Главная страница Продукциятранзистор силы mosfet

Транзистор Мосфет канала н ОЭМ, небольшой режим повышения переключателя мощности Мосфет

Сертификация
Китай Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Сертификаты
Китай Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Сертификаты
Просмотрения клиента
мы сотрудничество с Хуа Сюан Янг в большинстве должны к их профессионализму, их сильному ответу к изготовлению на заказ продуктов нам, поселению всех наших потребностей и, прежде всего, они обеспечат качественных сервисов.

—— -- Джейсон от Канады

Под рекомендацией моего друга, мы знаем о Хуа Сюан Янг, старшем специалисте в полупроводнике и индустрии электронных блоков, которая позволяла мы уменьшить наше драгоценное время и для того чтобы затеять попытку другие фабрики.

—— -- Виктор от России

Оставьте нам сообщение

Транзистор Мосфет канала н ОЭМ, небольшой режим повышения переключателя мощности Мосфет

Транзистор Мосфет канала н ОЭМ, небольшой режим повышения переключателя мощности Мосфет
Транзистор Мосфет канала н ОЭМ, небольшой режим повышения переключателя мощности Мосфет

Большие изображения :  Транзистор Мосфет канала н ОЭМ, небольшой режим повышения переключателя мощности Мосфет

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Шэньчжэнь Китай
Фирменное наименование: Hua Xuan Yang
Сертификация: RoHS、SGS
Номер модели: 12N60
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: 1000-2000 ПК
Цена: Negotiated
Упаковывая детали: Положенный в коробку
Время доставки: 1 до 2 недели
Условия оплаты: Соединение Л/К Т/Т западное
Поставка способности: 18,000,000ПКС/в день

Транзистор Мосфет канала н ОЭМ, небольшой режим повышения переключателя мощности Мосфет

описание
Название продукта: транзистор силы mosfet Применение: Управление силы
Функция: Превосходный РДС (дальше) Транзистор Mosfet силы: МОСФЭТ силы режима повышения
Номер модели: 12N60 Тип: транзистор мосфет канала н
Высокий свет:

транзистор мосфет канала н

,

высоковольтный транзистор

Транзистор Мосфет канала н ОЭМ, небольшой режим повышения переключателя мощности Мосфет

 

ОПИСАНИЕ транзистора Мосфет канала н

УТК 12Н60-К высоковольтный МОСФЭТ силы конструированный для того чтобы иметь лучшие характеристики, как быстрое время переключения, низкая обязанность ворот, низкое сопротивление на-государства и высокие изрезанные характеристики лавины. Этот МОСФЭТ силы обычно использован в высокоскоростных применениях переключения электропитаний и переходников переключения.

Транзистор Мосфет канала н ОЭМ, небольшой режим повышения переключателя мощности Мосфет 0

 

ОСОБЕННОСТИ транзистора Мосфет канала н

  * РДС(ДАЛЬШЕ)< 0=""> ГС = 10 В, ИД = 6,0 А

* быстрая возможность переключения

* испытанная энергия лавины

* улучшенная возможность дв/дт, высокая пересеченность

 

Транзистор Мосфет канала н ОЭМ, небольшой режим повышения переключателя мощности Мосфет 1

 

УПОРЯДОЧЕНИЕ ИНФОРМАЦИИ

Порядковый номер Пакет Штыревая идентификация Паковать
Неэтилированный Галоид освобождает   1 2 3  
12Н60Л-ТФ1-Т 12Н60Г-ТФ1-Т ТО-220Ф1 Г Д С Трубка
12Н60Л-ТФ3-Т 12Н60Г-ТФ3-Т ТО-220Ф Г Д С Трубка

 

 

Примечание: Штыревая идентификация: Г: Ворота д: Сток с: Источник

 

 

Транзистор Мосфет канала н ОЭМ, небольшой режим повышения переключателя мощности Мосфет 2

 

АБСОЛЮТНЫЙ МАКСИМУМ ОЦЕНОК (тк = 25°С, если не указано иное)

 

ПАРАМЕТР СИМВОЛ УСЛОВИЯ ИСПЫТАНИЙ МИНУТА ТИП МАКС УНИ Т
С ХАРАКТЕРИСТИК
Пробивное напряжение Сток-источника БВДСС ВГС=0В, ИД=250μА 600     В
Течение утечки Сток-источника ИДСС ВДС=600В, ВГС=0В     1 μА
Течение утечки источника ворот Передний ИГСС ВГС=30В, ВДС=0В     100 нА
Обратный ВГС=-30В, ВДС=0В     -100 нА
НА ХАРАКТЕРИСТИКАХ
Напряжение тока порога ворот ВГС (ТХ) ВДС=ВГС, ИД=250μА 2,0   4,0 В
Статическое сопротивление На-государства Сток-источника РДС (ДАЛЬШЕ) ВГС=10В, ИД=6.0А     0,7
ХАРАКТЕРИСТИКИ ДИНАМИЧЕСКОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ
Входная емкость КИСС

