Главная страница Продукциятранзистор силы mosfet

Пакет держателя поверхности переключателя транзистора канала н режима повышения/Мосфет логики

Сертификация
Китай Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Сертификаты
Китай Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Сертификаты
Просмотрения клиента
мы сотрудничество с Хуа Сюан Янг в большинстве должны к их профессионализму, их сильному ответу к изготовлению на заказ продуктов нам, поселению всех наших потребностей и, прежде всего, они обеспечат качественных сервисов.

—— -- Джейсон от Канады

Под рекомендацией моего друга, мы знаем о Хуа Сюан Янг, старшем специалисте в полупроводнике и индустрии электронных блоков, которая позволяла мы уменьшить наше драгоценное время и для того чтобы затеять попытку другие фабрики.

—— -- Виктор от России

Оставьте нам сообщение

Пакет держателя поверхности переключателя транзистора канала н режима повышения/Мосфет логики

Пакет держателя поверхности переключателя транзистора канала н режима повышения/Мосфет логики
Пакет держателя поверхности переключателя транзистора канала н режима повышения/Мосфет логики

Большие изображения :  Пакет держателя поверхности переключателя транзистора канала н режима повышения/Мосфет логики

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Шэньчжэнь Китай
Фирменное наименование: Hua Xuan Yang
Сертификация: RoHS、SGS
Номер модели: 18Н20 ТО-263
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: переговоров
Цена: Negotiated
Упаковывая детали: Положенный в коробку
Время доставки: 1 до 2 недели
Условия оплаты: Соединение Л/К Т/Т западное
Поставка способности: 18,000,000ПКС/в день

Пакет держателя поверхности переключателя транзистора канала н режима повышения/Мосфет логики

описание
Название продукта: транзистор канала н Особенности: Поверхностный пакет держателя
Номер модели: 18Н20 ТО-263 напряжение тока Сток-источника: 200 в
Непрерывное течение стока: 18А Применения: переключатель мосфет логики
Высокий свет:

транзистор мосфет канала н

,

высоковольтный транзистор

Пакет держателя поверхности переключателя транзистора канала н режима повышения/Мосфет логики
 
Описание транзистора канала н
 
Технология 18Н20С выдвинутая пользами плоская
предусмотреть превосходный Рдс (дальше), низкие обязанность ворот и деятельность с напряжениями тока ворот как низкими как 2.5В. Этот прибор соответствующий для пользы как предохранение от батареи или в другом применении переключения.
Общие особенности
Вдс = ид 200В = 18А
Рдс (дальше) < 120mQ=""> 
Маркировка и упорядочение информации пакета
 

ИД продукта

Пакет

Отмечать

Кты (ПКС)

18Н20П

ТО-220

18Н20П ССС ИИИИ

1000

18Н20Ф

ТО-263

18Н20Ф ССС ИИИИ

1000

 
Абсолютный максимум оценок Тк=25°К если не указано иное
 

 Пакет держателя поверхности переключателя транзистора канала н режима повышения/Мосфет логики 0
МОСФЭТ режима повышения Н-канала 200В
 

Пакет держателя поверхности переключателя транзистора канала н режима повышения/Мосфет логики 1
 

Тест ИМПа ульс: Ширина ИМПа ульс < 300=""> 
Пакет держателя поверхности переключателя транзистора канала н режима повышения/Мосфет логики 2
Пакет держателя поверхности переключателя транзистора канала н режима повышения/Мосфет логики 3
Пакет держателя поверхности переключателя транзистора канала н режима повышения/Мосфет логики 4

План пакета ТО-252

Пакет держателя поверхности переключателя транзистора канала н режима повышения/Мосфет логики 5

РАЗМЕРЫ (блок: мм)

Символ

Минута

Тип

Макс

Символ

Минута

Тип

Макс

А

2,22

2,30

2,38

А1

0,46

0,58

0,93

б

0,71

0,79

0,89

б1

0,90

0,98

1,10

б2

5,00

5,30

5,46

к

0,20

0,40

0,56

Д1

5,98

6,05

6,22

Д2

--

4,00

--

Э

6,47

6,60

6,73

Э1

5,10

5,28

5,45

е

--

2,28

--

е1

--

4,57

--

Хд

9,60

10,08

10,40

Л

2,75

2,95

3,05

Л1

--

0,50

--

Л2

0,80

0,90

1,10

в

--

0,20

--

ы

0,20

--

--

 

 
Данные по пакета ТО-220-3Л
Пакет держателя поверхности переключателя транзистора канала н режима повышения/Мосфет логики 6

Символ

Размеры в миллиметрах

Размеры в дюймах

Минимальный.

Макс.

Минимальный.

Макс.

А

4,400

4,600

0,173

0,181

А1

2,250

2,550

0,089

0,100

б

0,710

0,910

0,028

0,036

б1

1,170

1,370

0,046

0,054

к

0,330

0,650

0,013

0,026

кл

1,200

1,400

0,047

0,055

Д

9,910

10,250

0,390

0,404

Э

8,9500

9,750

0,352

0,384

Э1

12,650

12,950

0,498

0,510

е

2,540 ТИП.

0,100 ТИПА.

ел

4,980

5,180

0,196

0,204

Ф

2,650

2,950

0,104

0,116

Х

7,900

8,100

0,311

0,319

х

0,000

0,300

0,000

0,012

Л

12,900

13,400

0,508

0,528

Л1

2,850

3,250

0,112

0,128

В

7,500 РЭФ.

0,295 РЭФ.

3,400

3,800

0,134

0,150

 
Данные по пакета О-263-2Л
Пакет держателя поверхности переключателя транзистора канала н режима повышения/Мосфет логики 7

СИМВОЛ

ИНК

ХИЭС

МИЛЛИМ

ЭТЭРС

НОТИЭС

МИНУТА

МАКС

МИНИ

МАКС

А

0,170

0,180

4,32

4,57

 

А1

-

0,010

-

0,25

 

б

0,028

0,037

0,71

0,94

 

б2

0,045

0,055

1,15

1,40

 

к

0,018

0,024

0,46

0,61

 

к2

0,04|8

0,055

1,22

1,40

 

Д

0,350

0,370

8,89

9,40

 

Д1И

0,315

0,324

8,01

8,23

 

Э

0,395

0,405

10,04

10,28

 

Э1

0,310

0,318

7,88

8,08

 

е

0,100

БСК.

2,54

БСК.

 

Л

0,580

0,620

14,73

15,75

 

Л1И

0,090

0,110

2,29

2,79

 

Л2

0,045

0,055

1,15

1,39

 

Л3

0,050

0,070

1,27

1,77

 

Б

кр

 

Контактная информация
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Контактное лицо: David

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Оставьте сообщение

Мы скоро тебе перезвоним!