|
Подробная информация о продукте:
|
| Название продукта: | Транзистор силы Мосфет | модель: | АП25Н10С |
|---|---|---|---|
| Пакет: | СОП-8 | Отмечать: | АП25Н10С ССС ИИИИ |
| Напряжение тока ВДСДрайн-источника: | 100В | Напряжение тока рсе ВГСГате-Соу: | ±20В |
| Высокий свет: | транзистор мосфет канала н,высоковольтный транзистор |
||
Конвертеры транзистора силы 25А Мосфет АП25Н10С 100В ТО-252 СОП-8 ДК-ДК
Описание транзистора силы Мосфет:
Польза предварительное ВД АП25Н10С БОЛЬШИНСТВ технология к
обеспечьте низкий РДС (ДАЛЬШЕ), низкую обязанность ворот, быстрое переключение
Этот прибор специально конструирован для того чтобы получить лучшую пересеченность
и соответствующий для того чтобы использовать внутри
Низкий РДС (дальше) & ФОМ
Весьма - низкая потеря переключения
Превосходные стабильность и единообразие или инверторы
Особенности транзистора силы Мосфет
ВДС =100В И Д =25 А
РДС (ДАЛЬШЕ) < 55m="">
РДС (ДАЛЬШЕ) < 85m="">
Применение транзистора силы Мосфет
Управление мотора электропитания потребителя электронное
ДК изолированный Одновременн-выпрямлением
применения Одновременн-выпрямления
Маркировка и упорядочение информации пакета
| ИД продукта | Пакет | Отмечать | Кты (ПКС) |
| АП25Н10С | СОП-8 | АП25Н10С ССС ИИИИ | 3000 |
| АП25Н10Д | ТО-252-3 | АП25Н10Д ССС ИИИИ | 2500 |
Абсолютный максимум Ratings@Tj =25 к (если не указано иное)
| Символ | Параметр | Классифицировать | Блоки |
| ВДС | Напряжение тока Сток-источника | 100 | В |
| ВГС | Напряжение тока Ворот-источника | +20 | В |
| ID@TC =25℃ | Стеките течение, ВГС @ 10В | 25 | А |
| ID@TC =100℃ | Стеките течение, ВГС @ 10В | 15 | А |
| ИДМ | Пульсированный сток Куррент1 | 60 | А |
| PD@TC =25℃ | Диссипация полной силы | 44,6 | В |
| PD@TA =25℃ | Диссипация полной силы | 2 | В |
| Т СТГ | Диапазон температур хранения | -55 до 150 | ℃ |
| Т Дж | Работая диапазон температур соединения | -55 до 150 |
℃ |
| Ртхдж-к | Максимальное термальное сопротивление, Соединени-случай | 2,8 | ℃/В |
| Ртхдж-а |
Максимальное термальное сопротивление, Соединени-окружающее (Держатель ПКБ) |
62,5 | ℃/В |
Электрическое Characteristics@Tj =25 к (если не указано иное)
| Символ | Параметр | Условия испытаний | Минимальный. | Тип. | Макс. | Блоки |
| БВДСС | Пробивное напряжение Сток-источника | ВГС =0В, ИД =250УА | 100 | - | - | В |
| РДС (ДАЛЬШЕ) |
Статический Сток-источник на Ресистансе2 |
ВГС =10В, И =12А | - | - | 55 | мΩ |
| ВГС =5В, ИД =8А | - | - | 85 | мΩ | ||
| ВГС (тх) | Напряжение тока порога ворот | ВДС =ВГС, ИД =250УА | 0,9 | - | 2,5 | В |
| гфс | Передний Транскондуктансе | ВДС =10В, И =12А | - | 14 | - | С |
| ИДСС | Течение утечки Сток-источника | ВДС =80В, ВГС =0В | - | - | 25 | уА |
| ИГСС | Утечка Ворот-источника | ВГС = +20В, ВДС =0В | - | - | +100 | нА |
| Кг | Полные ворота Чарге2 | ИД=12А | - | 13,5 | 21,6 | нК |
| Кгс | Обязанность Ворот-источника | - | 3 | - | нК | |
| Кгд | Обязанность Ворот-стока («Миллер») | - | 9 | - | нК | |
| тд (дальше) | Турн-он задержка Тиме2 | ВДС =50В | - | 6,5 | - | нс |
| тр | Время восхода | - | 18 | - | нс | |
| тд () | Время задержки поворота- | - | 20 | - | нс | |
| тф | Время падения | - | 5 | - | нс | |
| Сисс | Входная емкость |
ВГС =0В ВДС =25В |
- | 840 | 1340 | пФ |
| Косс | Емкость выхода | - | 115 | - | пФ | |
| Крсс | Обратная емкость передачи | - | 80 | - | пФ | |
| Рг | Сопротивление вентильного провода | ф=1.0МХз | - | 1,6 | - | Ω |
| ВСД | Препровождайте на Волтаге2 | ИС=12А, ВГС =0В | - | - | 1,3 | В |
| трр | Обратное спасение Тиме2 |
ИС=12А, ВГС =0В дИ/дт=100А/µс |
- | 40 | - | нс |
| Крр | Обратная обязанность спасения | - | 70 | - | нК |
| Символ | Параметр | Условия испытаний | Минимальный. | Тип. | Макс. | Блоки |
| БВДСС | Пробивное напряжение Сток-источника | ВГС =0В, ИД =250УА | 100 | - | - | В |
| РДС (ДАЛЬШЕ) |
Статический Сток-источник на Ресистансе2 |
ВГС =10В, И =12А | - | - | 55 | мΩ |
| ВГС =5В, ИД =8А | - | - | 85 | мΩ | ||
| ВГС (тх) | Напряжение тока порога ворот | ВДС =ВГС, ИД =250УА | 0,9 | - | 2,5 | В |
| гфс | Передний Транскондуктансе | ВДС =10В, И =12А | - | 14 | - | С |
| ИДСС | Течение утечки Сток-источника | ВДС =80В, ВГС =0В | - | - | 25 | уА |
| ИГСС | Утечка Ворот-источника | ВГС = +20В, ВДС =0В | - | - | +100 | нА |
| Кг | Полные ворота Чарге2 | ИД=12А | - | 13,5 | 21,6 | нК |
| Кгс | Обязанность Ворот-источника | - | 3 | - | нК | |
| Кгд | Обязанность Ворот-стока («Миллер») | - | 9 | - | нК | |
