Главная страница Продукциятранзистор силы mosfet

Лавина транзистора силы Мосфет полупроводника металлической окиси высокая изрезанная

Сертификация
Китай Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Сертификаты
Китай Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Сертификаты
Просмотрения клиента
мы сотрудничество с Хуа Сюан Янг в большинстве должны к их профессионализму, их сильному ответу к изготовлению на заказ продуктов нам, поселению всех наших потребностей и, прежде всего, они обеспечат качественных сервисов.

—— -- Джейсон от Канады

Под рекомендацией моего друга, мы знаем о Хуа Сюан Янг, старшем специалисте в полупроводнике и индустрии электронных блоков, которая позволяла мы уменьшить наше драгоценное время и для того чтобы затеять попытку другие фабрики.

—— -- Виктор от России

Оставьте нам сообщение

Лавина транзистора силы Мосфет полупроводника металлической окиси высокая изрезанная

Лавина транзистора силы Мосфет полупроводника металлической окиси высокая изрезанная
Лавина транзистора силы Мосфет полупроводника металлической окиси высокая изрезанная

Большие изображения :  Лавина транзистора силы Мосфет полупроводника металлической окиси высокая изрезанная

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Шэньчжэнь Китай
Фирменное наименование: Hua Xuan Yang
Сертификация: RoHS、SGS
Номер модели: 15П03К2
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: переговоров
Цена: Negotiated
Упаковывая детали: Положенный в коробку
Время доставки: 1 до 2 недели
Условия оплаты: Соединение Л/К Т/Т западное
Поставка способности: 18,000,000ПКС/в день

Лавина транзистора силы Мосфет полупроводника металлической окиси высокая изрезанная

описание
Название продукта: транзистор силы mosfet Тип: Полупроводник металлической окиси
Номер модели: 15П03К2 власть: -30В/-60А
Р ДС (ДАЛЬШЕ): 6.8мΩ (тип.) @В ГС =-4.5В Функция: Изрезанный
Высокий свет:

транзистор мосфет канала н

,

высоковольтный транзистор

Лавина транзистора силы Мосфет полупроводника металлической окиси высокая изрезанная

 

Описание транзистора силы Мосфет

 

-30В/-60А
Р ДС (ДАЛЬШЕ) = 4.8мΩ (тип.) @В ГС =-10В
Р ДС (ДАЛЬШЕ) = 6.8мΩ (тип.) @В ГС =-4.5В
Надежный и изрезанный
Приборы галоида свободные доступные
(РоХС уступчивое)

 

Применения транзистора силы Мосфет

 

Конвертер самца оленя высокочастотной Пункт--нагрузки одновременный
Электрическая система сети ДК-ДК
Применение электрического инструмента

 

Приказывая и отмечать информация

 

К2
15П03
ИИСССДЖВВ Г

 

Код пакета
К2:
Материал собрания кода даты
ИИССС ВВ Г: Галоид освобождает

 

Примечание: Продукты ХУАИИ неэтилированные содержат литьевые массы/умирают материалы присоединения и плита олова Терми- штейна 100%
Финиш нации; что полно уступчивы с РоХС. Продукты ХУАИИ неэтилированные встречают или превышают неэтилированное требуют
менц ИПК/ДЖЭДЭК ДЖ-СТД-020 для классификации МСЛ на неэтилированной пиковой температуре рефлов. ХУАИИ определяет
«Зеленый цвет» для того чтобы значить неэтилированное (РоХС уступчивое) и галоид свободный (Бр или Кл не превышают 900ппм по весу внутри
однородные материал и итог Бр и Кл не превышают 1500ппм по весу).
ХУАИИ резервирует право сделать изменения, коррекции, повышения, изменения, и улучшения к этому пр
одукт и/или к этому документу в любое время без предварительного уведомления.

 

Абсолютный максимум оценок

 

 

Лавина транзистора силы Мосфет полупроводника металлической окиси высокая изрезанная 0

Типичные характеристики Оператинг

 

Лавина транзистора силы Мосфет полупроводника металлической окиси высокая изрезанная 1

 

 

Контактная информация
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Контактное лицо: David

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Оставьте сообщение

Мы скоро тебе перезвоним!