Главная страница Продукциятранзистор силы mosfet

Транзистор силы Мосфет 13П10Д -100В для управления ЭСД силы опротестовал

Сертификация
Китай Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Сертификаты
Китай Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Сертификаты
Просмотрения клиента
мы сотрудничество с Хуа Сюан Янг в большинстве должны к их профессионализму, их сильному ответу к изготовлению на заказ продуктов нам, поселению всех наших потребностей и, прежде всего, они обеспечат качественных сервисов.

—— -- Джейсон от Канады

Под рекомендацией моего друга, мы знаем о Хуа Сюан Янг, старшем специалисте в полупроводнике и индустрии электронных блоков, которая позволяла мы уменьшить наше драгоценное время и для того чтобы затеять попытку другие фабрики.

—— -- Виктор от России

Оставьте нам сообщение

Транзистор силы Мосфет 13П10Д -100В для управления ЭСД силы опротестовал

Транзистор силы Мосфет 13П10Д -100В для управления ЭСД силы опротестовал
Транзистор силы Мосфет 13П10Д -100В для управления ЭСД силы опротестовал

Большие изображения :  Транзистор силы Мосфет 13П10Д -100В для управления ЭСД силы опротестовал

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Шэньчжэнь Китай
Фирменное наименование: Hua Xuan Yang
Сертификация: RoHS、SGS
Номер модели: 13П10Д
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: 1000-2000 ПК
Цена: Negotiated
Упаковывая детали: Положенный в коробку
Время доставки: 1 до 2 недели
Условия оплаты: Соединение Л/К Т/Т западное
Поставка способности: 18,000,000ПКС/в день

Транзистор силы Мосфет 13П10Д -100В для управления ЭСД силы опротестовал

описание
Название продукта: транзистор силы mosfet Применение: Управление силы
Функция: Превосходный РДС (дальше) Транзистор Mosfet силы: МОСФЭТ силы режима повышения
Номер модели: 13П10Д
Высокий свет:

транзистор мосфет канала н

,

высоковольтный транзистор

Транзистор силы Мосфет 13П10Д -100В для управления ЭСД силы опротестовал

 

ОПИСАНИЕ

Выдвинутые пользы 13П10Д вскапывают технологию и конструируют обеспечить превосходный РДС (ДАЛЬШЕ) с низким гат

обязанность е. Ее можно использовать в большом разнообразии применений. Опротестованный ЭСД.

Транзистор силы Мосфет 13П10Д -100В для управления ЭСД силы опротестовал 0

 

 

ОСОБЕННОСТИ

ВДС =-100В, ИД =-13А

 

РДС (ДАЛЬШЕ) <170m>

 

Супер высоким плотным технологический прочесс канавы клетки выдвинутый дизайном надежный и изрезанный

Хигх-денситы селльдесинь для ультра низкого на-сопротивления

 

Применение

 

Конвертеры переключателя мощности ДК/ДК

 

Маркировка и упорядочение информации пакета

ИД продукта Пакет Отмечать Кты (ПКС)
13П10Д ТО-252 13П10Д ИИВВ 2500

 

 

Термальная характеристика

 

Термальное сопротивление, Соединени-к-случай (примечание 2) РθДжк 3,13 ℃/В

 

АБСОЛЮТНЫЙ МАКСИМУМ ОЦЕНОК (тк = 25°С, если не указано иное)

 

Параметр Символ Предел Блок
Напряжение тока Сток-источника ВДС -100 В
Напряжение тока Ворот-источника ВГС ±20 В
Стеките Настоящ-непрерывное ИД -13 А
Стеките Настоящ-непрерывное (ТК=100℃) ИД (100℃) -9,2 А
Пульсированное течение стока ИДМ -30 А
Максимальная диссипация силы ПД 40 В
Коэффициент снижения номинальной мощности   0,32 В/℃
Одиночная энергия лавины ИМПа ульс (примечание 5) ЭАС 110 мДж
Работая диапазон температур соединения и хранения ТДЖ, ТСТГ -55 до 150

Примечания: 1. абсолютный максимум оценок те значения за которыми прибор смог постоянно быть поврежден.

Абсолютный максимум оценок оценки стресса только и функциональная деятельность прибора не подразумевается.

4. Повторяющийся оценка: Ширина ИМПа ульс ограничиваемая максимальной температурой соединения.

5. Л = 84мХ, ИКАК =1.4А, вДД = 50В, рг = Ω 25 начиная тдж = 25°К

6. И ≤ 2.0АСД, ди/дт ≤200А/μс, ДД ≤БВДСС В, начиная тдж = 25°К

 

 

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (тдж = 25°С, если не указано иное)

 

Параметр Символ Условие Минута Тип Макс Блок
С характеристик
Пробивное напряжение Сток-источника БВДСС ВГС=0В ИД=-250μА -100 - - В
Зеро течение стока напряжения тока ворот ИДСС ВДС=-100В, ВГС=0В - - 1 μА
Течение утечки Ворот-тела ИГСС ВГС=±20В, ВДС=0В - - ±10 μА
На характеристиках (примечании 3)
Напряжение тока порога ворот ВГС (тх) ВДС=ВГС, ИД=-250μА -1   -3 В
Сопротивление На-государства Сток-источника РДС (ДАЛЬШЕ) ВГС=-10В, ИД=-16А - 145 175 мΩ
Передний Транскондуктансе гФС ВДС=-15В, ИД=-5А 12 - - С
Характеристики динамической чувствительности (Ноте4)
Входная емкость Кльсс

 

ВДС=-25В, ВГС=0В, Ф=1.0МХз

- 760 - ПФ
Емкость выхода Косс   - 260 - ПФ
Обратная емкость передачи Крсс   - 170 - ПФ
Характеристики переключения (примечание 4)
Турн-он время задержки тд (дальше)

 

ВДД=-50В, ИД=-10А ВГС=-10В, РГЭН=9.1

- 14 - нС
Турн-он время восхода тр   - 18 - нС
Время задержки поворота- тд ()   - 50 - нС
Время падения поворота- тф   - 18 - нС
Полная обязанность ворот Кг ВДС=-50В, ИД=-10А, ВГС=-10В - 25 - нК
Обязанность Ворот-источника Кгс   - 5 - нК
Обязанность Ворот-стока Кгд   - 7 - нК
Характеристики диода Сток-источника
Пропускное напряжение диода (примечание 3) ВСД ВГС=0В, ИС=-10А - - -1,2 В
Пропускной ток диода (примечание 2) - - - -13 А
Обратное время восстановления трр

ТДЖ = 25°К, ЕСЛИ =-10А

ди/дт = 100А/μс (Ноте3)

- 35 - нС
Обратная обязанность спасения Крр   - 46 - нК
Переднее турн-Он время тонна Внутреннеприсущее турн-он время незначительно (включение преобладан ЛС+ЛД)


Существенно независимый рабочей температуры. Примечания: 1. тест ИМПа ульс: ≤ 300µс ширины ИМПа ульс, ≤ 2% круга обязаностей.

 

 

Транзистор силы Мосфет 13П10Д -100В для управления ЭСД силы опротестовал 1

Транзистор силы Мосфет 13П10Д -100В для управления ЭСД силы опротестовал 2Транзистор силы Мосфет 13П10Д -100В для управления ЭСД силы опротестовал 3Транзистор силы Мосфет 13П10Д -100В для управления ЭСД силы опротестовал 4

 

 

Контактная информация
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Контактное лицо: David

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Оставьте сообщение

Мы скоро тебе перезвоним!