Главная страница Продукциятранзистор силы mosfet

4Н60 - Р 4А, МОСФЭТ СИЛЫ Н-КАНАЛА 600В

Сертификация
Китай Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Сертификаты
Китай Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Сертификаты
Просмотрения клиента
мы сотрудничество с Хуа Сюан Янг в большинстве должны к их профессионализму, их сильному ответу к изготовлению на заказ продуктов нам, поселению всех наших потребностей и, прежде всего, они обеспечат качественных сервисов.

—— -- Джейсон от Канады

Под рекомендацией моего друга, мы знаем о Хуа Сюан Янг, старшем специалисте в полупроводнике и индустрии электронных блоков, которая позволяла мы уменьшить наше драгоценное время и для того чтобы затеять попытку другие фабрики.

—— -- Виктор от России

Оставьте нам сообщение

4Н60 - Р 4А, МОСФЭТ СИЛЫ Н-КАНАЛА 600В

4Н60 - Р 4А, МОСФЭТ СИЛЫ Н-КАНАЛА 600В
4Н60 - Р 4А, МОСФЭТ СИЛЫ Н-КАНАЛА 600В 4Н60 - Р 4А, МОСФЭТ СИЛЫ Н-КАНАЛА 600В

Большие изображения :  4Н60 - Р 4А, МОСФЭТ СИЛЫ Н-КАНАЛА 600В

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Шэньчжэнь Китай
Фирменное наименование: Hua Xuan Yang
Сертификация: RoHS、SGS
Номер модели: 4N60
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: 1000-2000 ПК
Цена: Negotiated
Упаковывая детали: Положенный в коробку
Время доставки: 1 до 2 недели
Условия оплаты: Соединение Л/К Т/Т западное
Поставка способности: 18,000,000ПКС/в день

4Н60 - Р 4А, МОСФЭТ СИЛЫ Н-КАНАЛА 600В

описание
Название продукта: транзистор силы mosfet Применение: Управление силы
Функция: Превосходный РДС (дальше) Транзистор Mosfet силы: МОСФЭТ силы режима повышения
Номер модели: 4N60
Высокий свет:

транзистор мосфет канала н

,

высоковольтный транзистор

МОСФЭТ силы 2Н60-ТК3

2А, МОСФЭТ СИЛЫ Н-КАНАЛА 600В

 

ОПИСАНИЕ

УТК 4Н60-Р высоковольтный МОСФЭТ силы и конструирован для того чтобы иметь лучшие характеристики, как быстрое время переключения, низкая обязанность ворот, низкое сопротивление на-государства и иметь характеристики высокие изрезанные лавины. Этот МОСФЭТ силы обычно используемые на высокой скорости переключая применения в управлениях электропитаний, мотора ПВМ, высоком эффективном ДК к конвертерам ДК и мостиковых схемах.

 

4Н60 - Р 4А, МОСФЭТ СИЛЫ Н-КАНАЛА 600В 0

 

ОСОБЕННОСТИ

* РДС(ДАЛЬШЕ)< 2=""> ГС = 10 В

* быстрая возможность переключения

* определенная энергия лавины

* улучшенная возможность дв/дт, высокая пересеченность

 

4Н60 - Р 4А, МОСФЭТ СИЛЫ Н-КАНАЛА 600В 1

УПОРЯДОЧЕНИЕ ИНФОРМАЦИИ

Порядковый номер Пакет Штыревая идентификация Паковать
Неэтилированный Галоид освобождает 1 2 3
4Н60Л-ТФ1-Т 4Н60Г-ТФ1-Т ТО-220Ф1 Г Д С Трубка

Примечание: Штыревая идентификация: Г: Ворота д: Сток с: Источник

 

4Н60 - Р 4А, МОСФЭТ СИЛЫ Н-КАНАЛА 600В 2

4Н60 - Р 4А, МОСФЭТ СИЛЫ Н-КАНАЛА 600В 3

АБСОЛЮТНЫЙ МАКСИМУМ ОЦЕНОК н (тк = 25°С, если не указано иное)

 

ПАРАМЕТР СИМВОЛ ОЦЕНКИ БЛОК
Напряжение тока Сток-источника ВДСС 600 В
Напряжение тока Ворот-источника ВГСС ±30 В
Течение лавины (примечание 2) ИАР 4 А
Стеките течение Непрерывный ИД 4,0 А
  Пульсированный (примечание 2) ИДМ 16 А
Энергия лавины Определите пульсированный (примечание 3) ЭАС 160 мДж
Выступите спасение дв/дт диода (примечание 4) дв/дт 4,5 В/нс
Диссипация силы ПД 36 В
Температура соединения ТДж +150 °С
Рабочая температура ТОПР -55 | +150 °С
Температура хранения ТСТГ -55 | +150 °С

Примечания: 1. абсолютный максимум оценок те значения за которыми прибор смог постоянно быть поврежден.

