|
Подробная информация о продукте:
|
| VCBO: | - 310V | VCEO: | - 305V |
|---|---|---|---|
| VEBO: | -5V | Название продукта: | тип триода полупроводника кремния |
| ТДЖ: | 150℃ | СЛУЧАЙ: | Лента/поднос/вьюрок |
| Высокий свет: | транзистор пньп подсказки,транзисторы серии подсказки |
||
TO-92 Пластмасс-помещают ТРАНЗИСТОР транзисторов A92 (PNP)
Высокое напряжение
МАРКИРОВКА
УПОРЯДОЧЕНИЕ ИНФОРМАЦИИ
| Номер детали | Пакет | Способ уплотнения прокладками | Количество пакета |
| A92 | TO-92 | Большая часть | 1000pcs/Bag |
| A92-TA | TO-92 | Лента | 2000pcs/Box |
МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ (животики =25 Š если не указано иное)
| Символ | Параметр | Значение | Блоки |
| VCBO | Напряжение тока коллектора- база | - 310 | V |
| VCEO | Напряжение тока коллектор- эмиттера | - 305 | V |
| VEBO | Напряжение тока Излучател-основания | -5 | V |
| IC | Течение сборника - непрерывное | - 200 | мамы |
| ICM | Пульсированное течение сборника - | -500 | мамы |
| ПК | Диссипация силы сборника | 625 | mW |
| Tj | Температура соединения | 150 | ℃ |
| Tstg | Температура orage St | -55~150 | ℃ |
| RӨJA | Термальное сопротивление, соединение к окружающему | 200 | ℃ /mW |
| RӨJC | Термальное сопротивление, соединение, который нужно покрывать | 83,3 | ℃ /mW |
Животики =25 Š если не указано иное
| Параметр | Символ | Условия испытаний | Минута | Тип | Макс | Блок |
| Пробивное напряжение коллектора- база | V (BR) CBO | IC =-100UA, IE =0 | -310 | V | ||
| Пробивное напряжение коллектор- эмиттера | ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР V (BR) | IC =-1MA, IB =0 | -305 | V | ||
| пробивное напряжение Излучател-основания | V (BR) EBO | IE =-100ΜA, IC =0 | -5 | V | ||
| Течение выключения сборника | ICBO | VCB = -200 V IE =0 | -0,25 | μA | ||
| Течение выключения излучателя | IEBO | VEB = -5 V, IC =0 | -0,1 | μA | ||
|
Увеличение DC настоящее |
hFE (1) | VCE = -10 v, мамы IC=- 1 | 60 | |||
| hFE (2) | VCE = -10V, IC = -10 мам | 80 | 250 | |||
| hFE (3) | VCE = -10 v, IC = -80 мам | 60 | ||||
| Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера | VCE (сидел) | IC = -20 мам, мамы IB= -2 | -0,2 | V | ||
| напряжение тока сатурации Основани-излучателя | VBE (сидел) | IC = -20 мам, мамы IB= -2 | -0,9 | V | ||
| Частота перехода | fT | VCE = -20 v, мамы IC= -10 f = 30MHz | 50 | MHz |
| Ряд | B | C | |
| Ряд | 80-100 | 100- 200 | 200-250 |
Типичные характеристики
Размеры плана пакета
| Символ | Размеры в миллиметрах | Размеры в дюймах | ||
| Минута | Макс | Минута | Макс | |
| 3,300 | 3,700 | 0,130 | 0,146 | |
| A1 | 1,100 | 1,400 | 0,043 | 0,055 |
| b | 0,380 | 0,550 | 0,015 | 0,022 |
| c | 0,360 | 0,510 | 0,014 | 0,020 |
| D | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| D1 | 3,430 | 0,135 | ||
| E | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| e | 1,270 ТИП | 0,050 ТИПА | ||
| e1 | 2,440 | 2,640 | 0,096 | 0,104 |
| L | 14,100 | 14,500 | 0,555 | 0,571 |
| 0 | 1,600 | 0,063 | ||
| h | 0,000 | 0,380 | 0,000 | 0,015 |
Контактное лицо: David
