Главная страница Продукциятранзистор силы mosfet

Водитель Мосфет АП6Х03С используя транзистор, прочный высокий транзистор Амп

Сертификация
Китай Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Сертификаты
Китай Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Сертификаты
Просмотрения клиента
мы сотрудничество с Хуа Сюан Янг в большинстве должны к их профессионализму, их сильному ответу к изготовлению на заказ продуктов нам, поселению всех наших потребностей и, прежде всего, они обеспечат качественных сервисов.

—— -- Джейсон от Канады

Под рекомендацией моего друга, мы знаем о Хуа Сюан Янг, старшем специалисте в полупроводнике и индустрии электронных блоков, которая позволяла мы уменьшить наше драгоценное время и для того чтобы затеять попытку другие фабрики.

—— -- Виктор от России

Оставьте нам сообщение

Водитель Мосфет АП6Х03С используя транзистор, прочный высокий транзистор Амп

Водитель Мосфет АП6Х03С используя транзистор, прочный высокий транзистор Амп
Водитель Мосфет АП6Х03С используя транзистор, прочный высокий транзистор Амп Водитель Мосфет АП6Х03С используя транзистор, прочный высокий транзистор Амп

Большие изображения :  Водитель Мосфет АП6Х03С используя транзистор, прочный высокий транзистор Амп

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Шэньчжэнь Китай
Фирменное наименование: Hua Xuan Yang
Сертификация: RoHS、SGS
Номер модели: АП6Х03С
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: переговоров
Цена: Negotiated
Упаковывая детали: Положенный в коробку
Время доставки: 1 до 2 недели
Условия оплаты: Соединение Л/К Т/Т западное
Поставка способности: 18,000,000ПКС/в день

Водитель Мосфет АП6Х03С используя транзистор, прочный высокий транзистор Амп

описание
Название продукта: Водитель Мосфет используя транзистор модель: АП6Х03С
Пакет: СОП-8 Отмечать: АП6Х03С ИИВВВВ
Напряжение тока ВДСДрайн-источника: 30в Напряжение тока рсе ВГСГате-Соу: ±20А
Высокий свет:

транзистор мосфет канала н

,

высоковольтный транзистор

Водитель Мосфет АП6Х03С используя транзистор, прочный высокий транзистор Амп

 

Водитель Мосфет используя описание транзистора:

 

Канава выдвинутая АП6Х03Сузес
технология для того чтобы обеспечить превосходный РДС (ДАЛЬШЕ) и низкую обязанность ворот.
Комплементарные МОСФЭЦ могут быть использованы для того чтобы сформировать а
уровень перенес высокий бортовой переключатель, и для хозяина другого
применения

 

Водитель Мосфет используя особенности транзистора

Н-канал
ВДС = 30В, ИД =7.5А
НЧаннел РДС (ДАЛЬШЕ < 16m=""> )
ВДС = 30В, ИД =7.5А
Наивысшая мощность РДС (ДАЛЬШЕ < 16m=""> ) и настоящая вручая возможность
Неэтилированный продукт приобретен
Поверхностный пакет держателя

 

Водитель Мосфет используя применение транзистора


Цепи ● крепко переключенные и высокочастотные
Электропитание ● бесперебойное

 

 

Маркировка и упорядочение информации пакета

 

 

ИД продукта Пакет Отмечать Кты (ПКС)
АП6Х03С СОП-8 АП6Х03С ИИВВВВ 3000

 

Абсолютный максимум оценок Тк=25℃ если не указано иное

 

 

Символ Параметр Классифицировать Блоки
ВДС Напряжение тока Сток-источника 30 В
ВГС Напряжение тока рсе ворот-Соу ±20 В

 

Д

И

Течение стока – непрерывное (ТК=25℃) 7,5 А
Течение стока – непрерывное (ТК=100℃) 4,8 А
ИДМ Течение стока – Пульсед1 30 А
ЭАС Одиночная энергия 2 лавины ИМПа ульс 14 мДж
ИАС Одиночное течение 2 Аваланчед ИМПа ульс 17 А

 

ПД

Диссипация силы (ТК=25℃) 2,1 В
Диссипация силы – Дерате над 25℃ 0,017 В/℃
ТСТГ Диапазон температур хранения -55 до 150
ТДЖ Работая диапазон температур соединения -55 до 150
Символ Параметр Классифицировать Блоки
ВДС Напряжение тока Сток-источника 30 В
ВГС Напряжение тока рсе ворот-Соу ±20 В

 

Д

И

Течение стока – непрерывное (ТК=25℃) 7,5 А
Течение стока – непрерывное (ТК=100℃) 4,8 А
ИДМ Течение стока – Пульсед1 30 А
ЭАС Одиночная энергия 2 лавины ИМПа ульс 14 мДж
ИАС Одиночное течение 2 Аваланчед ИМПа ульс 17 А

 

ПД

Диссипация силы (ТК=25℃) 2,1 В
Диссипация силы – Дерате над 25℃ 0,017 В/℃
ТСТГ Диапазон температур хранения -55 до 150
ТДЖ Работая диапазон температур соединения -55 до 150

 

Термальные характеристики

 

Символ Параметр Тип. Макс. Блок
РθДжА Соединение термального сопротивления к окружающему --- 60 ℃/В

 

Электрические характеристики (ТДЖ =25, если не указано иное) с характеристик

 

 

Символ Параметр Условия Минимальный. Тип. Макс. Блок
БВДСС Пробивное напряжение Сток-источника ВГС=0В, ИД=250уА 30 --- --- В
△ БВДСС/△ ТДЖ Коэффициент температуры БВДСС Ссылка на 25℃•, ИД=1мА --- 0,04 --- В/℃

 

ИДСС

 

