Главная страница Продукциятранзистор силы mosfet

Транзистор силы Мосфет канала АП5Н10СИ н для системы батареи использующей энергию

Сертификация
Китай Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Сертификаты
Китай Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Сертификаты
Просмотрения клиента
мы сотрудничество с Хуа Сюан Янг в большинстве должны к их профессионализму, их сильному ответу к изготовлению на заказ продуктов нам, поселению всех наших потребностей и, прежде всего, они обеспечат качественных сервисов.

—— -- Джейсон от Канады

Под рекомендацией моего друга, мы знаем о Хуа Сюан Янг, старшем специалисте в полупроводнике и индустрии электронных блоков, которая позволяла мы уменьшить наше драгоценное время и для того чтобы затеять попытку другие фабрики.

—— -- Виктор от России

Оставьте нам сообщение

Транзистор силы Мосфет канала АП5Н10СИ н для системы батареи использующей энергию

Транзистор силы Мосфет канала АП5Н10СИ н для системы батареи использующей энергию
Транзистор силы Мосфет канала АП5Н10СИ н для системы батареи использующей энергию Транзистор силы Мосфет канала АП5Н10СИ н для системы батареи использующей энергию Транзистор силы Мосфет канала АП5Н10СИ н для системы батареи использующей энергию

Большие изображения :  Транзистор силы Мосфет канала АП5Н10СИ н для системы батареи использующей энергию

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Шэньчжэнь Китай
Фирменное наименование: Hua Xuan Yang
Сертификация: RoHS、SGS
Номер модели: АП5Н10СИ
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: переговоров
Цена: Negotiated
Упаковывая детали: Положенный в коробку
Время доставки: 1 до 2 недели
Условия оплаты: Соединение Л/К Т/Т западное
Поставка способности: 18,000,000ПКС/в день

Транзистор силы Мосфет канала АП5Н10СИ н для системы батареи использующей энергию

описание
Название продукта: Транзистор силы Мосфет канала н модель: АП5Н10СИ
Пакет: SOT89-3 Маркировать: АП5Н10СИ ИИВВВВ
Напряжение тока ВДСДрайн-источника: 100V Напряжение тока рсе ВГСГате-Соу: ±20А
Высокий свет:

транзистор мосфет канала н

,

высоковольтный транзистор

Транзистор силы Мосфет канала АП5Н10СИ н для системы батареи использующей энергию

 

Описание транзистора силы Мосфет канала н:

 

АП5Н10СИ одиночная логика Н-канала

транзисторы влияния поля силы режима повышения к

обеспечьте превосходный р ДС (дальше), низкие обязанность ворот и низкий

сопротивление вентильного провода. Оно до напряжения тока деятельности 30В хорошо подойдет в электропитании режима переключения, СМПС,

управление и другое силы ноутбука

цепи батареи использующие энергию.

 

Особенности транзистора силы Мосфет канала н:

 

РДС (ДАЛЬШЕ)<125m>

РДС (ДАЛЬШЕ)<135m>

Супер хигх-денситы дизайн клетки для весьма - низкой

На-сопротивление РДС (ДАЛЬШЕ) исключительное и течение ДК максимума

 

Применения транзистора силы Мосфет канала н:

 

Электропитание переключения, СМПС

Система батареи использующая энергию

Конвертер ДК/ДК

Конвертер ДК/АК

Переключатель нагрузки

 

Маркировка и упорядочение информации пакета

 

ИД продукта Пакет Отмечать Кты (ПКС)
АП5Н10СИ СОТ89-3 АП5Н10СИ ИИВВВВ 1000

 

Оценки таблицы 1.Абсолуте максимальные (ЖИВОТИКИ =25℃)

 

 

Символ Параметр Значение Блок
ВДС Напряжение тока Сток-источника (ВГС=0В) 100 В
ВГС Напряжение тока Ворот-источника (ВДС=0В) ±25 В

 

Д

И

Стеките Настоящ-непрерывное (℃ Тк=25) 5 А
Стеките Настоящ-непрерывное (℃ Тк=100) 3,1 А
ИДМ (плузе) Стеките Куррент-Континуоус@ Настоящ-пульсировал (примечание 1) 20 А
ПД Максимальная диссипация силы 9,3 В
ТДЖ, ТСТГ Работая диапазон температур соединения и хранения -55 до 150
Символ Параметр Значение Блок
ВДС Напряжение тока Сток-источника (ВГС=0В) 100 В
ВГС Напряжение тока Ворот-источника (ВДС=0В) ±25 В

 

Д

И

Стеките Настоящ-непрерывное (℃ Тк=25) 5 А
Стеките Настоящ-непрерывное (℃ Тк=100) 3,1 А
ИДМ (плузе) Стеките Куррент-Континуоус@ Настоящ-пульсировал (примечание 1) 20 А
ПД Максимальная диссипация силы 9,3 В
ТДЖ, ТСТГ Работая диапазон температур соединения и хранения -55 до 150

