|
Подробная информация о продукте:
|
| Название продукта: | Двойной переключатель Мосфет | модель: | АП50Н10Д |
|---|---|---|---|
| Пакет: | ТО-252 | Отмечать: | АП50Н10Д ССС ИИИИ |
| Напряжение тока ВДСДрайн-источника: | 100В | Напряжение тока рсе ВГСГате-Соу: | ±20В |
| Высокий свет: | транзистор мосфет канала н,высоковольтный транзистор |
||
АП50Н10Д удваивают транзистор наивысшей мощности переключателя Мосфет/50А 100В ТО-252
Двойные применения переключателя Мосфет
Переключите электропитания (SMPS) режима
Жилой, коммерчески, архитектурноакустический и уличное освещение
Конвертеры ДК-ДК
Управление мотора
Автомобильные применения
Двойное описание переключателя Мосфет:
Технология канавы АП50Н10Д выдвинутая пользами
обеспечить превосходный РДС (ДАЛЬШЕ), низкую обязанность ворот и
деятельность с напряжениями тока ворот как низкими как 4.5В.
Этот прибор соответствующий для пользы как а
Предохранение от батареи или в другом применении переключения.
Двойные особенности переключателя Мосфет
ВДС = 100В ИД =50А
РДС (ДАЛЬШЕ) < 25m="">
Маркировка и упорядочение информации пакета
| ИД продукта | Пакет | Отмечать | Кты (ПКС) |
| АП50Н10Д | ТО-252 | АП50Н10Д ССС ИИИИ | 2500 |
Абсолютный максимум оценок (в противном случае замеченного ТК =25℃уньлесс)
| Символ | Параметр | Предел | Блок |
| ВДС | Напряжение тока Сток-источника | 100 | В |
| ВГС | Напряжение тока Ворот-источника | ±20 | В |
| ИД | Стеките Настоящ-непрерывное | 50 | А |
| И (100℃) | Стеките Настоящ-непрерывное (ТК=100℃) | 21 | А |
| ИДМ | Пульсированное течение стока | 70 | А |
| ПД | Максимальная диссипация силы | 85 | В |
| Коэффициент снижения номинальной мощности | 0,57 | В/℃ | |
| ЭАС | Одиночная энергия лавины ИМПа ульс (примечание 5) | 256 | мДж |
| ТДЖ, ТСТГ | Работая диапазон температур соединения и хранения | -55 до 175 | ℃ |
| РθДжК | Термальное сопротивление, Соединени-к-случай (примечание 2) | 1,8 | ℃/В |
Электрические характеристики (в противном случае замеченный ТК =25℃уньлесс)
| Символ | Параметр | Условие | Минута | Тип | Макс | Блок |
| БВДСС | Пробивное напряжение Сток-источника | ВГС=0В ИД=250μА | 100 | - | В | |
| ИДСС | Зеро течение стока напряжения тока ворот | ВДС=100В, ВГС=0В | - | - | 1 | μА |
| ИГСС | Течение утечки Ворот-тела | ВГС=±20В, ВДС=0В | - | - | ±100 | нА |
| ВГС (тх) | Напряжение тока порога ворот | ВДС=ВГС, μА ИД=250 | 1 | 3 | В | |
| РДС (ДАЛЬШЕ) |
На-государство Сток-источника Сопротивление |
ВГС=10В, ИД=20А | - | 24 | 28 | мΩ |
| РДС (ДАЛЬШЕ) |
На-государство Сток-источника Сопротивление |
ВГС=4.5В, ИД=10А | - | 28 | 30 | мΩ |
| гФС | Передний Транскондуктансе | ВДС=5В, ИД=10А | - | 15 | - | С |
| Кльсс | Входная емкость | ВДС=25В, ВГС=0В, Ф=1.0МХз |
- | 2000 | - | ПФ |
| Косс | Емкость выхода | - | 300 | - | ПФ | |
| Крсс | Обратная емкость передачи | - | 250 | - | ПФ | |
| тд (дальше) | Турн-он время задержки | ВДД=50В, РЛ=5Ω ВГС=10В, РГЭН=3Ω |
- | 7 | - | нС |
|
р т |
Турн-он время восхода | - | 7 | - | нС | |
| тд () | Время задержки поворота- | - | 29 | - | нС | |
|
ф т |
Время падения поворота- | - | 7 | - | нС | |
| Кг | Полная обязанность ворот | ВДС=50В, ИД=10А, ВГС=10В |
- | 39 | - | нК |
| Кгс | Обязанность Ворот-источника | - | 8 | - | нК | |
| Кгд | Обязанность Ворот-стока | - | 12 | - | нК | |
| ВСД | Пропускное напряжение диода (примечание 3) | ВГС=0В, ИС=20А | - | - | 1,2 | В |
|
С И |
Пропускной ток диода (примечание 2) | - | - | - | 30 | А |
|
рр т |
Обратное время восстановления |
ТДЖ = 25°К, ЕСЛИ = 10А ди/дт = 100А/μс (Ноте3) |
- | 32 | - | нС |
| Крр | Обратная обязанность спасения | - | 53 | - | нК | |
| тонна | Переднее турн-Он время |
Внутреннеприсущее турн-он время незначительно (включение преобладан мимо ЛС+ЛД) |
||||
Примечания:
1, повторяющийся оценка: Ширина ИМПа ульс ограничиваемая максимальной температурой соединения.
