|
Подробная информация о продукте:
|
| Название продукта: | транзистор силы mosfet | модель: | АП8205С |
|---|---|---|---|
| Пакет: | SOT23-6 | Маркировать: | 8205S |
| Напряжение тока ВДСДрайн-источника: | 20В | Напряжение тока рсе ВГСГате-Соу: | ±12В |
| Высокий свет: | транзистор мосфет канала н,высоковольтный транзистор |
||
Солнечный транзистор силы Мосфет инверторов 6А 20В с высокой скоростью переключения
Описание транзистора силы Мосфет:
Технология канавы АП8205С выдвинутая пользами
обеспечить превосходный РДС (ДАЛЬШЕ), низкая обязанность ворот
и деятельность с напряжениями тока ворот как низкими как 2.5В.
Этот прибор соответствующий для пользы как батарея
защита или в другом применении переключения.
Особенности транзистора силы Мосфет
ВДС = 20В, ИД = 6А
РДС (ДАЛЬШЕ) < 20="">
РДС (ДАЛЬШЕ) < 27="">
Применение транзистора силы Мосфет
Предохранение от батареи
Переключатель нагрузки
Бесперебойное электропитание
Маркировка и упорядочение информации пакета
| ИД продукта | Пакет | Отмечать | Кты (ПКС) |
| АП8205С | СОТ23-6 | 8205С | 3000 |
Электрическое Characteristics@Tj =25К (если не указано иное)
| Символ | Параметр | Условия испытаний | Минимальный. | Тип. | Макс. | Блоки |
| БВДСС | Пробивное напряжение Сток-источника | ВГС=0В, ИД=250уА | 20 | - | - | В |
| РДС (ДАЛЬШЕ) | Статическое На-сопротивление Сток-источника | ВГС=4.5В, И Д=6А | - | 20,5 | 27 | мΩ |
| ВГС=2.5В, И Д=4А | - | 27 | 37 | мΩ | ||
| ВГС (тх) | Напряжение тока порога ворот | ВДС=ВГС, ИД=250уА | - | 0,75 | 1,2 | В |
| гфс | Передний Транскондуктансе | ВДС=10В, ИД=6А | - | 6 | - | С |
| ИДСС | Течение утечки Сток-источника | ВДС=20В, ВГС=0В | - | - | 25 | уА |
|
Течение утечки Сток-источника (Тдж=70 к) |
ВДС=20В, ВГС=0В | - | - | 250 | уА | |
| ИГСС | Утечка Ворот-источника | ВГС=+12В, ВДС=0В | - | - | +100 | нА |
| Кг | Полная обязанность 2 ворот | ИД=6А | - | 11 | 17,6 | нК |
| Кгс | Обязанность Ворот-источника | - | 1,1 | - | нК | |
| Кгд | Обязанность Ворот-стока («Миллер») | - | 4,1 | - | нК | |
| тд (дальше) | Турн-он время задержки 2 | ВДС=10В | - | 4,2 | - | нс |
|
р т |
Время восхода | - | 9 | - | нс | |
| тд () | Время задержки поворота- | - | 23 | - | нс | |
|
ф т |
Время падения | - | 3,5 | - | нс | |
| Сисс | Входная емкость |
ВГС=0В |
- | 570 | 910 | пФ |
| Косс | Емкость выхода | - | 90 | - | пФ | |
| Крсс | Обратная емкость передачи | - | 85 | - | пФ | |
| Рг | Сопротивление вентильного провода | ф=1.0МХз | - | 1,6 | 2,4 | Ω |
| ВСД | Препровождайте на Волтаге2 | ИС=1.7А, ВГС=0В | - | - | 1,2 | В |
| трр | Обратное время восстановления 2 | ИС=6А, ВГС=0В, дИ/дт=100А/µс | - | 21 | - | нс |
| Крр | Обратная обязанность спасения | - | 14 | - | нК |
| Символ | Параметр | Условия испытаний | Минимальный. | Тип. | Макс. | Блоки |
| БВДСС | Пробивное напряжение Сток-источника | ВГС=0В, ИД=250уА | 20 | - | - | В |
| РДС (ДАЛЬШЕ) | Статическое На-сопротивление Сток-источника | ВГС=4.5В, И Д=6А | - | 20,5 | 27 | мΩ |
| ВГС=2.5В, И Д=4А | - | 27 | 37 | мΩ | ||
| ВГС (тх) | Напряжение тока порога ворот | ВДС=ВГС, ИД=250уА | - | 0,75 | 1,2 | В |
| гфс | Передний Транскондуктансе | ВДС=10В, ИД=6А | - | 6 | - | С |
| ИДСС | Течение утечки Сток-источника | ВДС=20В, ВГС=0В | - | - | 25 | уА |
|
Течение утечки Сток-источника (Тдж=70 к) |
ВДС=20В, ВГС=0В | - | - | 250 | уА | |
| ИГСС | Утечка Ворот-источника | ВГС=+12В, ВДС=0В | - | - | +100 | нА |
| Кг | Полная обязанность 2 ворот | ИД=6А | - | 11 | 17,6 | нК |
| Кгс | Обязанность Ворот-источника | - | 1,1 | - | нК | |
| Кгд | Обязанность Ворот-стока («Миллер») | - | 4,1 | - | нК | |
| тд (дальше) | Турн-он время задержки 2 | ВДС=10В | - | 4,2 | - | нс |
|
р т |
Время восхода | - | 9 | - | нс | |
| тд () | Время задержки поворота- | - | 23 | - | нс | |
|
ф т |
Время падения | - | 3,5 | - | нс | |
| Сисс | Входная емкость |
ВГС=0В |
- | 570 | 910 | пФ |
| Косс | Емкость выхода | - | 90 | - | пФ | |
| Крсс | Обратная емкость передачи | - | 85 | - | пФ | |
