Главная страница Продукциятранзистор силы mosfet

Транзистор переключателя мощности АП12Н10Д, первоначальный транзистор силы кремния

Сертификация
Китай Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Сертификаты
Китай Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Сертификаты
Просмотрения клиента
мы сотрудничество с Хуа Сюан Янг в большинстве должны к их профессионализму, их сильному ответу к изготовлению на заказ продуктов нам, поселению всех наших потребностей и, прежде всего, они обеспечат качественных сервисов.

—— -- Джейсон от Канады

Под рекомендацией моего друга, мы знаем о Хуа Сюан Янг, старшем специалисте в полупроводнике и индустрии электронных блоков, которая позволяла мы уменьшить наше драгоценное время и для того чтобы затеять попытку другие фабрики.

—— -- Виктор от России

Оставьте нам сообщение

Транзистор переключателя мощности АП12Н10Д, первоначальный транзистор силы кремния

Транзистор переключателя мощности АП12Н10Д, первоначальный транзистор силы кремния
Транзистор переключателя мощности АП12Н10Д, первоначальный транзистор силы кремния Транзистор переключателя мощности АП12Н10Д, первоначальный транзистор силы кремния Транзистор переключателя мощности АП12Н10Д, первоначальный транзистор силы кремния

Большие изображения :  Транзистор переключателя мощности АП12Н10Д, первоначальный транзистор силы кремния

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Шэньчжэнь Китай
Фирменное наименование: Hua Xuan Yang
Сертификация: RoHS、SGS
Номер модели: АП12Н10Д
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: переговоров
Цена: Negotiated
Упаковывая детали: Положенный в коробку
Время доставки: 1 до 2 недели
Условия оплаты: Соединение Л/К Т/Т западное
Поставка способности: 18,000,000ПКС/в день

Транзистор переключателя мощности АП12Н10Д, первоначальный транзистор силы кремния

описание
Название продукта: транзистор переключателя мощности модель: АП12Н10Д
Пакет: TO-252 Маркировать: АП12Н10Д
Напряжение тока ВДСДрайн-источника: 100V Напряжение тока рсе ВГСГате-Соу: ±20А
Высокий свет:

транзистор мосфет канала н

,

высоковольтный транзистор

Транзистор переключателя мощности АП12Н10Д, первоначальный транзистор силы кремния

 

Общее описание:

 

Технология канавы АП12Н10Д выдвинутая пользами
обеспечить превосходный РДС (ДАЛЬШЕ), низкую обязанность ворот и
деятельность с напряжениями тока ворот как низкими как 4.5В. Это
прибор соответствующий для пользы как а
Предохранение от батареи или в другом применении переключения.

 

Общие особенности

 

ИД ВДС = 100В = 5А
РДС (ДАЛЬШЕ) < 140m="">

 

 

Применение

 

Предохранение от батареи
Переключатель нагрузки
Бесперебойное электропитание

 

Маркировка и упорядочение информации пакета

 

ИД продукта Пакет Отмечать Кты (ПКС)
АП12Н10Д ТО-252 АП12Н10Д 3000

 

Абсолютный максимум оценок на Тдж=25℃ если не указано иное

 

Параметр Символ Значение Блок
Стеките напряжение тока источника ВДС 100 В
Напряжение тока источника ворот ВГС ±20 В
Непрерывное течение стока, ℃ ТК=25 ИД 12 А
Пульсированное течение стока, ℃ т =25 ИД, ИМП ульс 24 А
Диссипация силы, ℃ т К=25

П

Д

17 В
Определите пульсированную энергию лавины 5) ЭАС 1,2 мДж
Температура деятельности и хранения Цтг, Тдж -55 до 150
Термальное сопротивление, соединени-случай РθДжК 7,4 ℃/в
Термальное сопротивление, джунктион-амбиент4) РθДжА 62 ℃/в

 

Электрические характеристики на ℃ Тдж=25 если не указано иное

 

Символ Параметр Условие испытаний Минимальный. Тип. Макс. Блок
БВДСС пробивное напряжение Сток-источника В =0 в, μА ИД=250 100     В
ВГС (тх) Напряжение тока порога ворот В =В, μА ИД=250 1,2 1,5 2,5 В
РДС (ДАЛЬШЕ) сопротивление на-государства Сток-источника ВГС=10 В, ИД=5 А   110 140 мΩ
РДС (ДАЛЬШЕ) сопротивление на-государства Сток-источника В =4.5 В, ИД=3 А   140 180 мΩ

 

ИГСС

 

течение утечки Ворот-источника

В =20 В     100

 

нА

В =-20 В     -100
ИДСС течение утечки Сток-источника ВДС=100 В, ВГС=0 В     1 уА
Сисс Входная емкость В =0 В,   206,1   пФ
Косс Емкость выхода   28,9   пФ
Крсс Обратная емкость передачи   1,4   пФ
тд (дальше) Турн-он время задержки

ВГС=10 В,

ВДС=50 В,

  14,7   нс
тр Время восхода   3,5   нс
тд () Время задержки поворота-   20,9   нс

т

ф

Время падения   2,7   нс
Кг Полная обязанность ворот     4,3   нК
Кгс обязанность Ворот-источника   1,5   нК
Кгд обязанность Ворот-стока   1,1   нК
Вплатеау Напряжение тока плато ворот   5,0   В
Пропускной ток диода

 

ВГС

    7

 

А

ИСП Пульсированное течение источника     21
ВСД Пропускное напряжение диода ИС=7 А, ВГС=0 В     1,0 В

