Главная страница Продукциятранзистор силы mosfet

Обязанность ворот МОСФЭТ канала транзистора силы Н/П Мосфет кремния ВСФ6012 низкая

Сертификация
Китай Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Сертификаты
Китай Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Сертификаты
Просмотрения клиента
мы сотрудничество с Хуа Сюан Янг в большинстве должны к их профессионализму, их сильному ответу к изготовлению на заказ продуктов нам, поселению всех наших потребностей и, прежде всего, они обеспечат качественных сервисов.

—— -- Джейсон от Канады

Под рекомендацией моего друга, мы знаем о Хуа Сюан Янг, старшем специалисте в полупроводнике и индустрии электронных блоков, которая позволяла мы уменьшить наше драгоценное время и для того чтобы затеять попытку другие фабрики.

—— -- Виктор от России

Оставьте нам сообщение

Обязанность ворот МОСФЭТ канала транзистора силы Н/П Мосфет кремния ВСФ6012 низкая

Обязанность ворот МОСФЭТ канала транзистора силы Н/П Мосфет кремния ВСФ6012 низкая
Обязанность ворот МОСФЭТ канала транзистора силы Н/П Мосфет кремния ВСФ6012 низкая

Большие изображения :  Обязанность ворот МОСФЭТ канала транзистора силы Н/П Мосфет кремния ВСФ6012 низкая

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Шэньчжэнь Китай
Фирменное наименование: Hua Xuan Yang
Сертификация: RoHS、SGS
Номер модели: ВСФ6012.
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: 1000-2000 ПК
Цена: Negotiated
Упаковывая детали: Положенный в коробку
Время доставки: 1 до 2 недели
Условия оплаты: Соединение Л/К Т/Т западное
Поставка способности: 18,000,000ПКС/в день

Обязанность ворот МОСФЭТ канала транзистора силы Н/П Мосфет кремния ВСФ6012 низкая

описание
Название продукта: транзистор силы mosfet Температура соединения:: 150℃
Материал: кремний Номер модели: ВСФ6012
Случае: Лента/поднос/вьюрок Тип: Транзистор Mosfet
Высокий свет:

транзистор мосфет канала н

,

высоковольтный транзистор

КМ4803Д Н-Ч и МОСФЭТ П-канала
 

 

Описание

 

ВСФ6012 высокий класс исполнения

МОСФЭТ Н-ч и П-ч канавы с крайностью

высокая плотность клеток, которая обеспечивают превосходное

РДСОН и ворота поручают для большего части из

одновременные применения конвертера самца оленя.

 

Встреча ВСФ6012 РоХС и зеленый цвет

Требование к продукта, 100% ЭАС

гарантированный с полной надежностью функции

одобренный.

 

 

Особенности
 
выдвинутая з высокая технология канавы плотности клеток
обязанность ворот з супер низкая
спад влияния з превосходный КдВ/дт
з гарантированное 100% ЭАС
прибор зеленого цвета з доступный

 

 

Применения

 

  • конвертер самца оленя высокочастотной Пункт--нагрузки з одновременный для МБ/НБ/УМПК/ВГА
  • электрическая система сети ДК-ДК з
  • инвертор бак-лигхт з ККФЛ

 

 

Продукт Суммеры
Обязанность ворот МОСФЭТ канала транзистора силы Н/П Мосфет кремния ВСФ6012 низкая 0
 
 
 
Абсолютный максимум оценок

 

Обязанность ворот МОСФЭТ канала транзистора силы Н/П Мосфет кремния ВСФ6012 низкая 1

 

 

Тепловые данные
Обязанность ворот МОСФЭТ канала транзистора силы Н/П Мосфет кремния ВСФ6012 низкая 2
 
 
Характеристики Н-канала электрические (℃ ТДЖ=25, если не указано иное)
 
 Обязанность ворот МОСФЭТ канала транзистора силы Н/П Мосфет кремния ВСФ6012 низкая 3
 
 
 
Гарантированные характеристики лавины
 
 
Обязанность ворот МОСФЭТ канала транзистора силы Н/П Мосфет кремния ВСФ6012 низкая 4
 
 
Характеристики диода
 
Обязанность ворот МОСФЭТ канала транзистора силы Н/П Мосфет кремния ВСФ6012 низкая 5
 
 
Примечание:
1. Данные испытали поверхностью установленной на 1 доске инч2 ФР-4 с медью 2ОЗ.
2. Данные испытали пульсированный, ≦ 300ус ширины ИМПа ульс, ≦ 2% круга обязаностей
3. Диссипация силы ограничена температурой соединения 150℃
4. Данные теоретически это же какое ИД и ИДМ, в реальных применениях, должны быть ограничены диссипацией полной силы.
 
 
Характеристики П-канала электрические (℃ ТДЖ=25, если не указано иное)
 
Обязанность ворот МОСФЭТ канала транзистора силы Н/П Мосфет кремния ВСФ6012 низкая 6
 
Гарантированные характеристики лавины
Обязанность ворот МОСФЭТ канала транзистора силы Н/П Мосфет кремния ВСФ6012 низкая 7
 
 
Характеристики диода
Обязанность ворот МОСФЭТ канала транзистора силы Н/П Мосфет кремния ВСФ6012 низкая 8
 
 
Примечание:
1. Данные испытали поверхностью установленной на 1 инч2
Доска ФР-4 с медью 2ОЗ.
2. Данные испытали пульсированный, ≦ 300ус ширины ИМПа ульс, ≦ 2% круга обязаностей
3. Диссипация силы ограничена данными по температуры соединения 150℃ 4.Тхэ теоретически это же какое ИД и ИДМ, в реальных применениях, должны быть ограничены диссипацией полной силы.
 
 
Характеристики Н-канала типичные
 
Обязанность ворот МОСФЭТ канала транзистора силы Н/П Мосфет кремния ВСФ6012 низкая 9Обязанность ворот МОСФЭТ канала транзистора силы Н/П Мосфет кремния ВСФ6012 низкая 10Обязанность ворот МОСФЭТ канала транзистора силы Н/П Мосфет кремния ВСФ6012 низкая 11Обязанность ворот МОСФЭТ канала транзистора силы Н/П Мосфет кремния ВСФ6012 низкая 12
 
 
 
Характеристики П-канала типичные
 
Обязанность ворот МОСФЭТ канала транзистора силы Н/П Мосфет кремния ВСФ6012 низкая 13Обязанность ворот МОСФЭТ канала транзистора силы Н/П Мосфет кремния ВСФ6012 низкая 14Обязанность ворот МОСФЭТ канала транзистора силы Н/П Мосфет кремния ВСФ6012 низкая 15Обязанность ворот МОСФЭТ канала транзистора силы Н/П Мосфет кремния ВСФ6012 низкая 16
 
 

Контактная информация
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Контактное лицо: David

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Оставьте сообщение

Мы скоро тебе перезвоним!