|
Подробная информация о продукте:
|
| Название продукта: | транзистор силы mosfet | модель: | АП10Н10ДИ |
|---|---|---|---|
| Пакет: | TO-252-3 | Маркировать: | АП10Н10Д ССС ИИИИ |
| Напряжение тока ВДСДрайн-источника: | 100V | Напряжение тока рсе ВГСГате-Соу: | ±20А |
| Высокий свет: | транзистор мосфет канала н,высоковольтный транзистор |
||
транзистор силы АП10Н10ДИ Мосфет 10А 100В для переключая электропитаний
Описание транзистора силы Мосфет:
Технология канавы АП10Н10Д/И выдвинутая пользами и
конструируйте обеспечить превосходный РДС (ДАЛЬШЕ) с низкой обязанностью ворот.
Ее можно использовать в большом разнообразии применений.
Особенности транзистора силы Мосфет
ВДС = 100В, ИД = 10А
Дизайн клетки РДС ( <160m>
ДАЛЬШЕ) РДС ( <170m>
ДАЛЬШЕ) хигх-денситы для ультра низкого Рдсон
Полностью, который характеризуют напряжение тока и течение лавины
Превосходный пакет для хорошего тепловыделения
Применение транзистора силы Мосфет
Применение переключения силы
Крепко переключенные и высокочастотные цепи
Бесперебойное электропитание
Маркировка и упорядочение информации пакета
| ИД продукта | Пакет | Отмечать | Кты (ПКС) |
| АП10Н10Д | ТО-252-3 | АП10Н10Д ССС ИИИИ | 2500 |
| АП10Н10И | ТО-251-3 | АП10Н10И ССС ИИИИ | 4000 |
Абсолютный максимум оценок (в противном случае замеченного Т а =25℃уньлесс)
| Параметр | Символ | Предел | Блок |
| Напряжение тока Сток-источника | ВДС | 100 | В |
| Напряжение тока Ворот-источника | ВГС | ±20 | В |
| Стеките Настоящ-непрерывное | ИД | 10 | А |
| Стеките Настоящ-пульсированный (примечание 1) | ИДМ | 20 | А |
| Максимальная диссипация силы | ПД | 40 | В |
| Работая диапазон температур соединения и хранения | ТДЖ, ТСТГ | -55 до 175 | ℃ |
| Термальное сопротивление, Соединени-к-случай (примечание 2) | РθДжК | 3,75 | ℃/В |
Электрические характеристики (в противном случае замеченные ЖИВОТИКИ =25℃уньлесс)
| Параметр | Символ | Условие | Минута | Тип | Макс | Блок |
| Пробивное напряжение Сток-источника | БВДСС | ВГС=0В ИД=250μА | 100 | - | - | В |
| Зеро течение стока напряжения тока ворот | ИДСС | ВДС=100В, ВГС=0В | - | - | 1 | μА |
| Течение утечки Ворот-тела | ИГСС | ВГС=±12В, ВДС=0В | - | - | ±100 | нА |
| Напряжение тока порога ворот | ВГС (тх) | ВДС=ВГС, μА ИД=250 | 1,0 | 2,5 | В | |
|
Сопротивление На-государства Сток-источника |
РДС (ДАЛЬШЕ) |
ВГС=10В, ИД=3А | - | 140 | 160 |
мΩ |
| ВГС=4.5В, ИД=3А | - | 160 | 170 | |||
| Передний Транскондуктансе | гФС | ВДС=5В, ИД=3А | - | 5 | - | С |
| Входная емкость | Кльсс |
ВДС=50В, ВГС=0В, Ф=1.0МХз |
- | 650 | - | ПФ |
| Емкость выхода | Косс | - | 25 | - | ПФ | |
| Обратная емкость передачи | Крсс | - | 20 | - | ПФ | |
| Турн-он время задержки | тд (дальше) | - | 6 | - | нС | |
| Турн-он время восхода |
р т |
- | 4 | - | нС | |
| Время задержки поворота- | тд () | - | 20 | - | нС | |
| Время падения поворота- |
ф т |
- | 4 | - | нС | |
| Полная обязанность ворот | Кг |
ВДС=50В, ИД=3А, |
- | 20,6 | нК | |
| Обязанность Ворот-источника | Кгс | - | 2,1 | - | нК | |
| Обязанность Ворот-стока | Кгд | - | 3,3 | - | нК | |
| Пропускное напряжение диода (примечание 3) | ВСД | ВГС=0В, ИС=3А | - | - | 1,2 | В |
| Пропускной ток диода (примечание 2) |
С И |
- | - | 7 | А |
| Параметр | Символ | Условие | Минута | Тип | Макс | Блок |
| Пробивное напряжение Сток-источника | БВДСС | ВГС=0В ИД=250μА | 100 | - | - | В |
| Зеро течение стока напряжения тока ворот | ИДСС | ВДС=100В, ВГС=0В | - | - | 1 | μА |
| Течение утечки Ворот-тела | ИГСС | ВГС=±12В, ВДС=0В | - | - | ±100 | нА |
| Напряжение тока порога ворот | ВГС (тх) | ВДС=ВГС, μА ИД=250 | 1,0 | 2,5 | В | |
|
Сопротивление На-государства Сток-источника |
РДС (ДАЛЬШЕ) |
ВГС=10В, ИД=3А | - | 140 | 160 |
мΩ |
| ВГС=4.5В, ИД=3А | - | 160 | 170 | |||
| Передний Транскондуктансе | гФС | ВДС=5В, ИД=3А | - | 5 | - | С |
| Входная емкость | Кльсс |
ВДС=50В, ВГС=0В, Ф=1.0МХз |
- | 650 | - | ПФ |
| Емкость выхода | Косс | - | 25 | - | ПФ | |
| Обратная емкость передачи | Крсс | - | 20 | - | ПФ | |
| Турн-он время задержки | тд (дальше) | ВДД=50В, РЛ=19Ω ВГС=10В, РГ=3Ω |
- | 6 | - | нС |
| Турн-он время восхода |
р т |
- | 4 | - | нС | |
| Время задержки поворота- | тд () | - | 20 | - | нС | |
| Время падения поворота- |
ф т |
- | 4 | - | нС | |
| Полная обязанность ворот | Кг |
