Главная страница Продукциятранзистор силы mosfet

Обязанность ворот высокочастотного канала транзистора силы 12Н10 Мосфет н низкая

Сертификация
Китай Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Сертификаты
Китай Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Сертификаты
Просмотрения клиента
мы сотрудничество с Хуа Сюан Янг в большинстве должны к их профессионализму, их сильному ответу к изготовлению на заказ продуктов нам, поселению всех наших потребностей и, прежде всего, они обеспечат качественных сервисов.

—— -- Джейсон от Канады

Под рекомендацией моего друга, мы знаем о Хуа Сюан Янг, старшем специалисте в полупроводнике и индустрии электронных блоков, которая позволяла мы уменьшить наше драгоценное время и для того чтобы затеять попытку другие фабрики.

—— -- Виктор от России

Оставьте нам сообщение

Обязанность ворот высокочастотного канала транзистора силы 12Н10 Мосфет н низкая

Обязанность ворот высокочастотного канала транзистора силы 12Н10 Мосфет н низкая
Обязанность ворот высокочастотного канала транзистора силы 12Н10 Мосфет н низкая

Большие изображения :  Обязанность ворот высокочастотного канала транзистора силы 12Н10 Мосфет н низкая

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Шэньчжэнь Китай
Фирменное наименование: Hua Xuan Yang
Сертификация: RoHS、SGS
Номер модели: 12N10
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: 1000-2000 ПК
Цена: Negotiated
Упаковывая детали: Положенный в коробку
Время доставки: 1 до 2 недели
Условия оплаты: Соединение Л/К Т/Т западное
Поставка способности: 18,000,000ПКС/в день

Обязанность ворот высокочастотного канала транзистора силы 12Н10 Мосфет н низкая

описание
Название продукта: транзистор силы mosfet Применение: Управление силы
Функция: Превосходный РДС (дальше) Транзистор Mosfet силы: МОСФЭТ силы режима повышения
Номер модели: 12N10
Высокий свет:

транзистор мосфет канала н

,

высоковольтный транзистор

МОСФЭТ силы режима повышения Н-канала ХСИ12Н10

 

ОПИСАНИЕ

Выдвинутые пользы ХСИ12Н10 вскапывают технологию и конструируют обеспечить превосходный РДС (ДАЛЬШЕ) с низкой обязанностью ворот. Ее можно использовать в большом разнообразии применений.

 

 

ОСОБЕННОСТИ

● ВДС =100В, ИД =12А

РДС (ДАЛЬШЕ) < 130m="">

 

Применение

 

Применение переключения силы ●

Цепи ● крепко переключенные и высокочастотные

Электропитание ● бесперебойное

 

 

Обязанность ворот высокочастотного канала транзистора силы 12Н10 Мосфет н низкая 0

 

УПОРЯДОЧЕНИЕ ИНФОРМАЦИИ

Параметр Символ Предел Блок
Напряжение тока Сток-источника ВДС 100 В
Напряжение тока Ворот-источника ВГС ±20 В
Стеките Настоящ-непрерывное ИД 12 А
Стеките Настоящ-непрерывное (тК=100℃) ИД (100℃) 6,5 А
Пульсированное течение стока ИДМ 38,4 А
Максимальная диссипация силы ПД 30 В
Коэффициент снижения номинальной мощности   0,2 В/℃
Одиночная энергия лавины ИМПа ульс (примечание 5) ЭАС 20 мДж
Работая диапазон температур соединения и хранения ТДЖ, ТСТГ -55 до 175

 

 

Примечание: Штыревая идентификация: Г: Ворота д: Сток с: Источник

 

Обязанность ворот высокочастотного канала транзистора силы 12Н10 Мосфет н низкая 1

Обязанность ворот высокочастотного канала транзистора силы 12Н10 Мосфет н низкая 2

 

АБСОЛЮТНЫЙ МАКСИМУМ ОЦЕНОК (тк = 25°С, если не указано иное)

