Главная страница ПродукцияТранзисторы силы подсказки

Тип триода полупроводника транзисторов силы ВКБО подсказки 3ДД13005ХД55 600В

Сертификация
Китай Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Сертификаты
Китай Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Сертификаты
Просмотрения клиента
мы сотрудничество с Хуа Сюан Янг в большинстве должны к их профессионализму, их сильному ответу к изготовлению на заказ продуктов нам, поселению всех наших потребностей и, прежде всего, они обеспечат качественных сервисов.

—— -- Джейсон от Канады

Под рекомендацией моего друга, мы знаем о Хуа Сюан Янг, старшем специалисте в полупроводнике и индустрии электронных блоков, которая позволяла мы уменьшить наше драгоценное время и для того чтобы затеять попытку другие фабрики.

—— -- Виктор от России

Оставьте нам сообщение

Тип триода полупроводника транзисторов силы ВКБО подсказки 3ДД13005ХД55 600В

Тип триода полупроводника транзисторов силы ВКБО подсказки 3ДД13005ХД55 600В
Тип триода полупроводника транзисторов силы ВКБО подсказки 3ДД13005ХД55 600В

Большие изображения :  Тип триода полупроводника транзисторов силы ВКБО подсказки 3ДД13005ХД55 600В

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Шэньчжэнь Китай
Фирменное наименование: Hua Xuan Yang
Сертификация: RoHS、SGS
Номер модели: 3ДД13005ХД55
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: 1000-2000 ПК
Цена: Negotiated
Упаковывая детали: Положенный в коробку
Время доставки: 1 до 2 недели
Условия оплаты: Соединение Л/К Т/Т западное
Поставка способности: 18,000,000ПКС/в день

Тип триода полупроводника транзисторов силы ВКБО подсказки 3ДД13005ХД55 600В

описание
Диссипация силы сборника: 1.5W Температура соединения: ℃ 150
ВКБО: 600v Название продукта: тип триода полупроводника
Течение сборника: 3.5A Тип: Транзистор триода
Высокий свет:

транзисторы серии подсказки

,

транзистор пньп наивысшей мощности

ТО-126 Пластмасс-помещают ТРАНЗИСТОР транзисторов 3ДД13005ХД55 (НПН)

 

ОСОБЕННОСТЬ
 

Применения переключения силы Ÿ

Высокая температура Ÿ хорошая

Напряжение тока сатурации Ÿ низкое

Переключение Ÿ высокоскоростное

 

 

ОТМЕЧАТЬ

Код логотипа 13005ХД55=Девисе ДЖКЭТ

 

Тип триода полупроводника транзисторов силы ВКБО подсказки 3ДД13005ХД55 600В 0

 

 

УПОРЯДОЧЕНИЕ ИНФОРМАЦИИ

Номер детали Пакет Способ уплотнения прокладками Количество пакета
3ДД13005ХД55 ТО-126 Большая часть 200пкс/Баг
3ДД13005ХД55-ТУ ТО-126 Трубка 60пкс/Тубе


 

 

 

 

МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ (т =25 Š если не указано иное)

 

Символ Параметр Значение Блок
ВКБО Напряжение тока коллектора- база 800 В
ВКЭО Напряжение тока коллектор- эмиттера 450 В
ВЭБО Напряжение тока Излучател-основания 9 В
ИК Течение сборника 3,5 А
ПК Диссипация силы сборника 1,5 В
РθДжА Термальное сопротивление от соединения к окружающему 83,3 ℃/В
Тдж Температура соединения 150
Цтг Температура хранения -55~+150

 

 

 

 


ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

 

 

Животики =25 Š если не указано иное


 

Животики =25 Š если не указано иное

Параметр Символ Условия испытаний Минута Тип Макс Блок
Пробивное напряжение коллектора- база В (БР) КБО ИК=1мА, Т.Е. =0 800     В
Пробивное напряжение коллектор- эмиттера В (БР) КЭО* ИК=10мА, ИБ=0 450     В
пробивное напряжение Излучател-основания В (БР) ЭБО Т.Е. = 1мА, ИК=0 9     В
Течение выключения сборника ИКБО ВКБ=700В, Т.Е. =0     100 μА
Течение выключения сборника ИКЭО ВКЭ=450В, ИБ=0     100 μА
Течение выключения излучателя ИЭБО ВЭБ=9В, ИК=0     100 μА

 

Увеличение ДК настоящее

хФЭ (1) * ВКЭ=5В, ИК=1А 10   40  
хФЭ (2) * ВКЭ=5В, ИК=5мА 10      
хФЭ (3) * ВКЭ=5В, ИК=2А 5      

 

Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера

(Сидеть) ВКЭ 1 ИК=1А, ИБ=200мА     0,3 В
(Сидеть) ВКЭ 2 ИК=2А, ИБ=500мА     0,6 В

 

напряжение тока сатурации Основани-излучателя

(Сидеть) ВБЭ 1 ИК=2А, ИБ=500мА     1,2 В
(Сидеть) ВБЭ 2 ИК=500мА, ИБ=100мА     1 В
пропускное напряжение Излучател-сборника ЭК ВФ ИК=2А     2 В
Частота перехода фт ВКЭ=10В, ИК=500мА 5     МХЗ
Продолжительность хранения ц ИК=250мА (УИ9600)     5 µс

 

 


Типичные характеристики

 

 Тип триода полупроводника транзисторов силы ВКБО подсказки 3ДД13005ХД55 600В 1Тип триода полупроводника транзисторов силы ВКБО подсказки 3ДД13005ХД55 600В 2
 

 

Размеры плана пакета ТО-92

 

Символ Размеры в миллиметрах Размеры в дюймах
  Минута Макс Минута Макс
А 2,500 2,900 0,098 0,114
А1 1,100 1,500 0,043 0,059
б 0,660 0,860 0,026 0,034
б1 1,170 1,370 0,046 0,054
к 0,450 0,600 0,018 0,024
Д 7,400 7,800 0,291 0,307
Э 10,600 11,000 0,417 0,433
е 2,290 ТИП 0,090 ТИПА
е1 4,480 4,680 0,176 0,184
х 0,000 0,300 0,000 0,012
Л 15,300 15,700 0,602 0,618
Л1 2,100 2,300 0,083 0,091
П 3,900 4,100 0,154 0,161
Φ 3,000 3,200 0,118 0,126

 

 

Тип триода полупроводника транзисторов силы ВКБО подсказки 3ДД13005ХД55 600В 3

 

 

Контактная информация
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Контактное лицо: David

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты

Оставьте сообщение

Мы скоро тебе перезвоним!