Отправить запрос |
Главная страница ПродукцияТранзистор влияния поля Мос

Транзистор силы Мосфет Г40Н10 100В, транзистор канала н голодает переключение

Все продукты

транзистор силы mosfet

(118)

Транзисторы силы подсказки

(30)

Транзистор силы кремния

(19)

Двойной диод переключения

(15)

Транзистор влияния поля Мос

(29)

Удваивает - Мосфет канала

(10)

быстрый диод выпрямителя тока спасения

(6)

диод zener силы

(6)

выпрямитель по мостиковой схеме schottky

(10)

высоковольтный диод выпрямителя тока

(15)

Триод полупроводника

(9)

Стабилизатор ИК напряжения тока

(14)
Сертификация
Китай Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Сертификаты
Китай Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Сертификаты
Просмотрения клиента
мы сотрудничество с Хуа Сюан Янг в большинстве должны к их профессионализму, их сильному ответу к изготовлению на заказ продуктов нам, поселению всех наших потребностей и, прежде всего, они обеспечат качественных сервисов.

—— -- Джейсон от Канады

Под рекомендацией моего друга, мы знаем о Хуа Сюан Янг, старшем специалисте в полупроводнике и индустрии электронных блоков, которая позволяла мы уменьшить наше драгоценное время и для того чтобы затеять попытку другие фабрики.

—— -- Виктор от России

Оставьте нам сообщение

Транзистор силы Мосфет Г40Н10 100В, транзистор канала н голодает переключение

Транзистор силы Мосфет Г40Н10 100В, транзистор канала н голодает переключение
Транзистор силы Мосфет Г40Н10 100В, транзистор канала н голодает переключение

Большие изображения :  Транзистор силы Мосфет Г40Н10 100В, транзистор канала н голодает переключение

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Шэньчжэнь Китай
Фирменное наименование: Hua Xuan Yang
Сертификация: RoHS、SGS
Номер модели: Г40Н10
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: 1000-2000 ПК
Цена: Negotiated
Упаковывая детали: Положенный в коробку
Время доставки: 1 до 2 недели
Условия оплаты: Соединение Л/К Т/Т западное
Поставка способности: 18,000,000ПКС/в день
контакт

Транзистор силы Мосфет Г40Н10 100В, транзистор канала н голодает переключение

описание
Название продукта: транзистор силы mosfet Температура соединения:: 150℃
Материал: кремний Номер модели: ХСИ2312
Случае: Лента/поднос/вьюрок Тип: Транзистор Mosfet
Высокий свет:

сильнотоковый транзистор

,

водитель мосфет используя транзистор

Транзистор силы Мосфет Г40Н10 100В, транзистор канала н голодает переключение

 

Сводка продукта

 

Технология Г40Н10 выдвинутая пользами плоская для предусмотрения превосходного РДС (ДАЛЬШЕ), низких обязанности ворот и деятельности с напряжениями тока ворот как низкими как 2.5В. Этот прибор соответствующий для пользы как предохранение от батареи или в другом применении переключения.
 
 
Транзистор силы Мосфет Г40Н10 100В, транзистор канала н голодает переключение 0Транзистор силы Мосфет Г40Н10 100В, транзистор канала н голодает переключение 1Транзистор силы Мосфет Г40Н10 100В, транзистор канала н голодает переключение 2Транзистор силы Мосфет Г40Н10 100В, транзистор канала н голодает переключение 3Транзистор силы Мосфет Г40Н10 100В, транзистор канала н голодает переключение 4Транзистор силы Мосфет Г40Н10 100В, транзистор канала н голодает переключение 5Транзистор силы Мосфет Г40Н10 100В, транзистор канала н голодает переключение 6Транзистор силы Мосфет Г40Н10 100В, транзистор канала н голодает переключение 7

тег:

переключатель мосфет логики,

водитель мосфет используя транзистор,

сильнотоковый транзистор

Контактная информация
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Контактное лицо: David

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты
МОСФЭТ режима повышения канала н транзистора влияния поля Мос 60Н06ХС 60В

МОСФЭТ режима повышения канала н транзистора влияния поля Мос 60Н06ХС 60В

Название продукта: транзистор силы mosfet

Температура соединения:: 150℃

Материал: кремний

Номер модели: 60Н06ХС
Транзистор Мосфет канала 60Н03ПИТ 30В н, транзистор наивысшей мощности

Транзистор Мосфет канала 60Н03ПИТ 30В н, транзистор наивысшей мощности

Название продукта: транзистор силы mosfet

Температура соединения:: 150℃

Материал: кремний

Номер модели: ХСИ2312
Температура соединения 150℃ кремния транзистора влияния поля Мос 50Н06П/Т 60В материальная

Температура соединения 150℃ кремния транзистора влияния поля Мос 50Н06П/Т 60В материальная

Название продукта: транзистор силы mosfet

Температура соединения:: 150℃

Материал: кремний

Номер модели: 50Н06П/Т
Обязанность ворот транзистора влияния поля Мос 18Н20С 200В низкая для переключая применения

Обязанность ворот транзистора влияния поля Мос 18Н20С 200В низкая для переключая применения

Название продукта: транзистор силы mosfet

Температура соединения:: 150℃

Материал: кремний

Номер модели: ХСИ2312
ИД 6,0 а транзистора влияния поля ВДСС режима повышения 2Н7002 20в

ИД 6,0 а транзистора влияния поля ВДСС режима повышения 2Н7002 20в

Название продукта: транзистор силы mosfet

Температура соединения:: 150℃

Материал: кремний

Номер модели: ХСИ2312
около

транзистор силы mosfet

Транзистор уровня логики ХСИ4616, высоковольтный МОСФЭТ транзистора 30В комплементарный

Высокое напряжение ВДС 40В ВГС ±20в транзистора силы ±20в Мосфет ХСИ4616 ВГС

МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40В

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | Китай хороший качество транзистор силы mosfet поставщик. © 2019 - 2022 mosfet-powertransistor.com. All Rights Reserved.

Оставьте сообщение

Мы скоро тебе перезвоним!