Главная страница ПродукцияТранзистор влияния поля Мос

Привод ворот уровня логики транзистора влияния поля 60в Мос АлфаСГТ ХСИ4266

Сертификация
Китай Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Сертификаты
Китай Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Сертификаты
Просмотрения клиента
мы сотрудничество с Хуа Сюан Янг в большинстве должны к их профессионализму, их сильному ответу к изготовлению на заказ продуктов нам, поселению всех наших потребностей и, прежде всего, они обеспечат качественных сервисов.

—— -- Джейсон от Канады

Под рекомендацией моего друга, мы знаем о Хуа Сюан Янг, старшем специалисте в полупроводнике и индустрии электронных блоков, которая позволяла мы уменьшить наше драгоценное время и для того чтобы затеять попытку другие фабрики.

—— -- Виктор от России

Оставьте нам сообщение

Привод ворот уровня логики транзистора влияния поля 60в Мос АлфаСГТ ХСИ4266

Привод ворот уровня логики транзистора влияния поля 60в Мос АлфаСГТ ХСИ4266
Привод ворот уровня логики транзистора влияния поля 60в Мос АлфаСГТ ХСИ4266

Большие изображения :  Привод ворот уровня логики транзистора влияния поля 60в Мос АлфаСГТ ХСИ4266

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Шэньчжэнь Китай
Фирменное наименование: Hua Xuan Yang
Сертификация: RoHS、SGS
Номер модели: ХСИ4266
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: 1000-2000 ПК
Цена: Negotiated
Упаковывая детали: Положенный в коробку
Время доставки: 1 до 2 недели
Условия оплаты: Соединение Л/К Т/Т западное
Поставка способности: 18,000,000ПКС/в день

Привод ворот уровня логики транзистора влияния поля 60в Мос АлфаСГТ ХСИ4266

описание
Название продукта: транзистор силы mosfet Применение: Высокочастотное переключение
Материал: кремний Номер модели: ХСИ4266
ВДС: 60V ИД (на ВГС=10В): 11А
Высокий свет:

сильнотоковый транзистор

,

водитель мосфет используя транзистор

60В Н-канал АлфаСГТ ХСИ4266
 

 

Сводка продукта

 

ВДС 60В
ИД (на ВГС=10В) 11А
РДС (ДАЛЬШЕ) (на ВГС=10В) < 13="">
РДС (ДАЛЬШЕ) (на ВГС=4.5В) < 18m="">

 

 

 

Общее описание

 

• Низкий РДС (ДАЛЬШЕ)
• Привод ворот логики ровный
• Превосходный продукт обязанности кс РДС ворот (ДАЛЬШЕ) (ФОМ)
• РоХС и свободное от Галоид уступчивое

 

 

Применения

 

• Высокочастотное переключение и одновременное выпрямление

 

Привод ворот уровня логики транзистора влияния поля 60в Мос АлфаСГТ ХСИ4266 0

 

 

Электрические характеристики (т =25°К если не указано иное)

 

Привод ворот уровня логики транзистора влияния поля 60в Мос АлфаСГТ ХСИ4266 1

 

А. Значение θДЖА р измерено с прибором установленным на доске 1ин2 ФР-4 с 2оз. Омедняйте, в неподвижной окружающей среде воздуха с Та =25°К.

значение в любом, который дали применении зависит от дизайна доски потребителя специфического.

Б. Диссипация силы пд основана на тдж(МАКСЕ) =150°К, используя сопротивление ≤ 10с соединени-к-окружающее термальное.

К. повторяющийся оценка, ширина ИМПа ульс ограничиваемая оценками температуры соединения тдж(МАКСА) =150°К. основана на низкочастотном и кругах обязаностей для того чтобы держать

инитялТ =25°К.

Д. ΘДЖА р сумма термального импеданса от соединения для того чтобы привестиθДЖЛ р и привести к окружающему.

Э. Статические характеристики в диаграммах 1 до 6 получены используя <300>

Ф. Эти кривые основаны на соединени-к-окружающем термальном импедансе которым измеряет с прибором установленным на доске 1ин2 ФР-4 с

2оз. Омедняйте, принимающ что максимальная температура соединения тдж(МАКСА) =150°К. кривая СОА обеспечивает одиночную оценку ИМПа ульс.

Г. Круг обязаностей 5% шипа максимальное, ограниченный температурой соединения ТДЖ (МАКСОМ) =125°К.

 

ТИПИЧНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ТЕРМАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

 

 

 

Привод ворот уровня логики транзистора влияния поля 60в Мос АлфаСГТ ХСИ4266 2Привод ворот уровня логики транзистора влияния поля 60в Мос АлфаСГТ ХСИ4266 3Привод ворот уровня логики транзистора влияния поля 60в Мос АлфаСГТ ХСИ4266 4Привод ворот уровня логики транзистора влияния поля 60в Мос АлфаСГТ ХСИ4266 5Привод ворот уровня логики транзистора влияния поля 60в Мос АлфаСГТ ХСИ4266 6Привод ворот уровня логики транзистора влияния поля 60в Мос АлфаСГТ ХСИ4266 7

Привод ворот уровня логики транзистора влияния поля 60в Мос АлфаСГТ ХСИ4266 8

Контактная информация
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Контактное лицо: David

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты

Оставьте сообщение

Мы скоро тебе перезвоним!