Главная страница Продукциятранзистор силы mosfet

МОСФЭТ РДС транзистора силы Мосфет ХСИ4606 30В комплементарный (ДАЛЬШЕ) < 30м

Сертификация
Китай Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Сертификаты
Китай Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Сертификаты
Просмотрения клиента
мы сотрудничество с Хуа Сюан Янг в большинстве должны к их профессионализму, их сильному ответу к изготовлению на заказ продуктов нам, поселению всех наших потребностей и, прежде всего, они обеспечат качественных сервисов.

—— -- Джейсон от Канады

Под рекомендацией моего друга, мы знаем о Хуа Сюан Янг, старшем специалисте в полупроводнике и индустрии электронных блоков, которая позволяла мы уменьшить наше драгоценное время и для того чтобы затеять попытку другие фабрики.

—— -- Виктор от России

Оставьте нам сообщение

МОСФЭТ РДС транзистора силы Мосфет ХСИ4606 30В комплементарный (ДАЛЬШЕ) < 30м

МОСФЭТ РДС транзистора силы Мосфет ХСИ4606 30В комплементарный (ДАЛЬШЕ) &lt; 30м
МОСФЭТ РДС транзистора силы Мосфет ХСИ4606 30В комплементарный (ДАЛЬШЕ) &lt; 30м

Большие изображения :  МОСФЭТ РДС транзистора силы Мосфет ХСИ4606 30В комплементарный (ДАЛЬШЕ) < 30м

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Шэньчжэнь Китай
Фирменное наименование: Hua Xuan Yang
Сертификация: RoHS、SGS
Номер модели: ХСИ4606
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: 1000-2000 ПК
Цена: Negotiated
Упаковывая детали: Положенный в коробку
Время доставки: 1 до 2 недели
Условия оплаты: Соединение Л/К Т/Т западное
Поставка способности: 18,000,000ПКС/в день

МОСФЭТ РДС транзистора силы Мосфет ХСИ4606 30В комплементарный (ДАЛЬШЕ) < 30м

описание
Название продукта: транзистор силы mosfet ВДС: 30В
РДС (ДАЛЬШЕ): < 30m=""> Номер модели ВДС: ХСИ4606
Особенности: Поверхностный пакет держателя Случае: Лента/поднос/вьюрок
Высокий свет:

транзистор мосфет канала н

,

сильнотоковый переключатель мосфет

МОСФЭТ ХСИ4606 30В комплементарный

 

 

Описание

 

Выдвинутые пользы ХСИ4606 вскапывают течнологыМОСФЭЦ для того чтобы обеспечить превосходный РДС (ДАЛЬШЕ) и низкое гатечарге. Комплементарные МОСФЭЦ могут быть используемым тоформ переключатель перенесенный уровнем высокий бортовой, и для применений офотер хозяина.

 

 

МОСФЭТ РДС транзистора силы Мосфет ХСИ4606 30В комплементарный (ДАЛЬШЕ) < 30м 0

 

 

Характеристики Н-КХ электрические (в противном случае замеченные ТА=25℃уньлесс)

 

МОСФЭТ РДС транзистора силы Мосфет ХСИ4606 30В комплементарный (ДАЛЬШЕ) < 30м 1

 

А. Значение θДЖА р измерено с прибором установленным на доске 1ин2 ФР-4 с 2оз. Омедняйте, в неподвижной окружающей среде воздуха с Та =25°К.

значение в любом, который дали применении зависит от дизайна доски потребителя специфического.

Б. Диссипация силы пд основана на тдж(МАКСЕ) =150°К, используя сопротивление ≤ 10с соединени-к-окружающее термальное. К. повторяющийся оценка, ширина ИМПа ульс ограничиваемая оценками температуры соединения тдж(МАКСА) =150°К. основана на низкочастотном и кругах обязаностей для того чтобы держать инитялТДЖ=25°К.

Д. ΘДЖА р сумма термального импеданса от соединения для того чтобы привестиθДЖЛ р и привести к окружающему.

Э. Статические характеристики в диаграммах 1 до 6 получены используя <300>

Ф. Эти кривые основаны на соединени-к-окружающем термальном импедансе который измерен с прибором установленным на доске 1ин2 ФР-4 с 2оз. Омедняйте, принимающ что максимальная температура соединения тдж(МАКСА) =150°К. кривая СОА обеспечивает одиночную оценку ИМПа ульс.

