Главная страница Продукциятранзистор силы mosfet

Тип высокая эффективность держателя поверхности транзистора силы Мосфет ВСТ2078 

Сертификация
Китай Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Сертификаты
Китай Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Сертификаты
Просмотрения клиента
мы сотрудничество с Хуа Сюан Янг в большинстве должны к их профессионализму, их сильному ответу к изготовлению на заказ продуктов нам, поселению всех наших потребностей и, прежде всего, они обеспечат качественных сервисов.

—— -- Джейсон от Канады

Под рекомендацией моего друга, мы знаем о Хуа Сюан Янг, старшем специалисте в полупроводнике и индустрии электронных блоков, которая позволяла мы уменьшить наше драгоценное время и для того чтобы затеять попытку другие фабрики.

—— -- Виктор от России

Оставьте нам сообщение

Тип высокая эффективность держателя поверхности транзистора силы Мосфет ВСТ2078 

Тип высокая эффективность держателя поверхности транзистора силы Мосфет ВСТ2078 
Тип высокая эффективность держателя поверхности транзистора силы Мосфет ВСТ2078 

Большие изображения :  Тип высокая эффективность держателя поверхности транзистора силы Мосфет ВСТ2078 

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Шэньчжэнь Китай
Фирменное наименование: Hua Xuan Yang
Сертификация: RoHS、SGS
Номер модели: ВСТ2078
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: 1000-2000 ПК
Цена: Negotiated
Упаковывая детали: Положенный в коробку
Время доставки: 1 до 2 недели
Условия оплаты: Соединение Л/К Т/Т западное
Поставка способности: 18,000,000ПКС/в день

Тип высокая эффективность держателя поверхности транзистора силы Мосфет ВСТ2078 

описание
Название продукта: транзистор силы mosfet Особенности: Поверхностный пакет держателя
РДСОН: 30мΩ Номер модели: ВСТ2078
Случае: Лента/поднос/вьюрок
Высокий свет:

n channel mosfet transistor

,

high current mosfet switch

МОСФЭТ Н&П-канала ВСТ2078

 

Описание

 

ВСТ2078 канава высокого класса исполнения

МОСФЭЦ Н-ч и П-ч с весьма высокой клеткой

плотность, которая обеспечивают превосходное РДСОН и стробируют

поручите для большего части из небольшого переключения силы и

нагрузите применения переключателя.

 

Встреча ВСТ2078 РоХС и зеленый продукт

требование с полной одобренной надежностью функции.

 

 

 

Применения

 

  • Высокочастотная Пункт--нагрузка одновременный с
  • Небольшое переключение силы для МБ/НБ/УМПК/ВГА
  • Электрическая система сети ДК-ДК
  • Переключатель нагрузки

 

Особенности
  • Предварительная высокая технология канавы плотности клеток
  • обязанность ворот з супер низкая
  • спад влияния з превосходный Кдв/дт
  • прибор зеленого цвета з доступный

 

Абсолютный максимум оценок

 

Тип высокая эффективность держателя поверхности транзистора силы Мосфет ВСТ2078  0

 

 

Тепловые данные
Тип высокая эффективность держателя поверхности транзистора силы Мосфет ВСТ2078  1
 
Характеристики Н-канала электрические (℃ ТДЖ=25, если не указано иное)
Тип высокая эффективность держателя поверхности транзистора силы Мосфет ВСТ2078  2
 
 
Характеристики диода тела Сток-источника
 
Тип высокая эффективность держателя поверхности транзистора силы Мосфет ВСТ2078  3
 
 
Примечание:
1. Данные испытали поверхностью установленной на 1 доске инч2 ФР-4 с медью 2ОЗ.
2. Данные испытали пульсированный, ≦ 300ус ширины ИМПа ульс, ≦ 2% круга обязаностей
3. Диссипация силы ограничена температурой соединения 150℃
4. Данные теоретически это же какое ИД и ИДМ, в реальных применениях, должны быть ограничены диссипацией полной силы.
 
 
Характеристики П-канала электрические (℃ ТДЖ=25, если не указано иное)
 
 
Тип высокая эффективность держателя поверхности транзистора силы Мосфет ВСТ2078  4
 
 
Характеристики диода тела Сток-источника
 
Тип высокая эффективность держателя поверхности транзистора силы Мосфет ВСТ2078  5
 
 
Примечание:
1. Данные испытали поверхностью установленной на 1 инч2
Доска ФР-4 с медью 2ОЗ.
2. Данные испытали пульсированный, ≦ 300ус ширины ИМПа ульс, ≦ 2% круга обязаностей
3. Диссипация силы ограничена данными по температуры соединения 150℃ 4.Тхэ теоретически это же какое ИД и ИДМ, в реальных применениях, должны быть ограничены диссипацией полной силы.
 
 
Характеристики Н-канала типичные
 
Тип высокая эффективность держателя поверхности транзистора силы Мосфет ВСТ2078  6
Тип высокая эффективность держателя поверхности транзистора силы Мосфет ВСТ2078  7Тип высокая эффективность держателя поверхности транзистора силы Мосфет ВСТ2078  8Тип высокая эффективность держателя поверхности транзистора силы Мосфет ВСТ2078  9
 
 
Характеристики П-канала типичные
 
Тип высокая эффективность держателя поверхности транзистора силы Мосфет ВСТ2078  10Тип высокая эффективность держателя поверхности транзистора силы Мосфет ВСТ2078  11
Тип высокая эффективность держателя поверхности транзистора силы Мосфет ВСТ2078  12Тип высокая эффективность держателя поверхности транзистора силы Мосфет ВСТ2078  13
 
 
 

 

Контактная информация
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Контактное лицо: David

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Оставьте сообщение

Мы скоро тебе перезвоним!