|
Подробная информация о продукте:
|
Название продукта: | транзистор силы mosfet | Тип: | Канал н |
---|---|---|---|
Номер модели: | 5Н20ДИ ТО-252 | напряжение тока Сток-источника: | 200 в |
Напряжение тока Строб-Источника: | ±20V | Применения: | Привод СИД |
Высокий свет: | транзистор мосфет канала н,высоковольтный транзистор |
Переключение цепи транзистора силы 2А Мосфет канала н 600В для привода СИД
Описание транзистора силы Мосфет
Канава АП50Н20Д выдвинутая пользами
технология для того чтобы обеспечить превосходный РДС (ДАЛЬШЕ) и низкую обязанность ворот.
Комплементарные МОСФЭЦ могут быть использованы для того чтобы сформировать переключатель перенесенный уровнем высокий бортовой, и для хозяина другого
Особенности транзистора силы Мосфет общие
В ДС =200В, И Д =5А
Р ДС (ДАЛЬШЕ) <520m>
Применение транзистора силы Мосфет
Переключение нагрузки
Крепко переключенный и частота коротковолнового диапазона обходит вокруг бесперебойное электропитание
Маркировка и упорядочение информации пакета
ИД продукта | Пакет | Отмечать | Кты (ПКС) |
5Н20Д | ТО-252 | 5Н20Д | 3000 |
5Н20И | ТО-251 | 5Н20И | 4000 |
Абсолютный максимум оценок (в противном случае замеченные ТА=25℃уньлесс)
Параметр | Символ | Предел | Блок |
Напряжение тока Сток-источника | ВДС | 200 | В |
Напряжение тока Ворот-источника | ВГС | ±20 | В |
Стеките Настоящ-непрерывное | ИД | 5 | А |
Стеките Настоящ-пульсированный (примечание 1) | ИДМ | 20 | А |
Максимальная диссипация силы | ПД | 30 | В |
Работая диапазон температур соединения и хранения | ТДЖ, ТСТГ | -55 до 150 | ℃ |
Термальная характеристика
Термальное сопротивление, Соединени-к-окружающее (примечание 2) | РθДжА | 4,17 | ℃/В |
Электрические характеристики (в противном случае замеченные ТА=25℃уньлесс)
Параметр | Символ | Условие | Минута | Тип | Макс | Блок |
С характеристик | ||||||
Пробивное напряжение Сток-источника | БВДСС | ВГС=0В ИД=250μА | 200 | - | - | В |
Зеро течение стока напряжения тока ворот | ИДСС | ВДС=200В, ВГС=0В | - | - | 1 | μА |
Течение утечки Ворот-тела | ИГСС | ВГС=±20В, ВДС=0В | - | - | ±100 | нА |
На характеристиках (примечании 3) | ||||||
Напряжение тока порога ворот | ВГС (тх) | ВДС=ВГС, ИД=250μА | 1,2 | 1,7 | 2,5 | В |
Сопротивление На-государства Сток-источника | РДС (ДАЛЬШЕ) | ВГС=10В, ИД=2А | - | 520 | 580 | мΩ |
Передний Транскондуктансе | гФС | ВДС=15В, ИД=2А | - | 8 | - | С |
Характеристики динамической чувствительности (Ноте4) | ||||||
Входная емкость | Кльсс |
ВДС=25В, ВГС=0В, Ф=1.0МХз |
- | 580 | - | ПФ |
Емкость выхода | Косс | - | 90 | - | ПФ | |
Обратная емкость передачи | Крсс | - | 3 | - | ПФ | |
Характеристики переключения (примечание 4) | ||||||
Турн-он время задержки | тд (дальше) |
ВДД=100В, РЛ=15Ω ВГС=10В, РГ=2.5Ω |
- | 10 | - | нС |
Турн-он время восхода | тр | - | 12 | - | нС | |
Время задержки поворота- | тд () | - | 15 | - | нС | |
Время падения поворота- | тф | - | 15 | - | нС | |
Полная обязанность ворот | Кг |
ВДС=100В, ИД=2А, ВГС=10В |
- | 12 | нК | |
Обязанность Ворот-источника | Кгс | - | 2,5 | - | нК | |
Обязанность Ворот-стока | Кгд | - | 3,8 | - | нК | |
Характеристики диода Сток-источника | ||||||
Пропускное напряжение диода (примечание 3) | ВСД | ВГС=0В, ИС=2А | - | - | 1,2 | В |
Пропускной ток диода (примечание 2) | - | - | 5 | А |
Примечания:
Символ |
Размеры в миллиметрах | Размеры в дюймах | ||
Минимальный. | Макс. | Минимальный. | Макс. | |
А | 2,200 | 2,400 | 0,087 | 0,094 |
А1 | 0,000 | 0,127 | 0,000 | 0,005 |
б | 0,660 | 0,860 | 0,026 | 0,034 |
к | 0,460 | 0,580 | 0,018 | 0,023 |
Д | 6,500 | 6,700 | 0,256 | 0,264 |
Д1 | 5,100 | 5,460 | 0,201 | 0,215 |
Д2 | 0,483 ТИПА. | 0,190 ТИПА. | ||
Э | 6,000 | 6,200 | 0,236 | 0,244 |
е | 2,186 | 2,386 | 0,086 | 0,094 |
Л | 9,800 | 10,400 | 0,386 | 0,409 |
Л1 | 2,900 ТИП. | 0,114 ТИПА. | ||
Л2 | 1,400 | 1,700 | 0,055 | 0,067 |
Л3 | 1,600 ТИП. | 0,063 ТИПА. | ||
Л4 | 0,600 | 1,000 | 0,024 | 0,039 |
Φ | 1,100 | 1,300 | 0,043 | 0,051 |
θ | 0° | 8° | 0° | 8° |
х | 0,000 | 0,300 | 0,000 | 0,012 |
В | 5,350 ТИП. | 0,211 ТИПА. |
Контактное лицо: David