| Рг | Сопротивление вентильного провода | ф=1.0МХз | - | 1,6 | 2,4 | Ω |
| ВСД | Препровождайте на Волтаге2 | ИС=1.7А, ВГС=0В | - | - | 1,2 | В |
| трр | Обратное время восстановления 2 | ИС=6А, ВГС=0В, дИ/дт=100А/µс | - | 21 | - | нс |
| Крр | Обратная обязанность спасения | - | 14 | - | нК |
Внимание
1, любые и все продукты микроэлектроники АПМ описанное или, который содержать здесь не имеют спецификации которые могут отрегулировать применения которые требуют весьма высоких уровней надежности, как системы искусственного жизнеобеспечения, системы управления воздушного судна, или другие применения отказ которых можно разумно предполагать, что приведет в серьезных медицинском осмотре и/или материальном ущербе. Советуйте с с ваше близко микроэлектроники АПМ репрезентивное вами перед использованием всех продуктов микроэлектроники АПМ описанных или, который содержать здесь в таких применениях.
2, микроэлектроника АПМ не принимают никакую ответственность за отказы оборудования которые следуют из использование продуктов на значениях которые превышают, даже мгновенно, нормированные величины (как максимальные оценки, ряды эксплуатационного режима, или другие параметры) перечисленные в технических характеристиках изделия любых и всех продуктов микроэлектроники АПМ описанных или, который содержать здесь.
3, спецификации из любых и все продукты микроэлектроники АПМ описали или содержать здесь инстипулате представление, характеристики, и функции описанных продуктов в суверенном государстве, и нет гарантий представления, характеристик, и функций описанных продуктов как установлено в продуктах или оборудовании клиента. Для проверки симптомов и государств которые нельзя оценить в независимом приборе, клиент должен всегда оценивать и испытывать приборы установленные в продуктах или оборудовании клиента.
4, КО. полупроводника микроэлектроники АПМ, ЛТД. стремятся поставить высококачественные высокие продукты надежности. Однако, любые и все продукты полупроводника терпят неудачу с некоторой вероятностью. Возможно что эти вероятностные отказы смогли дать подъем авариям или событиям которые смогли угрожать человеческие жизни которые смогли дать подъем для курения или для того чтобы увольнять, или которые смогло причинить повреждение к другому свойству. Оборудование Вхэндесиньинг, устанавливает меры безопасности так, что эти виды аварий или событий не смогут произойти. Такие измерения включают но не ограничены к защитным цепям и цепям предохранения ошибки для безопасного дизайна, резервного дизайна, и структурного дизайна.
5, в случае если любые продукты микроэлектроники АПМ (включая технические данные, обслуживания) описанные или, который содержать здесь проконтролированы под любым из применимых местных законов и постановления экспортного контроля, такие продукты необходимо экспортировать без получать экспортную лицензию от властей, который относят в соответствии с вышеуказанным законом.
6, никакая часть этого издания могут быть воспроизведены или переданы в любую форму или любыми средствами, электронный или механический, включая фотокопинг и записывать, или любые информационную память или систему поиска информации, или в противном случае, без прежнего написанного разрешения КО. полупроводника микроэлектроники АПМ, ЛТД.
7, информация (включая принципиальные схемы и параметры цепи) здесь например только; не гарантировано для объема продукции. Микроэлектроника АПМ считает, что информация здесь точна и надежна, но никакие гарантии не сделаны или подразумеваны относительно своей пользы или любых нарушений прав интеллектуальной собственности или других прав третьих лиц.
подлежат, что изменяют 8, любые и вся информация описанные или, который содержать здесь без предварительного уведомления должное к продукту/улучшению технологии, етк. конструируя оборудование, ссылаются на «условия поставки» для продукта микроэлектроники АПМ который вы планируете использовать.
Контактное лицо: David