т

рр

Обратное время восстановления     32,1   нс
Крр Обратная обязанность спасения   39,4   нК
Иррм Пиковое течение обратного спасения   2,1   А
Символ Параметр Условие испытаний Минимальный. Тип. Макс. Блок
БВДСС пробивное напряжение Сток-источника В =0 в, μА ИД=250 100     В
ВГС (тх) Напряжение тока порога ворот В =В, μА ИД=250 1,2 1,5 2,5 В
РДС (ДАЛЬШЕ) сопротивление на-государства Сток-источника ВГС=10 В, ИД=5 А   110 140 мΩ
РДС (ДАЛЬШЕ) сопротивление на-государства Сток-источника В =4.5 В, ИД=3 А   140 180 мΩ

 

ИГСС

 

течение утечки Ворот-источника

В =20 В     100

 

нА

В =-20 В     -100
ИДСС течение утечки Сток-источника ВДС=100 В, ВГС=0 В     1 уА
Сисс Входная емкость В =0 В,   206,1   пФ
Косс Емкость выхода   28,9   пФ
Крсс Обратная емкость передачи   1,4   пФ
тд (дальше) Турн-он время задержки

ВГС=10 В,

ВДС=50 В,

  14,7   нс
тр Время восхода   3,5   нс
тд () Время задержки поворота-   20,9   нс

т

ф

Время падения   2,7   нс
Кг Полная обязанность ворот ИД=5 А,
ВДС=50 В,
ВГС=10 В
  4,3   нК
Кгс обязанность Ворот-источника   1,5   нК
Кгд обязанность Ворот-стока   1,1   нК
Вплатеау Напряжение тока плато ворот   5,0   В
Пропускной ток диода

 

ВГС

    7

 

А

ИСП Пульсированное течение источника     21
ВСД Пропускное напряжение диода ИС=7 А, ВГС=0 В     1,0 В

т

рр

Обратное время восстановления ИС=5 а, ди/дт=100
А/μс
  32,1   нс
Крр Обратная обязанность спасения   39,4   нК
Иррм Пиковое течение обратного спасения   2,1   А

 

Внимание

 

1, любые и все продукты микроэлектроники АПМ описанное или, который содержать здесь не имеют спецификации которые могут отрегулировать применения которые требуют весьма высоких уровней надежности, как системы искусственного жизнеобеспечения, системы управления воздушного судна, или другие применения отказ которых можно разумно предполагать, что приведет в серьезных медицинском осмотре и/или материальном ущербе. Советуйте с с ваше близко микроэлектроники АПМ репрезентивное вами перед использованием всех продуктов микроэлектроники АПМ описанных или, который содержать здесь в таких применениях.

2, микроэлектроника АПМ не принимают никакую ответственность за отказы оборудования которые следуют из использование продуктов на значениях которые превышают, даже мгновенно, нормированные величины (как максимальные оценки, ряды эксплуатационного режима, или другие параметры) перечисленные в технических характеристиках изделия любых и всех продуктов микроэлектроники АПМ описанных или, который содержать здесь.

3, спецификации из любых и все продукты микроэлектроники АПМ описали или содержать здесь инстипулате представление, характеристики, и функции описанных продуктов в суверенном государстве, и нет гарантий представления, характеристик, и функций описанных продуктов как установлено в продуктах или оборудовании клиента. Для проверки симптомов и государств которые нельзя оценить в независимом приборе, клиент должен всегда оценивать и испытывать приборы установленные в продуктах или оборудовании клиента.

4, КО. полупроводника микроэлектроники АПМ, ЛТД. стремятся поставить высококачественные высокие продукты надежности. Однако, любые и все продукты полупроводника терпят неудачу с некоторой вероятностью. Возможно что эти вероятностные отказы смогли дать подъем авариям или событиям которые смогли угрожать человеческие жизни которые смогли дать подъем для курения или для того чтобы увольнять, или которые смогло причинить повреждение к другому свойству. Оборудование Вхэндесиньинг, устанавливает меры безопасности так, что эти виды аварий или событий не смогут произойти. Такие измерения включают но не ограничены к защитным цепям и цепям предохранения ошибки для безопасного дизайна, резервного дизайна, и структурного дизайна.

5, в случае если любые продукты микроэлектроники АПМ (включая технические данные, обслуживания) описанные или, который содержать здесь проконтролированы под любым из применимых местных законов и постановления экспортного контроля, такие продукты необходимо экспортировать без получать экспортную лицензию от властей, который относят в соответствии с вышеуказанным законом.

6, никакая часть этого издания могут быть воспроизведены или переданы в любую форму или любыми средствами, электронный или механический, включая фотокопинг и записывать, или любые информационную память или систему поиска информации, или в противном случае, без прежнего написанного разрешения КО. полупроводника микроэлектроники АПМ, ЛТД.

7, информация (включая принципиальные схемы и параметры цепи) здесь например только; не гарантировано для объема продукции. Микроэлектроника АПМ считает, что информация здесь точна и надежна, но никакие гарантии не сделаны или подразумеваны относительно своей пользы или любых нарушений прав интеллектуальной собственности или других прав третьих лиц.

подлежат, что изменяют 8, любые и вся информация описанные или, который содержать здесь без предварительного уведомления должное к продукту/улучшению технологии, етк. конструируя оборудование, ссылаются на «условия поставки» для продукта микроэлектроники АПМ который вы планируете использовать.

 

Контактная информация
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Контактное лицо: David

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Оставьте сообщение

Мы скоро тебе перезвоним!