 

 

Н-канал: ТИПИЧНАЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ И ТЕРМАЛЬНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА
 
МОСФЭТ РДС транзистора силы Мосфет ХСИ4606 30В комплементарный (ДАЛЬШЕ) < 30м 2МОСФЭТ РДС транзистора силы Мосфет ХСИ4606 30В комплементарный (ДАЛЬШЕ) < 30м 3МОСФЭТ РДС транзистора силы Мосфет ХСИ4606 30В комплементарный (ДАЛЬШЕ) < 30м 4МОСФЭТ РДС транзистора силы Мосфет ХСИ4606 30В комплементарный (ДАЛЬШЕ) < 30м 5МОСФЭТ РДС транзистора силы Мосфет ХСИ4606 30В комплементарный (ДАЛЬШЕ) < 30м 6МОСФЭТ РДС транзистора силы Мосфет ХСИ4606 30В комплементарный (ДАЛЬШЕ) < 30м 7МОСФЭТ РДС транзистора силы Мосфет ХСИ4606 30В комплементарный (ДАЛЬШЕ) < 30м 8МОСФЭТ РДС транзистора силы Мосфет ХСИ4606 30В комплементарный (ДАЛЬШЕ) < 30м 9
 
 
Характеристики П-канала электрические (ТДЖ=25°К если не указано иное)
 
МОСФЭТ РДС транзистора силы Мосфет ХСИ4606 30В комплементарный (ДАЛЬШЕ) < 30м 10
 
А. Значение РθДжА измерено с прибором установленным на доске 1ин2 ФР-4 с 2оз. Омедняйте, в неподвижной окружающей среде воздуха с ЖИВОТИКАМИ =25°К.
значение в любом, который дали применении зависит от дизайна доски потребителя специфического.
Б. ПД диссипации силы основан на ТДЖ (МАКСЕ) =150°К, используя сопротивление ≤ 10с соединени-к-окружающее термальное.
К. повторяющийся оценка, ширина ИМПа ульс ограничиваемая оценками температуры соединения ТДЖ (МАКСА) =150°К. основана на низкочастотном и кругах обязаностей для того чтобы держать
инитялТДж=25°К.
Д. РθДжА сумма термального импеданса от соединения для того чтобы привести РθДжЛ и привести к окружающему.
Э. Статические характеристики в диаграммах 1 до 6 получены используя <300>
Ф. Эти кривые основаны на соединени-к-окружающем термальном импедансе которым измеряет с прибором установленным на доске 1ин2 ФР-4 с
2оз. Омедняйте, принимающ что максимальная температура соединения ТДЖ (МАКСА) =150°К. кривая СОА обеспечивает одиночную оценку ИМПа ульс.
 
 
ЭТОТ ПРОДУКТ БЫЛ КОНСТРУИРОВАН И БЫЛ КВАЛИФИЦИРОВАН ДЛЯ ПОТРЕБИТЕЛЬСКОГО РЫНКА. НЕ УТВЕРЖДЕНЫ ПРИМЕНЕНИЯ ИЛИ ПОЛЬЗЫ КАК КРИТИКАЛКОМПОНЭНТС В ПРИБОРАХ ИЛИ СИСТЕМАХ ИСКУССТВЕННОГО ЖИЗНЕОБЕСПЕЧЕНИЯ. АОС НЕ ПРИНИМАЕТ НИКАКОЙ ПАССИВ АРИСИНОУТ ТАКИХ ПРИМЕНЕНИЙ ИЛИ ПОЛЬЗ СВОИХ ПРОДУКТОВ. АОС РЕЗЕРВИРУЕТ ПРАВО УЛУЧШИТЬ ОФОРМЛЕНИЕ ИЗДЕЛИЯ, ФУНКЦИИ И НАДЕЖНОСТЬ БЕЗ ПРЕДВАРИТЕЛЬНОГО УВЕДОМЛЕНИЯ.
 
 
П-канал: ТИПИЧНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ТЕРМАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
 
 
МОСФЭТ РДС транзистора силы Мосфет ХСИ4606 30В комплементарный (ДАЛЬШЕ) < 30м 11МОСФЭТ РДС транзистора силы Мосфет ХСИ4606 30В комплементарный (ДАЛЬШЕ) < 30м 12МОСФЭТ РДС транзистора силы Мосфет ХСИ4606 30В комплементарный (ДАЛЬШЕ) < 30м 13МОСФЭТ РДС транзистора силы Мосфет ХСИ4606 30В комплементарный (ДАЛЬШЕ) < 30м 14МОСФЭТ РДС транзистора силы Мосфет ХСИ4606 30В комплементарный (ДАЛЬШЕ) < 30м 15МОСФЭТ РДС транзистора силы Мосфет ХСИ4606 30В комплементарный (ДАЛЬШЕ) < 30м 16
 
 
 
 
 

Контактная информация
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Контактное лицо: David

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Оставьте сообщение

Мы скоро тебе перезвоним!