Течение утечки Сток-источника

ВДС=30В, ВГС=0В, ТДЖ=25℃ --- --- 1 уА
ВДС=24В, ВГС=0В, ТДЖ=125℃ --- --- 10 уА
ИГСС Течение утечки Ворот-источника ВГС=± 20В, ВДС=0В --- --- ± 100 нА
Символ Параметр Условия Минимальный. Тип. Макс. Блок
БВДСС Пробивное напряжение Сток-источника ВГС=0В, ИД=250уА 30 --- --- В
△ БВДСС/△ ТДЖ Коэффициент температуры БВДСС Ссылка на 25℃•, ИД=1мА --- 0,04 --- В/℃

 

ИДСС

 

Течение утечки Сток-источника

ВДС=30В, ВГС=0В, ТДЖ=25℃ --- --- 1 уА
ВДС=24В, ВГС=0В, ТДЖ=125℃ --- --- 10 уА
ИГСС Течение утечки Ворот-источника ВГС=± 20В, ВДС=0В --- --- ± 100 нА

 

РДС (ДАЛЬШЕ) Статическое На-сопротивление Сток-источника ВГС=10В, ИД=6А --- 15 20 мΩ
ВГС=4.5В, ИД=3А --- 23 30 мΩ
ВГС (тх) Напряжение тока порога ворот ВГС=ВДС, И =250УА 1,2 1,5 2,5 В
△ВГС (тх) Коэффициент температуры ВГС (тх) --- -4 --- мВ/℃
гфс Передний Транскондуктансе ВДС=10В, И Д=6А --- 13 --- С

 

Кг Полные ворота Чарге3, 4   --- 4,1 8  
Кгс Обязанность 3 Ворот-источника, 4 --- 1 2
Кгд Обязанность Ворот-стока --- 2,1 4
Тд (дальше) Турн-Он время задержки 3, 4   --- 2,6 5  
Тр Время восхода --- 7,2 14
Тд () Время задержки 3 поворота-, 4 --- 15,8 30
Тф Время падения 3, 4 --- 4,6 9
Сисс Входная емкость   --- 345 500  
Косс Емкость выхода --- 55 80
Крсс Обратная емкость передачи --- 32 55
Рг Сопротивление вентильного провода ВГС=0В, ВДС=0В, ф=1МХз --- 3,2 6,4 Ω

 

Непрерывное течение источника

 

ВГ=ВД=0В, течение силы

--- --- 7,5 А
ИЗМ Пульсированное течение источника --- --- 30 А
ВСД Диод препровождает Волтаге3 ВГС=0В, ИС=1А, ТДЖ=25℃ --- --- 1 В

рр

т

Обратное время восстановления ВГС=0В, ИС=1А, ди/дт=100А/µс --- --- --- нс
Крр Обратная обязанность спасения --- --- --- нК
Непрерывное течение источника

 

ВГ=ВД=0В, течение силы

--- --- 7,5 А
ИЗМ Пульсированное течение источника --- --- 30 А
ВСД Диод препровождает Волтаге3 ВГС=0В, ИС=1А, ТДЖ=25℃ --- --- 1 В

рр

т

Обратное время восстановления ВГС=0В, ИС=1А, ди/дт=100А/µс --- --- --- нс
Крр Обратная обязанность спасения --- --- --- нК

 

Паять Рефлов

Выбор метода топления может быть повлиян на пластиковым пакетом КФП). Если инфракрасный или топление участка пара использованы и пакет совершенно не сух (меньше чем 0,1% содержания влаги по весу), то испарение небольшого количества влаги в их может причинить трескать пластикового тела. Подогрев необходим для того чтобы высушить затир и испарить связывающее вещество. Продолжительность подогрева: 45 минут на 45 °К.

 

Паять Рефлов требует затира припоя (подвеса точных частиц, потока и связывающего вещества припоя) быть приложенным к плате с печатным монтажом печатанием, трафаретить или давлени-шприцем экрана распределяя перед размещением пакета. Несколько методов существуют для рефловинг; например, конвекция или конвекция/ультракрасное топление в типе печи транспортера. Времена объема (подогрев, паяя и охлаждая) меняют между 100 и 200 секундами в зависимости от метода топления.

 

Типичная температурная амплитуда пика рефлов от 215 к °К 270 в зависимости от материала затира припоя. Верхн-поверхность

температура пакетов предпочтительный быть сдержанным под °К 245 для толщиной/большие пакетов (пакеты с толщиной

2,5 мм или с томом толстые 350 мм так называемые/большие пакеты). Температура верхн-поверхности пакетов предпочтительный быть сдержанным под °К 260 для тонких/небольших пакетов (пакетов с толщиной < 2="">

 

1' Рам ст вверх по тарифу макс3.0+/-2 /sec -
Подогрейте 150 ~200 сек 60~180
2' Рам нд вверх макс3.0+/-2 /sec -
Соединение припоя 217 выше сек 60~150
Пиковый Темп 260 +0/-5 сек 20~40
Рам тариф вниз 6 /sec максимальное -

Паять волны:

Обычный одиночный паять волны не порекомендован для поверхностных приборов (SMDs) держателя или плат с печатным монтажом с высокой компонентной плотностью, по мере того как наводить и не-обрызгивание припоя могут представить главные проблемы.

 

Паять руководства:

Зафиксируйте компонент сперва паять 2 раскосн-противоположных руководства конца. Используйте 24 в или) паяя утюг низшего напряжения (приложенный к плоской части руководства. Время срабатывания контакта необходимо ограничиваться до 10 секунд на до 300 °К. При использовании преданного инструмента, все другие руководства можно припаять в одной деятельности не позднее 2 до 5 секунды между 270 и 320 °К.

 

Контактная информация
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Контактное лицо: David

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Оставьте сообщение

Мы скоро тебе перезвоним!