Главная страница Продукциятранзистор силы mosfet

МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40В

Сертификация
Китай Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Сертификаты
Китай Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Сертификаты
Просмотрения клиента
мы сотрудничество с Хуа Сюан Янг в большинстве должны к их профессионализму, их сильному ответу к изготовлению на заказ продуктов нам, поселению всех наших потребностей и, прежде всего, они обеспечат качественных сервисов.

—— -- Джейсон от Канады

Под рекомендацией моего друга, мы знаем о Хуа Сюан Янг, старшем специалисте в полупроводнике и индустрии электронных блоков, которая позволяла мы уменьшить наше драгоценное время и для того чтобы затеять попытку другие фабрики.

—— -- Виктор от России

Оставьте нам сообщение

МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40В

МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40В
МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40В

Большие изображения :  МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40В

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Шэньчжэнь Китай
Фирменное наименование: Hua Xuan Yang
Сертификация: RoHS、SGS
Номер модели: 20Г04С
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: 1000-2000 ПК
Цена: Negotiated
Упаковывая детали: Положенный в коробку
Время доставки: 1 до 2 недели
Условия оплаты: Соединение Л/К Т/Т западное
Поставка способности: 18,000,000ПКС/в день

МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40В

описание
Название продукта: транзистор силы mosfet Тип: Транзистор Mosfet
Удостоверение личности продукта: 20Г04С ВДС: 40V
Особенности: Поверхностный пакет держателя ВГС: ±20V
Высокий свет:

n channel mosfet transistor

,

high voltage transistor

МОСФЭТ режима повышения 20Г04С 40В Н+П-Чаннел

 

Описание

Канава 20Г04С выдвинутая пользами

технология для того чтобы обеспечить превосходный рДС(ДАЛЬШЕ) и низкую обязанность ворот.

Комплементарные МОСФЭЦ могут быть использованы для того чтобы сформировать а

уровень перенес высокий бортовой переключатель, и для хозяина другого

применения

 

Общие особенности

Н-канал

ВДС =40В, ИД =20А

РДС(ДАЛЬШЕ)< 35m=""> ГС=10В

РДС(ДАЛЬШЕ)< 42m=""> ГС=4.5В

П-канал

ВДС =-40В, ИД = -18А

РДС(ДАЛЬШЕ)<40m> ГС=-10В

РДС(ДАЛЬШЕ)< 70m=""> ГС=-4.5В

Наивысшая мощность и настоящая вручая возможность

Неэтилированный продукт приобретен

Поверхностный пакет держателя

 

Применение

Применение переключения силы ●

Цепи ● крепко переключенные и высокочастотные

Электропитание ● бесперебойное

 

 

Маркировка и упорядочение информации пакета

 

МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40В 0

Абсолютный максимум оценок (в противном случае замеченные ТК=25℃уньлесс)
 
МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40В 1
Характеристики Н-КХ электрические (в противном случае замеченное ТА=25℃уньлесс)

 

МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40В 2

 

 

Характеристики П-КХ электрические (в противном случае замеченные ТА=25℃уньлесс)
 
МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40В 3
 
Примечания:
1. Повторяющийся оценка: Ширина ИМПа ульс ограничиваемая максимальной температурой соединения.
2. Поверхность установленная на ФР4 доске, сек ≤ 10 т.
3. Тест ИМПа ульс: ≤ 300μс ширины ИМПа ульс, ≤ 2% круга обязаностей.
4. Гарантированный дизайн, не подчиненный к продукции
 
Характеристики Н-канала типичные
 
МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40В 4МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40В 5МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40В 6МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40В 7МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40В 8МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40В 9
МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40В 10
 
 
 
 
Характеристики П-канала типичные
 
МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40В 11МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40В 12МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40В 13МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40В 14МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40В 15МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40В 16
 
 

Контактная информация
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Контактное лицо: David

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Оставьте сообщение

Мы скоро тебе перезвоним!