| тд (дальше) | Турн-он задержка Тиме2 | ВДС =50В | - | 6,5 | - | нс |
| тр | Время восхода | - | 18 | - | нс | |
| тд () | Время задержки поворота- | - | 20 | - | нс | |
| тф | Время падения | - | 5 | - | нс | |
| Сисс | Входная емкость |
ВГС =0В ВДС =25В |
- | 840 | 1340 | пФ |
| Косс | Емкость выхода | - | 115 | - | пФ | |
| Крсс | Обратная емкость передачи | - | 80 | - | пФ | |
| Рг | Сопротивление вентильного провода | ф=1.0МХз | - | 1,6 | - | Ω |
| ВСД | Препровождайте на Волтаге2 | ИС=12А, ВГС =0В | - | - | 1,3 | В |
| трр | Обратное спасение Тиме2 |
ИС=12А, ВГС =0В дИ/дт=100А/µс |
- | 40 | - | нс |
| Крр | Обратная обязанность спасения | - | 70 | - | нК |
Примечания:
1. Ширина ИМПа ульс ограничиваемая максимальной температурой соединения. тест 2.Пульсе
3.Сурфасе установленное на 1 внутри
медная пусковая площадка 2 доски ФР4
Внимание
1, любые и все продукты микроэлектроники АПМ описанное или, который содержать здесь не имеют спецификации которые могут отрегулировать применения которые требуют весьма высоких уровней надежности, как системы искусственного жизнеобеспечения, системы управления воздушного судна, или другие применения отказ которых можно разумно предполагать, что приведет в серьезных медицинском осмотре и/или материальном ущербе. Советуйте с с ваше близко микроэлектроники АПМ репрезентивное вами перед использованием всех продуктов микроэлектроники АПМ описанных или, который содержать здесь в таких применениях.
2, микроэлектроника АПМ не принимают никакую ответственность за отказы оборудования которые следуют из использование продуктов на значениях которые превышают, даже мгновенно, нормированные величины (как максимальные оценки, ряды эксплуатационного режима, или другие параметры) перечисленные в технических характеристиках изделия любых и всех продуктов микроэлектроники АПМ описанных или, который содержать здесь.
3, спецификации из любых и все продукты микроэлектроники АПМ описали или содержать здесь инстипулате представление, характеристики, и функции описанных продуктов в суверенном государстве, и нет гарантий представления, характеристик, и функций описанных продуктов как установлено в продуктах или оборудовании клиента. Для проверки симптомов и государств которые нельзя оценить в независимом приборе, клиент должен всегда оценивать и испытывать приборы установленные в продуктах или оборудовании клиента.
4, КО. полупроводника микроэлектроники АПМ, ЛТД. стремятся поставить высококачественные высокие продукты надежности. Однако, любые и все продукты полупроводника терпят неудачу с некоторой вероятностью. Возможно что эти вероятностные отказы смогли дать подъем авариям или событиям которые смогли угрожать человеческие жизни которые смогли дать подъем для курения или для того чтобы увольнять, или которые смогло причинить повреждение к другому свойству. Оборудование Вхэндесиньинг, устанавливает меры безопасности так, что эти виды аварий или событий не смогут произойти. Такие измерения включают но не ограничены к защитным цепям и цепям предохранения ошибки для безопасного дизайна, резервного дизайна, и структурного дизайна.
5, в случае если любые продукты микроэлектроники АПМ (включая технические данные, обслуживания) описанные или, который содержать здесь проконтролированы под любым из применимых местных законов и постановления экспортного контроля, такие продукты необходимо экспортировать без получать экспортную лицензию от властей, который относят в соответствии с вышеуказанным законом.
6, никакая часть этого издания могут быть воспроизведены или переданы в любую форму или любыми средствами, электронный или механический, включая фотокопинг и записывать, или любые информационную память или систему поиска информации, или в противном случае, без прежнего написанного разрешения КО. полупроводника микроэлектроники АПМ, ЛТД.
7, информация (включая принципиальные схемы и параметры цепи) здесь например только; не гарантировано для объема продукции. Микроэлектроника АПМ считает, что информация здесь точна и надежна, но никакие гарантии не сделаны или подразумеваны относительно своей пользы или любых нарушений прав интеллектуальной собственности или других прав третьих лиц.
подлежат, что изменяют 8, любые и вся информация описанные или, который содержать здесь без предварительного уведомления должное к продукту/улучшению технологии, етк. конструируя оборудование, ссылаются на «условия поставки» для продукта микроэлектроники АПМ который вы планируете использовать.
Контактное лицо: David
