|
Подробная информация о продукте:
|
Название продукта: | транзистор силы mosfet | Применение: | Управление силы |
---|---|---|---|
Функция: | Превосходный РДС (дальше) | Транзистор Mosfet силы: | МОСФЭТ силы режима повышения |
Номер модели: | 13П10Д | ||
Высокий свет: | транзистор мосфет канала н,высоковольтный транзистор |
Транзистор силы Мосфет 13П10Д -100В для управления ЭСД силы опротестовал
ОПИСАНИЕ
Выдвинутые пользы 13П10Д вскапывают технологию и конструируют обеспечить превосходный РДС (ДАЛЬШЕ) с низким гат
обязанность е. Ее можно использовать в большом разнообразии применений. Опротестованный ЭСД.
ОСОБЕННОСТИ
ВДС =-100В, ИД =-13А
РДС (ДАЛЬШЕ) <170m>
Супер высоким плотным технологический прочесс канавы клетки выдвинутый дизайном надежный и изрезанный
Хигх-денситы селльдесинь для ультра низкого на-сопротивления
Применение
Конвертеры переключателя мощности ДК/ДК
Маркировка и упорядочение информации пакета
ИД продукта | Пакет | Отмечать | Кты (ПКС) |
13П10Д | ТО-252 | 13П10Д ИИВВ | 2500 |
Термальная характеристика
Термальное сопротивление, Соединени-к-случай (примечание 2) | РθДжк | 3,13 | ℃/В |
АБСОЛЮТНЫЙ МАКСИМУМ ОЦЕНОК (тк = 25°С, если не указано иное)
Параметр | Символ | Предел | Блок |
Напряжение тока Сток-источника | ВДС | -100 | В |
Напряжение тока Ворот-источника | ВГС | ±20 | В |
Стеките Настоящ-непрерывное | ИД | -13 | А |
Стеките Настоящ-непрерывное (ТК=100℃) | ИД (100℃) | -9,2 | А |
Пульсированное течение стока | ИДМ | -30 | А |
Максимальная диссипация силы | ПД | 40 | В |
Коэффициент снижения номинальной мощности | 0,32 | В/℃ | |
Одиночная энергия лавины ИМПа ульс (примечание 5) | ЭАС | 110 | мДж |
Работая диапазон температур соединения и хранения | ТДЖ, ТСТГ | -55 до 150 | ℃ |
Примечания: 1. абсолютный максимум оценок те значения за которыми прибор смог постоянно быть поврежден.
Абсолютный максимум оценок оценки стресса только и функциональная деятельность прибора не подразумевается.
4. Повторяющийся оценка: Ширина ИМПа ульс ограничиваемая максимальной температурой соединения.
5. Л = 84мХ, ИКАК =1.4А, вДД = 50В, рг = Ω 25 начиная тдж = 25°К
6. И ≤ 2.0АСД, ди/дт ≤200А/μс, ДД ≤БВДСС В, начиная тдж = 25°К
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (тдж = 25°С, если не указано иное)
|
Существенно независимый рабочей температуры. Примечания: 1. тест ИМПа ульс: ≤ 300µс ширины ИМПа ульс, ≤ 2% круга обязаностей.
Контактное лицо: David