|
Подробная информация о продукте:
|
| Название продукта: | транзистор силы mosfet | Применение: | Управление силы |
|---|---|---|---|
| Функция: | Превосходный РДС (дальше) | Транзистор Mosfet силы: | МОСФЭТ силы режима повышения |
| Номер модели: | 5Н20ДИ | ||
| Высокий свет: | транзистор мосфет канала н,высоковольтный транзистор |
||
5N20D / МОСФЭТ режима повышения Н-канала ы 200В
Канава АП50Н20Д выдвинутая пользами
технология для того чтобы обеспечить превосходный РДС (ДАЛЬШЕ) и низкую обязанность ворот.
Комплементарные МОСФЭЦ могут быть использованы для того чтобы сформировать переключатель перенесенный уровнем высокий бортовой, и для хозяина другого
ОСОБЕННОСТИ
ВДС =200В, ИД =5А
РДС (ДАЛЬШЕ) <520m>
Применение
Переключение нагрузки
Крепко переключенный и частота коротковолнового диапазона обходит вокруг бесперебойное электропитание
| ИД продукта | Пакет | Отмечать | Кты (ПКС) |
| 5Н20Д | ТО-252 | 5Н20Д | 3000 |
| 5Н20И | ТО-251 | 5Н20И | 4000 |
Примечание: Штыревая идентификация: Г: Ворота д: Сток с: Источник
АБСОЛЮТНЫЙ МАКСИМУМ ОЦЕНОК (тк = 25°С, если не указано иное)
| Параметр | Символ | Предел | Блок |
| Напряжение тока Сток-источника | ВДС | 200 | В |
| Напряжение тока Ворот-источника | ВГС | ±20 | В |
| Стеките Настоящ-непрерывное | ИД | 5 | А |
| Стеките Настоящ-пульсированный (примечание 1) | ИДМ | 20 | А |
| Максимальная диссипация силы | ПД | 30 | В |
| Работая диапазон температур соединения и хранения | ТДЖ, ТСТГ | -55 до 150 | ℃ |
Примечания: 1. абсолютный максимум оценок те значения за которыми прибор смог постоянно быть поврежден.
Абсолютный максимум оценок оценки стресса только и функциональная деятельность прибора не подразумевается.
4. Повторяющийся оценка: Ширина ИМПа ульс ограничиваемая максимальной температурой соединения.
5. Л = 84мХ, ИКАК =1.4А, вДД = 50В, рг = Ω 25 начиная тдж = 25°К
6. И ≤ 2.0АСД, ди/дт ≤200А/μс, ДД ≤БВДСС В, начиная тдж = 25°К
| Термальное сопротивление, Соединени-к-окружающее (примечание 2) | РθДжА | 4,17 | ℃/В |
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (тдж = 25°С, если не указано иное)
| Параметр | Символ | Условие | Минута | Тип | Макс | Блок |
| С характеристик | ||||||
| Пробивное напряжение Сток-источника | БВДСС | ВГС=0В иД=250μА | 200 | - | - | В |
| Зеро течение стока напряжения тока ворот | ИДСС | ВДС=200В, ВГС=0В | - | - | 1 | μА |
| Течение утечки Ворот-тела | ИГСС | ВГС=±20В, ВДС=0В | - | - | ±100 | нА |
| На характеристиках (примечании 3) | ||||||
| Напряжение тока порога ворот | ВГС (тх) | ВДС=ВГС, ИД=250μА | 1,2 | 1,7 | 2,5 | В |
| Сопротивление На-государства Сток-источника | РДС (ДАЛЬШЕ) | ВГС=10В, ИД=2А | - | 520 | 580 | мΩ |
| Передний Транскондуктансе | гФС | ВДС=15В, ИД=2А | - | 8 | - | С |
| Характеристики динамической чувствительности (Ноте4) | ||||||
| Входная емкость | Кльсс |
ВДС=25В, вГС=0В, Ф=1.0МХз |
- | 580 | - | ПФ |
| Емкость выхода | Косс | - | 90 | - | ПФ | |
| Обратная емкость передачи | Крсс | - | 3 | - | ПФ | |
| Характеристики переключения (примечание 4) | ||||||
| Турн-он время задержки | тд (дальше) |
ВДД=100В, РЛ=15Ω вГС=10В, рГ=2.5Ω |
- | 10 | - | нС |
| Турн-он время восхода | тр | - | 12 | - | нС | |
| Время задержки поворота- | тд () | - | 15 | - | нС | |
| Время падения поворота- | тф | - | 15 | - | нС | |
| Полная обязанность ворот | Кг |
ВДС=100В, ИД=2А, ВГС=10В |
- | 12 | нК | |
| Обязанность Ворот-источника | Кгс | - | 2,5 | - | нК | |
| Обязанность Ворот-стока | Кгд | - | 3,8 | - | нК | |
| Характеристики диода Сток-источника | ||||||
| Пропускное напряжение диода (примечание 3) | ВСД | ВГС=0В, ИС=2А | - | - | 1,2 | В |
| Пропускной ток диода (примечание 2) | ИС | - | - | 5 | А | |
Примечания: 1. тест ИМПа ульс: ≤ 300µс ширины ИМПа ульс, ≤ 2% круга обязаностей.
Контактное лицо: David
