Частота коротковолнового диапазона транзистора влияния поля Мос канала АП10Х06С н

Частота коротковолнового диапазона транзистора влияния поля Мос канала АП10Х06С н

Типы транзистора влияния поля Мос канала н

Внутри общая арена МОСФЭЦ силы, несколько специфических технологий которые были начаты и были обращаться к различными изготовителями. Они используют несколько различных методов которые позволяют МОСФЭЦ силы снести течение и отрегулировать уровни силы более эффективно. Как уже отмечалось они часто включают форму вертикальной структуры

Разные виды МОСФЭТ силы имеют различные атрибуты и поэтому могут особенно быть одеты для, который дали применений.

• Плоскостный МОСФЭТ силы: Это основная форма МОСФЭТ силы. Хорошо для высоковольтных оценок потому что ДАЛЬШЕ сопротивление преобладано сопротивлением эпислоя. Эта структура вообще использована когда высокая плотность клеток не необходима.
• ВМОС: МОСФЭЦ силы ВМОС доступны в течение многих лет. Фундаментальное понятие использует структуру паза в для того чтобы включить более вертикальную подачу течения, таким образом обеспечивающ более низко НА уровнях сопротивления и лучших характеристиках переключения. Хотя использованный для переключения силы, они могут также быть использованы для высокочастотных небольших усилителей силы РФ.
• УМОС: Версия УМОС МОСФЭТ силы использует рощу подобную этому ФЭТ ВМОС. Однако роща имеет более плоское дно к ей и обеспечивает некоторые различные преимущества.
• ХЭСФЭТ: Эта форма МОСФЭТ силы использует шестиугольную структуру для того чтобы обеспечить настоящую возможность.
• ТренчМОС: Опять МОСФЭТ силы ТренчМОС использует подобные основные рощу или канаву в основном кремнии для того чтобы обеспечить лучшие пропускную способность и характеристики. В частности, МОСФЭЦ силы канавы главным образом использованы для напряжений тока над 200 вольтами из-за их плотности канала и следовательно их низкой НА сопротивлении.

Особенности транзистора влияния поля Мос канала н

ВДС = 60В ИД =10А
РДС (ДАЛЬШЕ) < 20m="">

Применение транзистора влияния поля Мос канала н

Предохранение от батареи
Переключатель нагрузки
Бесперебойное электропитание

Маркировка и упорядочение информации пакета

Абсолютный максимум оценок (в противном случае замеченные ТК=25℃уньлесс)

Электрические характеристики (в противном случае замеченные ТК=25℃уньлесс)

Примечание

1. повторяющийся оценка: Ширина ИМПа ульс ограничиваемая максимальной температурой соединения.

2. поверхность установленная на ФР4 доске, сек ≤ 10 т.

3. Тест ИМПа ульс: Μс ≤ 300 ширины ИМПа ульс, ≤ 2% круга обязаностей.

4. Гарантированный дизайн, не подчиненный к продукции

Внимание

1, любые и все продукты микроэлектроники АПМ описанное или, который содержать здесь не имеют спецификации которые могут отрегулировать применения которые требуют весьма высоких уровней надежности, как системы искусственного жизнеобеспечения, системы управления воздушного судна, или другие применения отказ которых можно разумно предполагать, что приведет в серьезных медицинском осмотре и/или материальном ущербе. Советуйте с с ваше близко микроэлектроники АПМ репрезентивное вами перед использованием всех продуктов микроэлектроники АПМ описанных или, который содержать здесь в таких применениях.

2, микроэлектроника АПМ не принимают никакую ответственность за отказы оборудования которые следуют из использование продуктов на значениях которые превышают, даже мгновенно, нормированные величины (как максимальные оценки, ряды эксплуатационного режима, или другие параметры) перечисленные в технических характеристиках изделия любых и всех продуктов микроэлектроники АПМ описанных или, который содержать здесь.

3, спецификации из любых и все продукты микроэлектроники АПМ описали или содержать здесь инстипулате представление, характеристики, и функции описанных продуктов в суверенном государстве, и нет гарантий представления, характеристик, и функций описанных продуктов как установлено в продуктах или оборудовании клиента. Для проверки симптомов и государств которые нельзя оценить в независимом приборе, клиент должен всегда оценивать и испытывать приборы установленные в продуктах или оборудовании клиента.

4, КО. полупроводника микроэлектроники АПМ, ЛТД. стремятся поставить высококачественные высокие продукты надежности. Однако, любые и все продукты полупроводника терпят неудачу с некоторой вероятностью. Возможно что эти вероятностные отказы смогли дать подъем авариям или событиям которые смогли угрожать человеческие жизни которые смогли дать подъем для курения или для того чтобы увольнять, или которые смогло причинить повреждение к другому свойству. Оборудование Вхэндесиньинг, устанавливает меры безопасности так, что эти виды аварий или событий не смогут произойти. Такие измерения включают но не ограничены к защитным цепям и цепям предохранения ошибки для безопасного дизайна, резервного дизайна, и структурного дизайна.

5, в случае если любые продукты микроэлектроники АПМ (включая технические данные, обслуживания) описанные или, который содержать здесь проконтролированы под любым из применимых местных законов и постановления экспортного контроля, такие продукты необходимо экспортировать без получать экспортную лицензию от властей, который относят в соответствии с вышеуказанным законом.

6, никакая часть этого издания могут быть воспроизведены или переданы в любую форму или любыми средствами, электронный или механический, включая фотокопинг и записывать, или любые информационную память или систему поиска информации, или в противном случае, без прежнего написанного разрешения КО. полупроводника микроэлектроники АПМ, ЛТД.