Главная страница Продукциятранзистор силы mosfet

МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04ГД 40В

Сертификация
Китай Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Сертификаты
Китай Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Сертификаты
Просмотрения клиента
мы сотрудничество с Хуа Сюан Янг в большинстве должны к их профессионализму, их сильному ответу к изготовлению на заказ продуктов нам, поселению всех наших потребностей и, прежде всего, они обеспечат качественных сервисов.

—— -- Джейсон от Канады

Под рекомендацией моего друга, мы знаем о Хуа Сюан Янг, старшем специалисте в полупроводнике и индустрии электронных блоков, которая позволяла мы уменьшить наше драгоценное время и для того чтобы затеять попытку другие фабрики.

—— -- Виктор от России

Оставьте нам сообщение

МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04ГД 40В

МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04ГД 40В
МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04ГД 40В

Большие изображения :  МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04ГД 40В

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Шэньчжэнь Китай
Фирменное наименование: Hua Xuan Yang
Сертификация: RoHS、SGS
Номер модели: 20Г04ГД
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: 1000-2000 ПК
Цена: Negotiated
Упаковывая детали: Положенный в коробку
Время доставки: 1 до 2 недели
Условия оплаты: Соединение Л/К Т/Т западное
Поставка способности: 18,000,000ПКС/в день

МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04ГД 40В

описание
Название продукта: транзистор силы mosfet Особенности: Поверхностный пакет держателя
Удостоверение личности: 20А Номер модели: ВСТ3078
ВГС: -10В Применения: Управление силы
Высокий свет:

транзистор мосфет канала н

,

высоковольтный транзистор

МОСФЭТ режима повышения 20Г04ГД 40В Н+П-Чаннел
 

 

Описание

 

Канава 20Г04ГД выдвинутая пользами 

технология для того чтобы обеспечить превосходный рДС(ДАЛЬШЕ)

и низкая обязанность ворот. Этот прибор

соответствующий для пользы как переключатель нагрузки или внутри

Применения ПВМ.

 

 

ОБЩИЕ ОСОБЕННОСТИ
Н-КХ ВДС =-40В, ИД =20А РДС (ДАЛЬШЕ) < 25m="">
 
Применение
Применения ПВМ
Переключатель нагрузки
Управление силы
 
 
Маркировка и упорядочение информации пакета
МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04ГД 40В 0
 

Абсолютный максимум Ratings@T =25оК (если не указано иное)

 

МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04ГД 40В 1

Н-КХ электрическое Чарактеристикс@ т =25оК (если не указано иное)

 

МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04ГД 40В 2

П-КХ электрическое Characteristics@T =25оК (если не указано иное)

 

 

МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04ГД 40В 3

 
 
П-КХ электрическое Characteristics@T =25оК (если не указано иное)
 
МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04ГД 40В 4
 
 
МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04ГД 40В 5МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04ГД 40В 6МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04ГД 40В 7МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04ГД 40В 8МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04ГД 40В 9МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04ГД 40В 10МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04ГД 40В 11МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04ГД 40В 12МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04ГД 40В 13
 
 
 
 
 

Контактная информация
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Контактное лицо: David

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Оставьте сообщение

Мы скоро тебе перезвоним!