|
Подробная информация о продукте:
|
| Название продукта: | транзистор силы mosfet | Тип: | Транзистор Mosfet |
|---|---|---|---|
| Удостоверение личности продукта: | 20Г04С | ВДС: | 40V |
| Особенности: | Поверхностный пакет держателя | ВГС: | ±20V |
| Высокий свет: | сильнотоковый переключатель мосфет,высоковольтный транзистор |
||
МОСФЭТ ХСИ4616 30В комплементарный
Описание
Выдвинутые пользы ХСИ4616 вскапывают технологию к провидеексселлент РДС (ДАЛЬШЕ) и низкой обязанности ворот. Тхискомплементары н и п направляет конфигуратионис МОСФЭТ идеальные для низких применений инвертора ввода напряжения.
А. Значение θДЖА р измерено с прибором установленным на 1ин а =25°К. значение в любом, который дали применении зависит от доски доски десинь.2 ФР-4 потребителя специфической с 2оз. Омедняйте, в неподвижной окружающей среде воздуха с т
Б. Диссипация силы пд основана на тдж(МАКСЕ) =150°К, используя сопротивление ≤ 10с соединени-к-окружающее термальное. К. повторяющийся оценка, ширина ИМПа ульс ограничиваемая оценками температуры соединения тдж(МАКСА) =150°К. основана на низкочастотном и кругах обязаностей для того чтобы держать инитялТДЖ=25°К.
Д. ΘДЖА р сумма термального импеданса от соединения для того чтобы привестиθДЖЛ р и привести к окружающему.
Э. Статические характеристики в диаграммах 1 до 6 получены используя <300>
Ф. Эти кривые основаны на соединени-к-окружающем термальном импедансе который измерен с прибором установленным на доске 1ин2 ФР-4 с 2оз. Омедняйте, принимающ что максимальная температура соединения тдж(МАКСА) =150°К. кривая СОА обеспечивает одиночное Г. ратин ИМПа ульс.
Контактное лицо: David
