Главная страница Продукциятранзистор силы mosfet

Сильный переключатель 2Н60 ТО-220Ф Мосфет канала транзистора уровня логики/н

Сертификация
Китай Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Сертификаты
Китай Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Сертификаты
Просмотрения клиента
мы сотрудничество с Хуа Сюан Янг в большинстве должны к их профессионализму, их сильному ответу к изготовлению на заказ продуктов нам, поселению всех наших потребностей и, прежде всего, они обеспечат качественных сервисов.

—— -- Джейсон от Канады

Под рекомендацией моего друга, мы знаем о Хуа Сюан Янг, старшем специалисте в полупроводнике и индустрии электронных блоков, которая позволяла мы уменьшить наше драгоценное время и для того чтобы затеять попытку другие фабрики.

—— -- Виктор от России

Оставьте нам сообщение

Сильный переключатель 2Н60 ТО-220Ф Мосфет канала транзистора уровня логики/н

Сильный переключатель 2Н60 ТО-220Ф Мосфет канала транзистора уровня логики/н
Сильный переключатель 2Н60 ТО-220Ф Мосфет канала транзистора уровня логики/н Сильный переключатель 2Н60 ТО-220Ф Мосфет канала транзистора уровня логики/н

Большие изображения :  Сильный переключатель 2Н60 ТО-220Ф Мосфет канала транзистора уровня логики/н

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Шэньчжэнь Китай
Фирменное наименование: Hua Xuan Yang
Сертификация: RoHS、SGS
Номер модели: 2N60- ТО-220Ф
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: переговоров
Цена: Negotiated
Упаковывая детали: Положенный в коробку
Время доставки: 1 до 2 недели
Условия оплаты: Соединение Л/К Т/Т западное
Поставка способности: 18,000,000ПКС/в день

Сильный переключатель 2Н60 ТО-220Ф Мосфет канала транзистора уровня логики/н

описание
Название продукта: Транзистор логики ровный Особенности: Мощный
Номер модели: 2N60- ТО-220Ф напряжение тока Сток-источника: 600v
Напряжение тока Строб-Источника: ± 30В Тип: Переключатель Мосфет канала н
Высокий свет:

транзистор мосфет канала н

,

высоковольтный транзистор

Сильный переключатель 2Н60 ТО-220Ф Мосфет канала транзистора уровня логики/н
 
ОПИСАНИЕ транзистора логики ровное
 
УТК 2Н60-ТК3 высоковольтный МОСФЭТ силы и конструирован для того чтобы иметь лучшие характеристики, как быстрое время переключения, низкая обязанность ворот, низкое сопротивление на-государства и иметь характеристики высокие изрезанные лавины. Этот МОСФЭТ силы обычно используемые на высокой скорости переключая применения в управлениях электропитаний, мотора ПВМ, высоком эффективном ДК к конвертерам ДК и мостиковых схемах.
 
ОСОБЕННОСТИ транзистора логики ровные
 
* скорость переключения РДС ( < 7="">ДАЛЬШЕ) * высокая
 
СИМВОЛ транзистора логики ровный
Сильный переключатель 2Н60 ТО-220Ф Мосфет канала транзистора уровня логики/н 0
УПОРЯДОЧЕНИЕ ИНФОРМАЦИИ

Порядковый номер

Пакет

Штыревая идентификация

Паковать

Неэтилированный

Галоид освобождает

1

2

3

2Н60Л-ТФ1-Т

2Н60Г-ТФ1-Т

ТО-220Ф1

Г

Д

С

Трубка

2Н60Л-ТФ3-Т

2Н60Г-ТФ3-Т

ТО-220Ф

Г

Д

С

Трубка

2Н60Л-ТМ3-Т

2Н60Г-ТМ3-Т

ТО-251

Г

Д

С

Трубка


Примечание: Штыревая идентификация: Г: Ворота д: Сток с: Источник
 
Сильный переключатель 2Н60 ТО-220Ф Мосфет канала транзистора уровня логики/н 1
ОТМЕЧАТЬ
Сильный переключатель 2Н60 ТО-220Ф Мосфет канала транзистора уровня логики/н 2
АБСОЛЮТНЫЙ МАКСИМУМ ОЦЕНОК (ТК = 25°С, если не указано иное)
 

ПАРАМЕТР

СИМВОЛ

ОЦЕНКИ

БЛОК

Напряжение тока Сток-источника

ВДСС

600

В

Напряжение тока Ворот-источника

ВГСС

± 30

В

Стеките течение

Непрерывный

ИД

2

А

Пульсированный (примечание 2)

ИДМ

4

А

Энергия лавины

Определите пульсированный (примечание 3)

ЭАС

84

мДж

Выступите спасение дв/дт диода (примечание 4)

дв/дт

4,5

В/нс

Диссипация силы

ТО-220Ф/ТО-220Ф1

ПД

23

В

ТО-251

44

В

Температура соединения

ТДЖ

+150

°К

Температура хранения

ТСТГ

-55 | +150

°К

Примечания: 1. абсолютный максимум оценок те значения за которыми прибор смог постоянно быть поврежден.
Абсолютный максимум оценок оценки стресса только и функциональная деятельность прибора не подразумевается.

