10В

Наивысшая мощность и настоящая вручая возможность

Неэтилированный продукт приобретен

Поверхностный пакет держателя

 

Применение

Применение переключения силы ●

Цепи ● крепко переключенные и высокочастотные

Электропитание ● бесперебойное

 

 

Маркировка и упорядочение информации пакета

 

10Г03С транзистор канала н + п, транзистор силы Мосфет электронный 0

Абсолютный максимум оценок (в противном случае замеченные ТК=25℃уньлесс)
10Г03С транзистор канала н + п, транзистор силы Мосфет электронный 1
 
Характеристики Н-КХ электрические (в противном случае замеченное ТА=25℃уньлесс)

 

10Г03С транзистор канала н + п, транзистор силы Мосфет электронный 2

 

 

Характеристики П-КХ электрические (в противном случае замеченные ТА=25℃уньлесс)
 
 
10Г03С транзистор канала н + п, транзистор силы Мосфет электронный 3
Примечания:
1. Повторяющийся оценка: Ширина ИМПа ульс ограничиваемая максимальной температурой соединения.
2. Поверхность установленная на ФР4 доске, сек ≤ 10 т.
3. Тест ИМПа ульс: ≤ 300μс ширины ИМПа ульс, ≤ 2% круга обязаностей.
4. Гарантированный дизайн, не подчиненный к продукции
 
Характеристики Н-канала типичные
10Г03С транзистор канала н + п, транзистор силы Мосфет электронный 410Г03С транзистор канала н + п, транзистор силы Мосфет электронный 510Г03С транзистор канала н + п, транзистор силы Мосфет электронный 610Г03С транзистор канала н + п, транзистор силы Мосфет электронный 710Г03С транзистор канала н + п, транзистор силы Мосфет электронный 810Г03С транзистор канала н + п, транзистор силы Мосфет электронный 9
 
 
 
 
Характеристики П-канала типичные
10Г03С транзистор канала н + п, транзистор силы Мосфет электронный 1010Г03С транзистор канала н + п, транзистор силы Мосфет электронный 1110Г03С транзистор канала н + п, транзистор силы Мосфет электронный 1210Г03С транзистор канала н + п, транзистор силы Мосфет электронный 1310Г03С транзистор канала н + п, транзистор силы Мосфет электронный 1410Г03С транзистор канала н + п, транзистор силы Мосфет электронный 15
 
 

тег:

высоковольтный транзистор,

транзистор мосфет канала н,

сильнотоковый переключатель мосфет

Контактная информация
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Контактное лицо: David

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

около

транзистор силы mosfet

Транзистор уровня логики ХСИ4616, высоковольтный МОСФЭТ транзистора 30В комплементарный

Высокое напряжение ВДС 40В ВГС ±20в транзистора силы ±20в Мосфет ХСИ4616 ВГС

МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40В

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | Китай хороший качество транзистор силы mosfet поставщик. © 2019 - 2022 mosfet-powertransistor.com. All Rights Reserved.

Оставьте сообщение

Мы скоро тебе перезвоним!