Отправить запрос |
Главная страница Продукциятранзистор силы mosfet

МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40В

Все продукты

транзистор силы mosfet

(118)

Транзисторы силы подсказки

(30)

Транзистор силы кремния

(19)

Двойной диод переключения

(15)

Транзистор влияния поля Мос

(29)

Удваивает - Мосфет канала

(10)

быстрый диод выпрямителя тока спасения

(6)

диод zener силы

(6)

выпрямитель по мостиковой схеме schottky

(10)

высоковольтный диод выпрямителя тока

(15)

Триод полупроводника

(9)

Стабилизатор ИК напряжения тока

(14)
Сертификация
Китай Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Сертификаты
Китай Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Сертификаты
Просмотрения клиента
мы сотрудничество с Хуа Сюан Янг в большинстве должны к их профессионализму, их сильному ответу к изготовлению на заказ продуктов нам, поселению всех наших потребностей и, прежде всего, они обеспечат качественных сервисов.

—— -- Джейсон от Канады

Под рекомендацией моего друга, мы знаем о Хуа Сюан Янг, старшем специалисте в полупроводнике и индустрии электронных блоков, которая позволяла мы уменьшить наше драгоценное время и для того чтобы затеять попытку другие фабрики.

—— -- Виктор от России

Оставьте нам сообщение

МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40В

МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40В
МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40В

Большие изображения :  МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40В

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Шэньчжэнь Китай
Фирменное наименование: Hua Xuan Yang
Сертификация: RoHS、SGS
Номер модели: 20Г04С
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: 1000-2000 ПК
Цена: Negotiated
Упаковывая детали: Положенный в коробку
Время доставки: 1 до 2 недели
Условия оплаты: Соединение Л/К Т/Т западное
Поставка способности: 18,000,000ПКС/в день
контакт

МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40В

описание
Название продукта: транзистор силы mosfet Тип: Транзистор Mosfet
Удостоверение личности продукта: 20Г04С ВДС: 40V
Особенности: Поверхностный пакет держателя ВГС: ±20V
Высокий свет:

транзистор мосфет канала н

,

высоковольтный транзистор

МОСФЭТ режима повышения 20Г04С 40В Н+П-Чаннел

 

Описание

Канава 20Г04С выдвинутая пользами

технология для того чтобы обеспечить превосходный рДС(ДАЛЬШЕ) и низкую обязанность ворот.

Комплементарные МОСФЭЦ могут быть использованы для того чтобы сформировать а

уровень перенес высокий бортовой переключатель, и для хозяина другого

применения

 

Общие особенности

Н-канал

ВДС =40В, ИД =20А

РДС(ДАЛЬШЕ)< 35m=""> ГС=10В

РДС(ДАЛЬШЕ)< 42m=""> ГС=4.5В

П-канал

ВДС =-40В, ИД = -18А

РДС(ДАЛЬШЕ)<40m> ГС=-10В

РДС(ДАЛЬШЕ)< 70m=""> ГС=-4.5В

Наивысшая мощность и настоящая вручая возможность

Неэтилированный продукт приобретен

Поверхностный пакет держателя

 

Применение

Применение переключения силы ●

Цепи ● крепко переключенные и высокочастотные

Электропитание ● бесперебойное

 

 

Маркировка и упорядочение информации пакета

 

МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40В 0

Абсолютный максимум оценок (в противном случае замеченные ТК=25℃уньлесс)
 
МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40В 1
Характеристики Н-КХ электрические (в противном случае замеченное ТА=25℃уньлесс)

 

МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40В 2

 

 

Характеристики П-КХ электрические (в противном случае замеченные ТА=25℃уньлесс)
 
МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40В 3
 
Примечания:
1. Повторяющийся оценка: Ширина ИМПа ульс ограничиваемая максимальной температурой соединения.
2. Поверхность установленная на ФР4 доске, сек ≤ 10 т.
3. Тест ИМПа ульс: ≤ 300μс ширины ИМПа ульс, ≤ 2% круга обязаностей.
4. Гарантированный дизайн, не подчиненный к продукции
 
Характеристики Н-канала типичные
 
МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40В 4МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40В 5МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40В 6МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40В 7МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40В 8МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40В 9
МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40В 10
 
 
 
 
Характеристики П-канала типичные
 
МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40В 11МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40В 12МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40В 13МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40В 14МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40В 15МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40В 16
 
 

тег:

высоковольтный транзистор,

транзистор мосфет канала н,

сильнотоковый переключатель мосфет

Контактная информация
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Контактное лицо: David

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

около

транзистор силы mosfet

Транзистор уровня логики ХСИ4616, высоковольтный МОСФЭТ транзистора 30В комплементарный

Высокое напряжение ВДС 40В ВГС ±20в транзистора силы ±20в Мосфет ХСИ4616 ВГС

МОСФЭТ режима повышения канала транзистора силы Н+П Мосфет 20Г04С 40В

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | Китай хороший качество транзистор силы mosfet поставщик. © 2019 - 2022 mosfet-powertransistor.com. All Rights Reserved.

Оставьте сообщение

Мы скоро тебе перезвоним!