Главная страница ПродукцияТранзистор влияния поля Мос

Вертикальное управление силы конвертера транзистора влияния поля ДК/ДК Мос структуры

Сертификация
Китай Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Сертификаты
Китай Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Сертификаты
Просмотрения клиента
мы сотрудничество с Хуа Сюан Янг в большинстве должны к их профессионализму, их сильному ответу к изготовлению на заказ продуктов нам, поселению всех наших потребностей и, прежде всего, они обеспечат качественных сервисов.

—— -- Джейсон от Канады

Под рекомендацией моего друга, мы знаем о Хуа Сюан Янг, старшем специалисте в полупроводнике и индустрии электронных блоков, которая позволяла мы уменьшить наше драгоценное время и для того чтобы затеять попытку другие фабрики.

—— -- Виктор от России

Оставьте нам сообщение

Вертикальное управление силы конвертера транзистора влияния поля ДК/ДК Мос структуры

Вертикальное управление силы конвертера транзистора влияния поля ДК/ДК Мос структуры
Вертикальное управление силы конвертера транзистора влияния поля ДК/ДК Мос структуры

Большие изображения :  Вертикальное управление силы конвертера транзистора влияния поля ДК/ДК Мос структуры

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Шэньчжэнь Китай
Фирменное наименование: Hua Xuan Yang
Сертификация: RoHS、SGS
Номер модели: Г110П04ЛК1Д-У-В
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: переговоров
Цена: Negotiated
Упаковывая детали: Положенный в коробку
Время доставки: 1 до 2 недели
Условия оплаты: Соединение Л/К Т/Т западное
Поставка способности: 18,000,000ПКС/в день

Вертикальное управление силы конвертера транзистора влияния поля ДК/ДК Мос структуры

описание
Структура: вертикальная структура В напряжение тока Сток-источника ДСС: -40 в
В напряжение тока Ворот-источника ГСС: ±20 в Температура соединения т дж максимальная: °К -55 до 175
Диапазон температур хранения т СТГ: °К -55 до 175 И источник с Настоящ-непрерывный (диод тела): -50А
Высокий свет:

переключатель мосфет логики

,

водитель мосфет используя транзистор

Вертикальное управление силы конвертера транзистора влияния поля ДК/ДК Мос структуры

 

Типы МОСФЭТ силы

 

Внутри общая арена МОСФЭЦ силы, несколько специфических технологий которые были начаты и были обращаться к различными изготовителями. Они используют несколько различных методов которые позволяют МОСФЭЦ силы снести течение и отрегулировать уровни силы более эффективно. Как уже отмечалось они часто включают форму вертикальной структуры

Разные виды МОСФЭТ силы имеют различные атрибуты и поэтому могут особенно быть одеты для, который дали применений.

  • Плоскостный МОСФЭТ силы: Это основная форма МОСФЭТ силы. Хорошо для высоковольтных оценок потому что ДАЛЬШЕ сопротивление преобладано сопротивлением эпислоя. Эта структура вообще использована когда высокая плотность клеток не необходима.
  • ВМОС: МОСФЭЦ силы ВМОС доступны в течение многих лет. Фундаментальное понятие использует структуру паза в для того чтобы включить более вертикальную подачу течения, таким образом обеспечивающ более низко НА уровнях сопротивления и лучших характеристиках переключения. Хотя использованный для переключения силы, они могут также быть использованы для высокочастотных небольших усилителей силы РФ.
  • УМОС: Версия УМОС МОСФЭТ силы использует рощу подобную этому ФЭТ ВМОС. Однако роща имеет более плоское дно к ей и обеспечивает некоторые различные преимущества.
  • ХЭСФЭТ: Эта форма МОСФЭТ силы использует шестиугольную структуру для того чтобы обеспечить настоящую возможность.
  • ТренчМОС: Опять МОСФЭТ силы ТренчМОС использует подобные основные рощу или канаву в основном кремнии для того чтобы обеспечить лучшие пропускную способность и характеристики. В частности, МОСФЭЦ силы канавы главным образом использованы для напряжений тока над 200 вольтами из-за их плотности канала и следовательно их низкой НА сопротивлении.

Особенность

 

-40В/-50А
Р ДС (ДАЛЬШЕ) = (тип.) @В 9.1мΩ ГС = -10В
Р ДС (ДАЛЬШЕ) = (тип.) @В 12мΩ ГС = -4.5В
испытанная лавина 100%
Надежный и изрезанный
Галоид свободный и зеленые приборы доступные
(РоХС уступчивое)

 

Приказывая и отмечать информация

 

Д У В

Г110П04Л Г110П04Л Г110П04Л

 

Код пакета

 

Д: ТО-252-2Л У: ТО-251-3Л В: ТО-251-3С

 

Код даты

 

Примечание: Продукты ХУАИИ неэтилированные содержат литьевые массы/умирают материалы присоединения и платеТерми- олова штейна 100%
Финиш нации; что полно уступчивы с РоХС. Продукты ХУАИИ неэтилированные встречают или превышают неэтилированное требуют
менц ИПК/ДЖЭДЭК ДЖ-СТД-020 для классификации МСЛ на неэтилированной пиковой температуре рефлов. ХУАИИ определяет «зеленый цвет»
значить неэтилированное (РоХС уступчивое) и галоид свободный (Бр или Кл не превышают 900ппм по весу в однородном
материальный и полный Бр и Кл не превышает 1500ппм по весу).
ХУАИИ резервирует право сделать изменения, коррекции, повышения, изменения, и улучшения к этому пр
- одукт и/или к этому документу в любое время без предварительного уведомления.

 

Абсолютный максимум оценок

 

Вертикальное управление силы конвертера транзистора влияния поля ДК/ДК Мос структуры 0

Вертикальное управление силы конвертера транзистора влияния поля ДК/ДК Мос структуры 1

 

Контактная информация
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Контактное лицо: David

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты

Оставьте сообщение

Мы скоро тебе перезвоним!