Главная страница ПродукцияТранзистор влияния поля Мос

Обязанность ворот транзистора влияния поля Мос ХСИ4404 низкая для переключая применения

Сертификация
Китай Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Сертификаты
Китай Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Сертификаты
Просмотрения клиента
мы сотрудничество с Хуа Сюан Янг в большинстве должны к их профессионализму, их сильному ответу к изготовлению на заказ продуктов нам, поселению всех наших потребностей и, прежде всего, они обеспечат качественных сервисов.

—— -- Джейсон от Канады

Под рекомендацией моего друга, мы знаем о Хуа Сюан Янг, старшем специалисте в полупроводнике и индустрии электронных блоков, которая позволяла мы уменьшить наше драгоценное время и для того чтобы затеять попытку другие фабрики.

—— -- Виктор от России

Оставьте нам сообщение

Обязанность ворот транзистора влияния поля Мос ХСИ4404 низкая для переключая применения

Обязанность ворот транзистора влияния поля Мос ХСИ4404 низкая для переключая применения
Обязанность ворот транзистора влияния поля Мос ХСИ4404 низкая для переключая применения

Большие изображения :  Обязанность ворот транзистора влияния поля Мос ХСИ4404 низкая для переключая применения

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Шэньчжэнь Китай
Фирменное наименование: Hua Xuan Yang
Сертификация: RoHS、SGS
Номер модели: ХСИ4404
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: 1000-2000 ПК
Цена: Negotiated
Упаковывая детали: Положенный в коробку
Время доставки: 1 до 2 недели
Условия оплаты: Соединение Л/К Т/Т западное
Поставка способности: 18,000,000ПКС/в день

Обязанность ворот транзистора влияния поля Мос ХСИ4404 низкая для переключая применения

описание
Название продукта: транзистор силы mosfet РДС (ДАЛЬШЕ) (на ВГС=10В): < 24m="">
Материал: кремний Номер модели: ХСИ4404
РДС (ДАЛЬШЕ) (на ВГС = 2.5В): < 48m=""> Тип: Транзистор Mosfet
Высокий свет:

сильнотоковый транзистор

,

водитель мосфет используя транзистор

60В Н-канал АлфаСГТ ХСИ4264
 

 

Сводка продукта

 

 

ВДС 30В
ИД (на ВГС=10В) 8.5А
РДС (ДАЛЬШЕ) (на ВГС=10В) < 24m="">
РДС (ДАЛЬШЕ) (на ВГС = 4.5В) < 30m="">
РДС (ДАЛЬШЕ) (на ВГС = 2.5В) < 48m="">

 

 

Общее описание

 

Выдвинутая пользами технология канавы ХСИ4404 к

предусмотрите превосходный РДС (ДАЛЬШЕ), низкие обязанность ворот и деятельность

с напряжениями тока ворот как низкими как 2.5В. Этот прибор делает

превосходный высокий бортовой переключатель для ядра ДК-ДК К.П.У. тетради

преобразование.

 

 

Применения

 

Электропитание высокой эффективности

Вторичный выпрямитель тока сынкронус

 

Обязанность ворот транзистора влияния поля Мос ХСИ4404 низкая для переключая применения 0

 

 

Электрические характеристики (т =25°К если не указано иное)

 

Обязанность ворот транзистора влияния поля Мос ХСИ4404 низкая для переключая применения 1

 

 

А. Значение θДЖА р измерено с прибором установленным на доске 1ин2 ФР-4 с 2оз. Омедняйте, в неподвижной окружающей среде воздуха с Та =25°К.

значение в любом, который дали применении зависит от дизайна доски потребителя специфического.

Б. Диссипация силы пд основана на тдж(МАКСЕ) =150°К, используя сопротивление ≤ 10с соединени-к-окружающее термальное.

К. повторяющийся оценка, ширина ИМПа ульс ограничиваемая оценками температуры соединения тдж(МАКСА) =150°К. основана на низкочастотном и кругах обязаностей для того чтобы держать

инитялТ =25°К.

Д. ΘДЖА р сумма термального импеданса от соединения для того чтобы привестиθДЖЛ р и привести к окружающему.

Э. Статические характеристики в диаграммах 1 до 6 получены используя <300>

Ф. Эти кривые основаны на соединени-к-окружающем термальном импедансе которым измеряет с прибором установленным на доске 1ин2 ФР-4 с

2оз. Омедняйте, принимающ что максимальная температура соединения тдж(МАКСА) =150°К. кривая СОА обеспечивает одиночную оценку ИМПа ульс.

Г. Круг обязаностей 5% шипа максимальное, ограниченный температурой соединения ТДЖ (МАКСОМ) =125°К.

 

ТИПИЧНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ТЕРМАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

 

Обязанность ворот транзистора влияния поля Мос ХСИ4404 низкая для переключая применения 2Обязанность ворот транзистора влияния поля Мос ХСИ4404 низкая для переключая применения 3Обязанность ворот транзистора влияния поля Мос ХСИ4404 низкая для переключая применения 4Обязанность ворот транзистора влияния поля Мос ХСИ4404 низкая для переключая применения 5Обязанность ворот транзистора влияния поля Мос ХСИ4404 низкая для переключая применения 6

Обязанность ворот транзистора влияния поля Мос ХСИ4404 низкая для переключая применения 7

Контактная информация
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Контактное лицо: David

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты

Оставьте сообщение

Мы скоро тебе перезвоним!