Главная страница ПродукцияТранзисторы силы подсказки

температура хранения -55-150 плотности клеток держателя поверхности транзисторов серии подсказки 2Н3904 высокая

Сертификация
Китай Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Сертификаты
Китай Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Сертификаты
Просмотрения клиента
мы сотрудничество с Хуа Сюан Янг в большинстве должны к их профессионализму, их сильному ответу к изготовлению на заказ продуктов нам, поселению всех наших потребностей и, прежде всего, они обеспечат качественных сервисов.

—— -- Джейсон от Канады

Под рекомендацией моего друга, мы знаем о Хуа Сюан Янг, старшем специалисте в полупроводнике и индустрии электронных блоков, которая позволяла мы уменьшить наше драгоценное время и для того чтобы затеять попытку другие фабрики.

—— -- Виктор от России

Оставьте нам сообщение

температура хранения -55-150 плотности клеток держателя поверхности транзисторов серии подсказки 2Н3904 высокая

температура хранения -55-150 плотности клеток держателя поверхности транзисторов серии подсказки 2Н3904 высокая
температура хранения -55-150 плотности клеток держателя поверхности транзисторов серии подсказки 2Н3904 высокая

Большие изображения :  температура хранения -55-150 плотности клеток держателя поверхности транзисторов серии подсказки 2Н3904 высокая

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Шэньчжэнь Китай
Фирменное наименование: Hua Xuan Yang
Сертификация: RoHS、SGS
Номер модели: 2N3904
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: 1000-2000 ПК
Цена: Negotiated
Упаковывая детали: Положенный в коробку
Время доставки: 1 до 2 недели
Условия оплаты: Соединение Л/К Т/Т западное
Поставка способности: 18,000,000ПКС/в день

температура хранения -55-150 плотности клеток держателя поверхности транзисторов серии подсказки 2Н3904 высокая

описание
Название продукта: тип триода полупроводника Применение: мобильный источник питания привел управление водителя/мотора
Материал: кремний напряжение тока Излучател-основания: 6v
Случае: Лента/поднос/вьюрок
Высокий свет:

транзистор пньп подсказки

,

транзистор пньп наивысшей мощности

СОТ-89-3Л Пластмасс-помещают ТРАНЗИСТОР транзисторов 2Н3904 (НПН).

 

 

 

ОСОБЕННОСТЬ

Транзистор кремния Ÿ НПН эпитаксиальный плоскостный для переключать и применений усилителя

Порекомендовано Ÿ как комплементарный тип, транзистор 2Н3906 ПНП

Этот транзистор Ÿ также доступен в случае СОТ-23 с типовым обозначением ММБТ3904

 

 

температура хранения -55-150 плотности клеток держателя поверхности транзисторов серии подсказки 2Н3904 высокая 0

 

УПОРЯДОЧЕНИЕ ИНФОРМАЦИИ

Номер детали Пакет Способ уплотнения прокладками Количество пакета
2Н3904 ТО-92 Большая часть 1000пкс/Баг
2Н3904-ТА ТО-92 Лента 2000пкс/Бокс

 

МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ (животики =25Š если не указано иное)

 

Символ Параметр Значение Блок
ВКБО Напряжение тока коллектора- база 60 В
ВКЭО Напряжение тока коллектор- эмиттера 40 В
ВЭБО Напряжение тока Излучател-основания 6 В
ИК Течение сборника - непрерывное 0,2 А
ПК Диссипация силы сборника 0,625 В
ТДж Температура соединения 150 Š
Цтг Температура хранения -55-150 Š

 

 

Животики =25 Š если не указано иное

 

Параметр Символ Условия испытаний Минута Тип Макс Блок
Пробивное напряжение коллектора- база В (БР) КБО ИК=10ΜА, Т.Е. =0 60     В
Пробивное напряжение коллектор- эмиттера ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР В (БР) ИК= 1мА, ИБ=0 40     В
пробивное напряжение Излучател-основания В (БР) ЭБО Т.Е. = 10µА, ИК=0 6     В
Течение выключения сборника ИКБО ВКБ=60В, Т.Е. =0     0,1 µА
Течение выключения сборника ИКЭС ВКЭ=30В, вЭБ() =3В     0,05 µА
Течение выключения излучателя ИЭБО ВЭБ= 5В, ИК=0     0,1 µА

 

Увеличение ДК настоящее

хФЭ1 ВКЭ=1В, ИК=10мА 100   400  
хФЭ2 ВКЭ=1В, ИК=50мА 60      
хФЭ3 ВКЭ=1В, ИК=100мА 30      
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера (Сидеть) ВКЭ ИК=50мА, ИБ=5мА     0,3 В
напряжение тока сатурации Основани-излучателя (Сидеть) ВБЭ ИК=50мА, ИБ=5мА     0,95 В
Частота перехода фт ВКЭ=20В, ИК=10мА, ф=100МХз 300     МХЗ
Время задержки тд

ВКК=3В, ВБЭ=0.5В,

ИК=10мА, ИБ1=1мА

    35 нс
Время восхода тр     35 нс
Продолжительность хранения тс

ВКК=3В, ИК=10мА

ИБ1=ИБ2=1мА

    200 нс
Время падения тф     50 нс

 

 

КЛАССИФИКАЦИЯ хФЭ1

Ряд О И Г
Нге Ра 100-200 200-300 300-400

 
 
Типичные характеристики
 
температура хранения -55-150 плотности клеток держателя поверхности транзисторов серии подсказки 2Н3904 высокая 1

температура хранения -55-150 плотности клеток держателя поверхности транзисторов серии подсказки 2Н3904 высокая 2

температура хранения -55-150 плотности клеток держателя поверхности транзисторов серии подсказки 2Н3904 высокая 3

температура хранения -55-150 плотности клеток держателя поверхности транзисторов серии подсказки 2Н3904 высокая 4

 


 
 

 Размеры плана пакета
 

Символ Размеры в миллиметрах Размеры в дюймах
  Минута Макс Минута Макс
А 3,300 3,700 0,130 0,146
А1 1,100 1,400 0,043 0,055
б 0,380 0,550 0,015 0,022
к 0,360 0,510 0,014 0,020
Д 4,300 4,700 0,169 0,185
Д1 3,430   0,135  
Э 4,300 4,700 0,169 0,185
е 1,270 ТИП 0,050 ТИПА
е1 2,440 2,640 0,096 0,104
Л 14,100 14,500 0,555 0,571
0   1,600   0,063
х 0,000 0,380 0,000 0,015

 

 
 
 Предложенный СОТ-89-3Л план пусковой площадки
 
температура хранения -55-150 плотности клеток держателя поверхности транзисторов серии подсказки 2Н3904 высокая 5


Предложенный ТО-92 план пусковой площадки
температура хранения -55-150 плотности клеток держателя поверхности транзисторов серии подсказки 2Н3904 высокая 6

 

 

 


ТО-92 7ДСХ ДКГ 5ХХО

температура хранения -55-150 плотности клеток держателя поверхности транзисторов серии подсказки 2Н3904 высокая 7

температура хранения -55-150 плотности клеток держателя поверхности транзисторов серии подсказки 2Н3904 высокая 8

температура хранения -55-150 плотности клеток держателя поверхности транзисторов серии подсказки 2Н3904 высокая 9

 

Контактная информация
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Контактное лицо: David

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты

Оставьте сообщение

Мы скоро тебе перезвоним!