Главная страница ПродукцияТранзистор влияния поля Мос

материал кремния АлфаСГТ ХСИ4264 канала н транзистора влияния поля Мос 60В

Сертификация
Китай Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Сертификаты
Китай Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Сертификаты
Просмотрения клиента
мы сотрудничество с Хуа Сюан Янг в большинстве должны к их профессионализму, их сильному ответу к изготовлению на заказ продуктов нам, поселению всех наших потребностей и, прежде всего, они обеспечат качественных сервисов.

—— -- Джейсон от Канады

Под рекомендацией моего друга, мы знаем о Хуа Сюан Янг, старшем специалисте в полупроводнике и индустрии электронных блоков, которая позволяла мы уменьшить наше драгоценное время и для того чтобы затеять попытку другие фабрики.

—— -- Виктор от России

Оставьте нам сообщение

материал кремния АлфаСГТ ХСИ4264 канала н транзистора влияния поля Мос 60В

материал кремния АлфаСГТ ХСИ4264 канала н транзистора влияния поля Мос 60В
материал кремния АлфаСГТ ХСИ4264 канала н транзистора влияния поля Мос 60В

Большие изображения :  материал кремния АлфаСГТ ХСИ4264 канала н транзистора влияния поля Мос 60В

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Шэньчжэнь Китай
Фирменное наименование: Hua Xuan Yang
Сертификация: RoHS、SGS
Номер модели: ХСИ4264
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: 1000-2000 ПК
Цена: Negotiated
Упаковывая детали: Положенный в коробку
Время доставки: 1 до 2 недели
Условия оплаты: Соединение Л/К Т/Т западное
Поставка способности: 18,000,000ПКС/в день

материал кремния АлфаСГТ ХСИ4264 канала н транзистора влияния поля Мос 60В

описание
Название продукта: транзистор силы mosfet Температура соединения:: 150℃
Материал: кремний Номер модели: ХСИ4264
Случае: Лента/поднос/вьюрок Тип: Транзистор Mosfet
Высокий свет:

logic mosfet switch

,

mosfet driver using transistor

60В Н-канал АлфаСГТ ХСИ4264
 

 

Сводка продукта

 

 

ВДС 60В
ИД (на ВГС=10В) 13.5А
РДС (ДАЛЬШЕ) (на ВГС=10В) < 9="">
РДС (ДАЛЬШЕ) (на ВГС=4.5В) < 13="">

 

 

Общее описание

 

Технология АлфаСГТТМ силы канавы

Низкий рДС(ДАЛЬШЕ)

Низкая обязанность ворот

 

 

Применения

 

Электропитание высокой эффективности

Вторичный выпрямитель тока сынкронус

 

 

материал кремния АлфаСГТ ХСИ4264 канала н транзистора влияния поля Мос 60В 0

 

Электрические характеристики (т =25°К если не указано иное)

материал кремния АлфаСГТ ХСИ4264 канала н транзистора влияния поля Мос 60В 1

 

 

А. Значение θДЖА р измерено с прибором установленным на доске 1ин2 ФР-4 с 2оз. Омедняйте, в неподвижной окружающей среде воздуха с Та =25°К.

значение в любом, который дали применении зависит от дизайна доски потребителя специфического.

Б. Диссипация силы пд основана на тдж(МАКСЕ) =150°К, используя сопротивление ≤ 10с соединени-к-окружающее термальное.

К. повторяющийся оценка, ширина ИМПа ульс ограничиваемая оценками температуры соединения тдж(МАКСА) =150°К. основана на низкочастотном и кругах обязаностей для того чтобы держать

инитялТ =25°К.

Д. ΘДЖА р сумма термального импеданса от соединения для того чтобы привестиθДЖЛ р и привести к окружающему.

Э. Статические характеристики в диаграммах 1 до 6 получены используя <300>

Ф. Эти кривые основаны на соединени-к-окружающем термальном импедансе которым измеряет с прибором установленным на доске 1ин2 ФР-4 с

2оз. Омедняйте, принимающ что максимальная температура соединения тдж(МАКСА) =150°К. кривая СОА обеспечивает одиночную оценку ИМПа ульс.

Г. Круг обязаностей 5% шипа максимальное, ограниченный температурой соединения ТДЖ (МАКСОМ) =125°К.

 

ТИПИЧНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ТЕРМАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

 

материал кремния АлфаСГТ ХСИ4264 канала н транзистора влияния поля Мос 60В 2материал кремния АлфаСГТ ХСИ4264 канала н транзистора влияния поля Мос 60В 3материал кремния АлфаСГТ ХСИ4264 канала н транзистора влияния поля Мос 60В 4материал кремния АлфаСГТ ХСИ4264 канала н транзистора влияния поля Мос 60В 5материал кремния АлфаСГТ ХСИ4264 канала н транзистора влияния поля Мос 60В 6материал кремния АлфаСГТ ХСИ4264 канала н транзистора влияния поля Мос 60В 7

материал кремния АлфаСГТ ХСИ4264 канала н транзистора влияния поля Мос 60В 8

Контактная информация
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Контактное лицо: David

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты

Оставьте сообщение

Мы скоро тебе перезвоним!