ВДС=50В, ИД=3А, |
- | 20,6 | нК | |
| Обязанность Ворот-источника | Кгс | - | 2,1 | - | нК | |
| Обязанность Ворот-стока | Кгд | - | 3,3 | - | нК | |
| Пропускное напряжение диода (примечание 3) | ВСД | ВГС=0В, ИС=3А ВГС=10В | - | - | 1,2 | В |
| Пропускной ток диода (примечание 2) |
С И |
- | - | 7 | А |
Примечания:
1. повторяющийся оценка: Ширина ИМПа ульс ограничиваемая максимальной температурой соединения.
2. поверхность установленная на ФР4 доске, сек ≤ 10 т.
3. Тест ИМПа ульс: ≤ 300μс ширины ИМПа ульс, ≤ 2% круга обязаностей.
4. Гарантированный дизайн, не подчиненный к продукции
Внимание
1, любые и все продукты микроэлектроники АПМ описанное или, который содержать здесь не имеют спецификации которые могут отрегулировать применения которые требуют весьма высоких уровней надежности, как системы искусственного жизнеобеспечения, системы управления воздушного судна, или другие применения отказ которых можно разумно предполагать, что приведет в серьезных медицинском осмотре и/или материальном ущербе. Советуйте с с ваше близко микроэлектроники АПМ репрезентивное вами перед использованием всех продуктов микроэлектроники АПМ описанных или, который содержать здесь в таких применениях.
2, микроэлектроника АПМ не принимают никакую ответственность за отказы оборудования которые следуют из использование продуктов на значениях которые превышают, даже мгновенно, нормированные величины (как максимальные оценки, ряды эксплуатационного режима, или другие параметры) перечисленные в технических характеристиках изделия любых и всех продуктов микроэлектроники АПМ описанных или, который содержать здесь.
3, спецификации из любых и все продукты микроэлектроники АПМ описали или содержать здесь инстипулате представление, характеристики, и функции описанных продуктов в суверенном государстве, и нет гарантий представления, характеристик, и функций описанных продуктов как установлено в продуктах или оборудовании клиента. Для проверки симптомов и государств которые нельзя оценить в независимом приборе, клиент должен всегда оценивать и испытывать приборы установленные в продуктах или оборудовании клиента.
4, КО. полупроводника микроэлектроники АПМ, ЛТД. стремятся поставить высококачественные высокие продукты надежности. Однако, любые и все продукты полупроводника терпят неудачу с некоторой вероятностью. Возможно что эти вероятностные отказы смогли дать подъем авариям или событиям которые смогли угрожать человеческие жизни которые смогли дать подъем для курения или для того чтобы увольнять, или которые смогло причинить повреждение к другому свойству. Оборудование Вхэндесиньинг, устанавливает меры безопасности так, что эти виды аварий или событий не смогут произойти. Такие измерения включают но не ограничены к защитным цепям и цепям предохранения ошибки для безопасного дизайна, резервного дизайна, и структурного дизайна.
5, в случае если любые продукты микроэлектроники АПМ (включая технические данные, обслуживания) описанные или, который содержать здесь проконтролированы под любым из применимых местных законов и постановления экспортного контроля, такие продукты необходимо экспортировать без получать экспортную лицензию от властей, который относят в соответствии с вышеуказанным законом.
6, никакая часть этого издания могут быть воспроизведены или переданы в любую форму или любыми средствами, электронный или механический, включая фотокопинг и записывать, или любые информационную память или систему поиска информации, или в противном случае, без прежнего написанного разрешения КО. полупроводника микроэлектроники АПМ, ЛТД.
7, информация (включая принципиальные схемы и параметры цепи) здесь например только; не гарантировано для объема продукции. Микроэлектроника АПМ считает, что информация здесь точна и надежна, но никакие гарантии не сделаны или подразумеваны относительно своей пользы или любых нарушений прав интеллектуальной собственности или других прав третьих лиц.
подлежат, что изменяют 8, любые и вся информация описанные или, который содержать здесь без предварительного уведомления должное к продукту/улучшению технологии, етк. конструируя оборудование, ссылаются на «условия поставки» для продукта микроэлектроники АПМ который вы планируете использовать.
Контактное лицо: David
