Главная страница ПродукцияТранзистор влияния поля Мос

В транзистор влияния поля н Мос конфигураций/режим повышения канала п

Сертификация
Китай Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Сертификаты
Китай Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Сертификаты
Просмотрения клиента
мы сотрудничество с Хуа Сюан Янг в большинстве должны к их профессионализму, их сильному ответу к изготовлению на заказ продуктов нам, поселению всех наших потребностей и, прежде всего, они обеспечат качественных сервисов.

—— -- Джейсон от Канады

Под рекомендацией моего друга, мы знаем о Хуа Сюан Янг, старшем специалисте в полупроводнике и индустрии электронных блоков, которая позволяла мы уменьшить наше драгоценное время и для того чтобы затеять попытку другие фабрики.

—— -- Виктор от России

Оставьте нам сообщение

В транзистор влияния поля н Мос конфигураций/режим повышения канала п

В транзистор влияния поля н Мос конфигураций/режим повышения канала п
В транзистор влияния поля н Мос конфигураций/режим повышения канала п

Большие изображения :  В транзистор влияния поля н Мос конфигураций/режим повышения канала п

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Шэньчжэнь Китай
Фирменное наименование: Hua Xuan Yang
Сертификация: RoHS、SGS
Номер модели: 10П10 Д-У
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: 1000-2000 ПК
Цена: Negotiated
Упаковывая детали: Положенный в коробку
Время доставки: 1 до 2 недели
Условия оплаты: Соединение Л/К Т/Т западное
Поставка способности: 18,000,000ПКС/в день

В транзистор влияния поля н Мос конфигураций/режим повышения канала п

описание
Название продукта: Транзистор влияния поля Мос В напряжение тока Сток-источника ДСС: -100 в
В напряжение тока Ворот-источника ГСС: ±20 v Температура соединения т дж максимальная: °C 175
Диапазон температур хранения т СТГ: °К -55 до 175 Тип: В конфигурации
Высокий свет:

переключатель мосфет логики

,

водитель мосфет используя транзистор

В транзистор влияния поля н Мос конфигураций/режим повышения канала п

 

Введение транзистора влияния поля Мос

 

Технология МОСФЭТ идеальна для пользы в много применений силы, где низкий переключатель на сопротивлении позволяет высокие уровни эффективности быть достиганным.

Несколько различных разнообразий МОСФЭТ силы доступных от различных изготовителей, каждого со своими собственными характеристиками и способностей.

Много МОСФЭЦ силы включают вертикальную топологию структуры. Это включает сильнотоковое переключение с высокой эффективностью в пределах относительно небольшого умирает зона. Оно также позволяет прибор поддержать переключение большого тока и напряжения тока.

 

Описание Пин особенности транзистора влияния поля Мос


-100В/-10А
Р ДС (ДАЛЬШЕ) = (тип.) @В 187мΩ ГС = -10В
Р ДС (ДАЛЬШЕ) = (тип.) @В 208мΩ ГС = -4.5В
испытанное 100%Аваланче
Надежный и изрезанный
Галоид свободный и зеленое ДевисесАвайлабле
(РоХСКомплянт)

 

Применения транзистора влияния поля Мос


Управление силы для систем инвертора

 

Приказывая и отмечать информация


Код пакета


Д: ТО-252-2Л У: ТО-251-3Л
Материал собрания кода даты
ИИССС ВВ Г: Галоид освобождает


Примечание: Продукты ХУАИИ неэтилированные содержат литьевые массы/умирают материалы присоединения и платеТерми- олова штейна 100%
Финиш нации; что полно уступчивы с РоХС. Продукты ХУАИИ неэтилированные встречают или превышают неэтилированное требуют
менц ИПК/ДЖЭДЭК ДЖ-СТД-020 для классификации МСЛ на неэтилированной пиковой температуре рефлов. ХУАИИ определяет «зеленый цвет»
значить неэтилированное (РоХС уступчивое) и галоид свободный (Бр или Кл не превышают 900ппм по весу в однородном
материальный и полный Бр и Кл не превышает 1500ппм по весу).
ХУАИИ резервирует право сделать изменения, коррекции, повышения, изменения, и улучшения к этому пр
- одукт и/или к этому документу в любое время без предварительного уведомления

 

Абсолютный максимум оценок

 

В транзистор влияния поля н Мос конфигураций/режим повышения канала п 0

Примечание: * повторяющийся оценка; ширина ИМПа ульс ограничиваемая температурой макс.джунктион.
** Ограниченный т дж максимальным, начинающ т дж =25°К, л = 0.5мХ, ВД=-80В, в ГС =-10В.

 

Электрические характеристики (Тк =25°К УньлессОтервисеНотед)

 

В транзистор влияния поля н Мос конфигураций/режим повышения канала п 1

Электрические характеристики (Конт.) (Тк =25°К УньлессОтервисеНотед)

 

В транзистор влияния поля н Мос конфигураций/режим повышения канала п 2

Примечание: тест *Пульсе, пульсевидтх≤ 300ус, дутысикле≤ 2%

 

В транзистор влияния поля н Мос конфигураций/режим повышения канала п 3

 

 

Контактная информация
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Контактное лицо: David

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты

Оставьте сообщение

Мы скоро тебе перезвоним!