Главная страница Продукциятранзистор силы mosfet

Транзистор влияния поля Мос канала н, транзистор наивысшей мощности -30В/-80А

Сертификация
Китай Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Сертификаты
Китай Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Сертификаты
Просмотрения клиента
мы сотрудничество с Хуа Сюан Янг в большинстве должны к их профессионализму, их сильному ответу к изготовлению на заказ продуктов нам, поселению всех наших потребностей и, прежде всего, они обеспечат качественных сервисов.

—— -- Джейсон от Канады

Под рекомендацией моего друга, мы знаем о Хуа Сюан Янг, старшем специалисте в полупроводнике и индустрии электронных блоков, которая позволяла мы уменьшить наше драгоценное время и для того чтобы затеять попытку другие фабрики.

—— -- Виктор от России

Оставьте нам сообщение

Транзистор влияния поля Мос канала н, транзистор наивысшей мощности -30В/-80А

Транзистор влияния поля Мос канала н, транзистор наивысшей мощности -30В/-80А
Транзистор влияния поля Мос канала н, транзистор наивысшей мощности -30В/-80А

Большие изображения :  Транзистор влияния поля Мос канала н, транзистор наивысшей мощности -30В/-80А

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Шэньчжэнь Китай
Фирменное наименование: Hua Xuan Yang
Сертификация: RoHS、SGS
Номер модели: Г045П03ЛК1К2
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: переговоров
Цена: Negotiated
Упаковывая детали: Положенный в коробку
Время доставки: 1 до 2 недели
Условия оплаты: Соединение Л/К Т/Т западное
Поставка способности: 18,000,000ПКС/в день

Транзистор влияния поля Мос канала н, транзистор наивысшей мощности -30В/-80А

описание
Название продукта: транзистор влияния поля мос канала н Номер модели: Г045П03ЛК1К2
власть: -30В/-80А Р мΩ 3,8 ДС (ДАЛЬШЕ) = (тип.): @В ГС = -10В
Р мΩ 6,2 ДС (ДАЛЬШЕ) = (тип.): @В ГС = -4.5В Применение: Переключения
Высокий свет:

транзистор мосфет канала н

,

высоковольтный транзистор

Транзистор влияния поля Мос канала н, транзистор наивысшей мощности -30В/-80А

 

Описание транзистора влияния поля Мос канала н

 

-30В/-80А
Р мΩ 3,8 ДС (ДАЛЬШЕ) = (тип.) @В ГС = -10В
Р мΩ 6,2 ДС (ДАЛЬШЕ) = (тип.) @В ГС = -4.5В
Испытанная лавина 100%
Надежный и изрезанный
Приборы галоида свободные доступные

 

Применения транзистора влияния поля Мос канала н

 

Применение переключения
Управление силы для ДК/ДК
Предохранение от батареи

 

Приказывая и отмечать информация

 

К2
Г045П03

 

Код пакета
К2: ППАК5*6-8Л
Код даты

 

Примечание: Продукты ХУАИИ неэтилированные содержат литьевые массы/умирают материалы присоединения и плита олова Терми- штейна 100%
Финиш нации; что полно уступчивы с РоХС. Продукты ХУАИИ неэтилированные встречают или превышают неэтилированное требуют
менц ИПК/ДЖЭДЭК ДЖ-СТД-020 для классификации МСЛ на неэтилированной пиковой температуре рефлов. ХУАИИ определяет
«Зеленый цвет» для того чтобы значить неэтилированное (РоХС уступчивое) и галоид свободный (Бр или Кл не превышают 900ппм по весу внутри
однородные материал и итог Бр и Кл не превышают 1500ппм по весу).
ХУАИИ резервирует право сделать изменения, коррекции, повышения, изменения, и улучшения к этому пр
одукт и/или к этому документу в любое время без предварительного уведомления.

 

Абсолютный максимум оценок

Транзистор влияния поля Мос канала н, транзистор наивысшей мощности -30В/-80А 0

 

Типичные характеристики Оператинг

 

 

Транзистор влияния поля Мос канала н, транзистор наивысшей мощности -30В/-80А 1

 

Контактная информация
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Контактное лицо: David

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Оставьте сообщение

Мы скоро тебе перезвоним!