2, отделывают поверхность установленный на ФР4 доске, сек ≤ 10 т.
3, тест ИМПа ульс: Μс ≤ 300 ширины ИМПа ульс, ≤ 2% круга обязаностей.
4, гарантированный дизайн, не подчиненный к продукции
5, условие ЭАС: Тдж=25 ℃, ВДД=50В, ВГ=10В, Л=0.5мХ, Рг=25Ω, ИАС=32А
Внимание
1, любые и все продукты микроэлектроники АПМ описанное или, который содержать здесь не имеют спецификации которые могут отрегулировать применения которые требуют весьма высоких уровней надежности, как системы искусственного жизнеобеспечения, системы управления воздушного судна, или другие применения отказ которых можно разумно предполагать, что приведет в серьезных медицинском осмотре и/или материальном ущербе. Советуйте с с ваше близко микроэлектроники АПМ репрезентивное вами перед использованием всех продуктов микроэлектроники АПМ описанных или, который содержать здесь в таких применениях.
2, микроэлектроника АПМ не принимают никакую ответственность за отказы оборудования которые следуют из использование продуктов на значениях которые превышают, даже мгновенно, нормированные величины (как максимальные оценки, ряды эксплуатационного режима, или другие параметры) перечисленные в технических характеристиках изделия любых и всех продуктов микроэлектроники АПМ описанных или, который содержать здесь.
3, спецификации из любых и все продукты микроэлектроники АПМ описали или содержать здесь инстипулате представление, характеристики, и функции описанных продуктов в суверенном государстве, и нет гарантий представления, характеристик, и функций описанных продуктов как установлено в продуктах или оборудовании клиента. Для проверки симптомов и государств которые нельзя оценить в независимом приборе, клиент должен всегда оценивать и испытывать приборы установленные в продуктах или оборудовании клиента.
4, КО. полупроводника микроэлектроники АПМ, ЛТД. стремятся поставить высококачественные высокие продукты надежности. Однако, любые и все продукты полупроводника терпят неудачу с некоторой вероятностью. Возможно что эти вероятностные отказы смогли дать подъем авариям или событиям которые смогли угрожать человеческие жизни которые смогли дать подъем для курения или для того чтобы увольнять, или которые смогло причинить повреждение к другому свойству. Оборудование Вхэндесиньинг, устанавливает меры безопасности так, что эти виды аварий или событий не смогут произойти. Такие измерения включают но не ограничены к защитным цепям и цепям предохранения ошибки для безопасного дизайна, резервного дизайна, и структурного дизайна.
5, в случае если любые продукты микроэлектроники АПМ (включая технические данные, обслуживания) описанные или, который содержать здесь проконтролированы под любым из применимых местных законов и постановления экспортного контроля, такие продукты необходимо экспортировать без получать экспортную лицензию от властей, который относят в соответствии с вышеуказанным законом.
6, никакая часть этого издания могут быть воспроизведены или переданы в любую форму или любыми средствами, электронный или механический, включая фотокопинг и записывать, или любые информационную память или систему поиска информации, или в противном случае, без прежнего написанного разрешения КО. полупроводника микроэлектроники АПМ, ЛТД.
7, информация (включая принципиальные схемы и параметры цепи) здесь например только; не гарантировано для объема продукции. Микроэлектроника АПМ считает, что информация здесь точна и надежна, но никакие гарантии не сделаны или подразумеваны относительно своей пользы или любых нарушений прав интеллектуальной собственности или других прав третьих лиц.
подлежат, что изменяют 8, любые и вся информация описанные или, который содержать здесь без предварительного уведомления должное к продукту/улучшению технологии, етк. конструируя оборудование, ссылаются на «условия поставки» для продукта микроэлектроники АПМ который вы планируете использовать.
Контактное лицо: David