 

ВГС=0В, вДС=25В, ф =1.0 МХз

  1465   пФ
Емкость выхода КОСС   245   пФ
Обратная емкость передачи КРСС   57   пФ
ХАРАКТЕРИСТИКИ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ
Полная обязанность ворот (примечание 1) КГ ВДС=50В, ИД=1.3А, ИГ=100μА вГС=10В (примечание 1,2)   144   нК
Обязанность Ворот-источника КГС   10   нК
Обязанность Ворот-стока КГД   27   нК
Турн-Он время задержки (примечание 1) тД (ДАЛЬШЕ)

 

ВДД =30В, ИД =0.5А,

Рг =25Ω, вГС=10В (примечание 1,2)

  81   нс
Турн-Он время восхода тр   152   нс
Время задержки поворота- тД ()   430   нс
Время падения поворота- тф   215   нс
ХАРАКТЕРИСТИКИ ДИОДА ДРАИН-СОУРКЭ И МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ
Максимальный непрерывный пропускной ток диода Сток-источника ИС       12 А

Максимум пульсировал диод Сток-источника

Пропускной ток

ИЗМ       48 А
Пропускное напряжение диода Сток-источника ВСД ВГС=0 В, ИС=6.0 А     1,4 В
Обратное время восстановления трр

ВГС=0 В, ИС=6.0 А,

дИФ/дт=100 А/μс (примечание 1)

  336   нс
Обратная обязанность спасения Крр   2,21   μК

Примечания: 1. абсолютный максимум оценок те значения за которыми прибор смог постоянно быть поврежден.

Абсолютный максимум оценок оценки стресса только и функциональная деятельность прибора не подразумевается.

4. Повторяющийся оценка: Ширина ИМПа ульс ограничиваемая максимальной температурой соединения.

5. Л = 84мХ, ИКАК =1.4А, вДД = 50В, рг = Ω 25 начиная тдж = 25°К

6. И ≤ 2.0АСД, ди/дт ≤200А/μс, ДД ≤БВДСС В, начиная тдж = 25°К

 

 

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (тдж = 25°С, если не указано иное)

 

Параметр Символ Условие Минута Тип Макс Блок
С характеристик
Пробивное напряжение Сток-источника БВДСС ВГС=0В иД=250μА 100 110 - В
Зеро течение стока напряжения тока ворот ИДСС ВДС=100В, ВГС=0В - - 1 μА
Течение утечки Ворот-тела ИГСС ВГС=±20В, ВДС=0В - - ±100 нА
На характеристиках (примечании 3)
Напряжение тока порога ворот ВГС (тх) ВДС=ВГС, ИД=250μА 1,2 1,8 2,5 В
Сопротивление На-государства Сток-источника РДС (ДАЛЬШЕ) ВГС=10В, ИД =8А 98   130 Ω м
Передний Транскондуктансе гФС ВДС=25В, ИД=6А 3,5 - - С
Характеристики динамической чувствительности (Ноте4)
Входная емкость Кльсс

 

ВДС=25В, вГС=0В, Ф=1.0МХз

- 690 - ПФ
Емкость выхода Косс   - 120 - ПФ
Обратная емкость передачи Крсс   - 90 - ПФ
Характеристики переключения (примечание 4)
Турн-он время задержки тд (дальше)

 

ВДД=30В, ИД=2А, РЛ=15Ω вГС=10В, рГ=2.5Ω

- 11 - нС
Турн-он время восхода тр   - 7,4 - нС
Время задержки поворота- тд ()   - 35 - нС
Время падения поворота- тф   - 9,1 - нС
Полная обязанность ворот Кг

 

ВДС=30В, ИД=3А, ВГС=10В

- 15,5   нК
Обязанность Ворот-источника Кгс   - 3,2 - нК
Обязанность Ворот-стока Кгд   - 4,7 - нК
Характеристики диода Сток-источника
Пропускное напряжение диода (примечание 3) ВСД ВГС=0В, ИС=9.6А - - 1,2 В
Пропускной ток диода (примечание 2) ИС   - - 9,6 А
Обратное время восстановления трр

ТДЖ = 25°К, ЕСЛИ =9.6А

ди/дт = 100А/μс(Ноте3)

- 21   нС
Обратная обязанность спасения Крр   - 97   нК
Переднее турн-Он время тонна Внутреннеприсущее турн-он время незначительно (включение преобладан ЛС+ЛД)


Существенно независимый рабочей температуры. Примечания: 1. тест ИМПа ульс: ≤ 300µс ширины ИМПа ульс, ≤ 2% круга обязаностей.

 

Транзистор Мосфет канала н ОЭМ, небольшой режим повышения переключателя мощности Мосфет 3

Транзистор Мосфет канала н ОЭМ, небольшой режим повышения переключателя мощности Мосфет 4

 

 

Контактная информация
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Контактное лицо: David

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Оставьте сообщение

Мы скоро тебе перезвоним!