ПАРАМЕТР СИМВОЛ ОЦЕНКИ БЛОК
Напряжение тока Сток-источника ВДСС 600 В
Напряжение тока Ворот-источника ВГСС ±30 В
Непрерывное течение стока ИД 10 А
Пульсированное течение стока (примечание 2) ИДМ 40 А
Течение лавины (примечание 2) ИАР 8,0 А
Энергия лавины Определите пульсированный (примечание 3) ЭАС 365 мДж
Выступите спасение дв/дт диода (примечание 4) дв/дт 4,5 нс

 

Диссипация силы

ТО-220

 

ПД

156 В
  ТО-220Ф1   50 В
  ТО-220Ф2   52 В
Температура соединения ТДж +150 °К
Температура хранения ТСТГ -55 | +150 °К

Примечания: 1. абсолютный максимум оценок те значения за которыми прибор смог постоянно быть поврежден.

Абсолютный максимум оценок оценки стресса только и функциональная деятельность прибора не подразумевается.

4. Повторяющийся оценка: Ширина ИМПа ульс ограничиваемая максимальной температурой соединения.

5. Л = 84мХ, ИКАК =1.4А, вДД = 50В, рг = Ω 25 начиная тдж = 25°К

6. И ≤ 2.0АСД, ди/дт ≤200А/μс, ДД ≤БВДСС В, начиная тдж = 25°К

 

 

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (тдж = 25°С, если не указано иное)

 

Параметр Символ Условие Минута Тип Макс Блок
С характеристик
Пробивное напряжение Сток-источника БВДСС ВГС=0В иД=250μА 100 110 - В
Зеро течение стока напряжения тока ворот ИДСС ВДС=100В, ВГС=0В - - 1 μА
Течение утечки Ворот-тела ИГСС ВГС=±20В, ВДС=0В - - ±100 нА
На характеристиках (примечании 3)
Напряжение тока порога ворот ВГС (тх) ВДС=ВГС, ИД=250μА 1,2 1,8 2,5 В
Сопротивление На-государства Сток-источника РДС (ДАЛЬШЕ) ВГС=10В, ИД =8А 98   130 Ω м
Передний Транскондуктансе гФС ВДС=25В, ИД=6А 3,5 - - С
Характеристики динамической чувствительности (Ноте4)
Входная емкость Кльсс

 

ВДС=25В, вГС=0В, Ф=1.0МХз

- 690 - ПФ
Емкость выхода Косс   - 120 - ПФ
Обратная емкость передачи Крсс   - 90 - ПФ
Характеристики переключения (примечание 4)
Турн-он время задержки тд (дальше)

 

ВДД=30В, ИД=2А, РЛ=15Ω вГС=10В, рГ=2.5Ω

- 11 - нС
Турн-он время восхода тр   - 7,4 - нС
Время задержки поворота- тд ()   - 35 - нС
Время падения поворота- тф   - 9,1 - нС
Полная обязанность ворот Кг

 

ВДС=30В, ИД=3А, ВГС=10В

- 15,5   нК
Обязанность Ворот-источника Кгс   - 3,2 - нК
Обязанность Ворот-стока Кгд   - 4,7 - нК
Характеристики диода Сток-источника
Пропускное напряжение диода (примечание 3) ВСД ВГС=0В, ИС=9.6А - - 1,2 В
Пропускной ток диода (примечание 2) ИС   - - 9,6 А
Обратное время восстановления трр

ТДЖ = 25°К, ЕСЛИ =9.6А

ди/дт = 100А/μс(Ноте3)

- 21   нС
Обратная обязанность спасения Крр   - 97   нК
Переднее турн-Он время тонна Внутреннеприсущее турн-он время незначительно (включение преобладан ЛС+ЛД)


Существенно независимый рабочей температуры. Примечания: 1. тест ИМПа ульс: ≤ 300µс ширины ИМПа ульс, ≤ 2% круга обязаностей.

 

Обязанность ворот высокочастотного канала транзистора силы 12Н10 Мосфет н низкая 3Обязанность ворот высокочастотного канала транзистора силы 12Н10 Мосфет н низкая 4Обязанность ворот высокочастотного канала транзистора силы 12Н10 Мосфет н низкая 5Обязанность ворот высокочастотного канала транзистора силы 12Н10 Мосфет н низкая 6

 

 

Контактная информация
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Контактное лицо: David

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Оставьте сообщение

Мы скоро тебе перезвоним!