 

Характеристика таблицы 2.Тхэрмал

 

Символ Параметр Тип Значение Блок
Р ДЖА Термальное сопротивление, Соединени-к-окружающее - 13,5 ℃/В

 

Характеристики таблицы 3. электрические (в противном случае замеченные ЖИВОТИКИ =25℃уньлесс)

 

Символ Параметр Условия Минута Тип Макс Блок
Включено-выключено государства          
БВДСС Пробивное напряжение Сток-источника ВГС=0В ИД=250μА 100     В
ИДСС Зеро течение стока напряжения тока ворот ВДС=100В, ВГС=0В     100 μА
ИГСС Течение утечки Ворот-тела ВГС=±20В, ВДС=0В     ±100 нА
ВГС (тх) Напряжение тока порога ворот ВДС=ВГС, μА ИД=250 1 1,5 3 В

 

РДС (ДАЛЬШЕ)

 

Сопротивление На-государства Сток-источника

ВГС=10В, ИД= 10А   110 125 м Ω
ВГС=4.5В, ИД=-5А   120 135 м Ω
Характеристики динамической чувствительности
Сисс Входная емкость

 

ВДС=25В, ВГС=0В, ф=1.0МХз

  690   пФ
Косс Емкость выхода   120   пФ
Крсс Обратная емкость передачи   90   пФ
Времена переключения
тд (дальше) Турн-он время задержки     11   нС

р

т

Турн-он время восхода   7,4   нС
тд () Время задержки поворота-   35   нС

ф

т

Время падения поворота-   9,1   нС
Кг Полная обязанность ворот ВДС=15В, ИД=10А В ГС=10В   15,5   нК
Кгс Обязанность Ворот-источника   3,2   нК
Кгд Обязанность Ворот-стока   4,7   нК
Характеристики диода Источник-стока
ИСД Течение Источник-стока (диод тела)       20 А
ВСД Препровождайте на напряжении тока (примечании 1) ВГС=0В, ИС=2А     0,8 В

 

Паять Рефлов:

 

Выбор метода топления может быть повлиян на пластиковым пакетом КФП). Если использованы инфракрасный или топление участка пара и

пакет совершенно не сух (меньше чем 0,1% содержания влаги по весу), испарение небольшого количества влаги

в их смогите причинить трескать пластикового тела. Подогрев необходим для того чтобы высушить затир и испарить связывающее вещество. Продолжительность подогрева: 45 минут на 45 °К.

 

Паять Рефлов требует затира припоя (подвеса точных частиц, потока и связывающего вещества припоя) быть приложенным к плате с печатным монтажом печатанием, трафаретить или давлени-шприцем экрана распределяя перед размещением пакета. Несколько методов существуют для рефловинг; например, конвекция или конвекция/ультракрасное топление в типе печи транспортера. Времена объема (подогрев, паяя и охлаждая) меняют между 100 и 200 секундами в зависимости от метода топления.

 

Типичная температурная амплитуда пика рефлов от 215 к °К 270 в зависимости от материала затира припоя. Верхн-поверхность

температура пакетов предпочтительный быть сдержанным под °К 245 для толщиной/большие пакетов (пакеты с толщиной

 

2,5 мм или с томом 350 мм

3

так называемые толстые/большие пакеты). Температура верхн-поверхности пакетов

 

предпочтительный держите под °К 260 для тонких/небольших пакетов (пакетов с толщиной < 2="">

 

Этап Условие Продолжительность
1' Рам ст вверх по тарифу макс3.0+/-2 /sec -
Подогрейте 150 ~200 сек 60~180
2' Рам нд вверх макс3.0+/-2 /sec -
Соединение припоя 217 выше сек 60~150
Пиковый Темп 260 +0/-5 сек 20~40
Рам тариф вниз 6 /sec максимальное -

 

Паять волны:

 

Обычный одиночный паять волны не порекомендован для поверхностных приборов (SMDs) держателя или плат с печатным монтажом с высокой компонентной плотностью, по мере того как наводить и не-обрызгивание припоя могут представить главные проблемы.

 

Паять руководства:

 

Зафиксируйте компонент сперва паять 2 раскосн-противоположных руководства конца. Используйте 24 в или) паяя утюг низшего напряжения (приложенный к плоской части руководства. Время срабатывания контакта необходимо ограничиваться до 10 секунд на до 300 °К. При использовании преданного инструмента, все другие руководства можно припаять в одной деятельности не позднее 2 до 5 секунды между 270 и 320 °К.

Контактная информация
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Контактное лицо: David

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Оставьте сообщение

Мы скоро тебе перезвоним!