Помещенная пластмасса транзистора влияния поля СОТ-23 Мос ХСИ34042019-09-06 16:38:21 |
ИД 6,0 а транзистора влияния поля ВДСС режима повышения 2Н7002 20в2019-08-15 18:09:08 |
Линейная структура 3403Д-У-В транзистора влияния поля Мос силы вертикальная2019-10-18 10:38:09 |
Канал ВГС 10В н транзистора влияния поля Мос ХСИ4466 30В малошумный2019-09-06 17:48:12 |
транзистор наивысшей мощности 150А, транзистор влияния поля Мос канала 40В н2019-10-16 15:31:14 |
ИД 13А РДС транзистора влияния поля Мос ХСИ4406А ВДС 30В (ДАЛЬШЕ) < 11.5мΩ2019-09-06 18:24:31 |
материал кремния АлфаСГТ ХСИ4264 канала н транзистора влияния поля Мос 60В2019-09-06 20:18:31 |