Абсолютный максимум оценок оценки стресса только и функциональная деятельность прибора не подразумевается.

4. Повторяющийся оценка: Ширина ИМПа ульс ограничиваемая максимальной температурой соединения.

5. Л = 84мХ, ИКАК =1.4А, вДД = 50В, рг = Ω 25 начиная тдж = 25°К

6. И ≤ 2.0АСД, ди/дт ≤200А/μс, ДД ≤БВДСС В, начиная тдж = 25°К

ТЕПЛОВЫЕ ДАННЫЕ

ПАРАМЕТР СИМВОЛ ОЦЕНКИ БЛОК
Соединение к окружающему θДжА 62,5 °С/В
Соединение к случаю θДжк 3,47 °С/В

 

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (тдж = 25°С, если не указано иное)

 

ПАРАМЕТР СИМВОЛ УСЛОВИЯ ИСПЫТАНИЙ МИНУТА ТИП МАКС БЛОК
С ХАРАКТЕРИСТИК
Пробивное напряжение Сток-источника БВДСС ВГС=0В, ИД=250μА 600     В
Течение утечки Сток-источника ИДСС ВДС=600В, ВГС=0В     10 μА
    ВДС=480В, ТК=125°С     100 µА
Течение утечки Ворот-источника Передний ИГСС ВГС=30В, ВДС=0В     100 нА
  Обратный   ВГС=-30В, ВДС=0В     -100 нА
Коэффициент температуры пробивного напряжения △БВДСС/△ТДЖ ИД=250μА, ссылаться на к 25°К   0,6   В/°С
НА ХАРАКТЕРИСТИКАХ
Напряжение тока порога ворот ВГС (ТХ) ВДС=ВГС, ИД=250μА 3,0   5,0 В
Статическое сопротивление На-государства Сток-источника РДС (ДАЛЬШЕ) ВГС=10 В, ИД=2.2А   2,3 2,5
ХАРАКТЕРИСТИКИ ДИНАМИЧЕСКОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ
Входная емкость КИСС

 

ВДС =25В, вГС=0В, ф =1МХз

  440 670 пФ
Емкость выхода КОСС     50 100 пФ
Обратная емкость передачи КРСС     6,8 20 пФ
ХАРАКТЕРИСТИКИ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ
Турн-Он время задержки тД (ДАЛЬШЕ)

 

ВДД=30В, ИД=0.5А, рГ=25Ω

(Примечание 1, 2)

  45 60 нс
Турн-Он время восхода тр     35 55 нс
Время задержки поворота- тД ()     65 85 нс
Время падения поворота- тф     40 60 нс
Полная обязанность ворот КГ ВДС=50В, ИД=1.3А, ИД=100μА вГС=10В (примечание 1, 2)   15 30 нК
Обязанность Ворот-источника КГС     5   нК
Обязанность Ворот-стока КГД     15   нК
ОЦЕНКИ И ХАРАКТЕРИСТИКИ ДИОДА СТОКА ИСТОЧНИКА
Пропускное напряжение диода Сток-источника ВСД ВГС=0В, ИС=4.4А     1,4 В
Максимальный непрерывный пропускной ток диода Сток-источника ИС       4,4 А

Максимум пульсировал диод Сток-источника

Пропускной ток

ИЗМ       17,6 А
Обратное время восстановления трр

ВГС=0 В, ИС=4.4А,

дИФ/дт=100 А/μс (примечание 1)

  250   нс
Обратная обязанность спасения КРР     1,5   μК

Примечания: 1. тест ИМПа ульс: ≤ 300µс ширины ИМПа ульс, ≤ 2% круга обязаностей.

  • Существенно независимый рабочей температуры.

4Н60 - Р 4А, МОСФЭТ СИЛЫ Н-КАНАЛА 600В 4

4Н60 - Р 4А, МОСФЭТ СИЛЫ Н-КАНАЛА 600В 5

 

 

Контактная информация
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Контактное лицо: David

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Оставьте сообщение

Мы скоро тебе перезвоним!