  1. Повторяющийся оценка: Ширина ИМПа ульс ограничиваемая максимальной температурой соединения.

  2. Л = 84мХ, ИАС =1.4А, ВДД = 50В, РГ = Ω 25 начиная ТДЖ = 25°К

  3. ≤ 2.0А ИСД, ди/дт ≤200А/μс, ВДД ≤БВДСС, начиная ТДЖ = 25°К

ТЕПЛОВЫЕ ДАННЫЕ
 

ПАРАМЕТР

СИМВОЛ

ОЦЕНКИ

БЛОК

Соединение к окружающему

ТО-220Ф/ТО-220Ф1

θДжА

62,5

°К/В

ТО-251

100

°К/В

Соединение к случаю

ТО-220Ф/ТО-220Ф1

θДжК

5,5

°К/В

ТО-251

2,87

°К/В

 
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (ТДЖ = 25°С, если не указано иное)
 

ПАРАМЕТР

СИМВОЛ

УСЛОВИЯ ИСПЫТАНИЙ

МИНУТА

ТИП

МАКС

БЛОК

С ХАРАКТЕРИСТИК

Пробивное напряжение Сток-источника

БВДСС

ВГС=0В, ИД= 250μА

600

 

 

В

Течение утечки Сток-источника

ИДСС

ВДС=600В, ВГС=0В

 

 

1

µА

Течение утечки Ворот-источника

Передний

ИГСС

ВГС=30В, ВДС=0В

 

 

100

нА

Обратный

ВГС=-30В, ВДС=0В

 

 

-100

нА

НА ХАРАКТЕРИСТИКАХ

Напряжение тока порога ворот

ВГС (ТХ)

ВДС=ВГС, ИД=250μА

2,0

 

4,0

В

Статическое сопротивление На-государства Сток-источника

РДС (ДАЛЬШЕ)

ВГС=10В, ИД=1.0А

 

 

7,0

ХАРАКТЕРИСТИКИ ДИНАМИЧЕСКОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ

Входная емкость

КИСС

 
ВГС=0В, ВДС=25В, ф=1.0 МХз

 

190

 

пФ

Емкость выхода

КОСС

 

28

 

пФ

Обратная емкость передачи

КРСС

 

2

 

пФ

ХАРАКТЕРИСТИКИ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ

Полная обязанность ворот (примечание 1)

КГ

ВДС=200В, ВГС=10В, ИД=2.0А ИГ=1мА (примечание 1, 2)

 

7

 

нК

Обязанность Гатеоурсе

КГС

 

2,9

 

нК

Обязанность Ворот-стока

КГД

 

1,9

 

нК

Турн-он время задержки (примечание 1)

тД (ДАЛЬШЕ)

 
ВДС=300В, ВГС=10В, ИД=2.0А, РГ=25Ω (примечание 1, 2)

 

4

 

нс

Время восхода

тР

 

16

 

нс

Время задержки поворота-

тД ()

 

16

 

нс

Падени-время

тФ

 

19

 

нс

ОЦЕНКИ И ХАРАКТЕРИСТИКИ ДИОДА СТОКА ИСТОЧНИКА

Максимальный непрерывно протекающий ток Тел-диода

 

 

 

2

А

Максимальный Тел-диод пульсировал течение

ИЗМ

 

 

 

8

А

Пропускное напряжение диода Сток-источника (примечание 1)

ВСД

ВГС=0В, ИС=2.0А

 

 

1,4

В

Обратное время восстановления (примечание 1)

трр

ВГС=0В, ИС=2.0А,
дИФ/дт=100А/µс (Ноте1)

 

232

 

нс

Обратная обязанность спасения

Крр

 

1,1

 

µК

Примечания: 1. тест ИМПа ульс: ≤ 300µс ширины ИМПа ульс, ≤ 2% круга обязаностей.
   Существенно независимый рабочей температуры.
 
Сильный переключатель 2Н60 ТО-220Ф Мосфет канала транзистора уровня логики/н 3
Сильный переключатель 2Н60 ТО-220Ф Мосфет канала транзистора уровня логики/н 4
Сильный переключатель 2Н60 ТО-220Ф Мосфет канала транзистора уровня логики/н 5
Сильный переключатель 2Н60 ТО-220Ф Мосфет канала транзистора уровня логики/н 6
Сильный переключатель 2Н60 ТО-220Ф Мосфет канала транзистора уровня логики/н 7
 

Контактная информация
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Контактное лицо: David

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Оставьте сообщение

Мы скоро тебе перезвоним!